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周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器及其制备方法技术

技术编号:37366896 阅读:23 留言:0更新日期:2023-04-27 07:13
本发明专利技术公开了一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器,包括衬底,背栅区,吸收区和源漏区,其中:背栅区位于衬底上,背栅区为具有周期性铁电畴的P(VDF

【技术实现步骤摘要】
周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电探测器领域,具体涉及一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]范德华超晶格为二维层状材料之间通过范德华力相互结合,并与其他材料进行周期性复合,从而形成没有位错影响的超晶格。范德华超晶格具有清晰明确的重大应用前景,以及诸多需要探求的基础物理现象,但是高质量、结构可调、功能化的范德华超晶格的制备仍然是目前技术的瓶颈。
[0003]近十年来,大部分范德华超晶格都是通过逐层转移借助不同二维材料本身的周期性堆叠得到的,但该方法效率低下并且具有引入污染物的风险,且较难实现单层的周期性生长。制备范德华超晶格的方法还能够通过化学气相沉积的方法,借助不同二维材料本身的周期性堆叠制备得到。
[0004]通过化学气相沉积(CVD)方法来直接合成二维范德华异质结(2DvdWH),通常也仅限于只有两个不同嵌段的异质结结构。要使用vdWHs外延生长方法生产范德华超晶格(vdWSL),需要在不同的化学或热环境之间反复实验,这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器,其特征在于,包括:衬底,背栅区,吸收区和源漏区,其中:所述背栅区位于衬底上,所述背栅区为具有周期性铁电畴的P(VDF

TrFE)铁电薄膜;所述吸收区位于背栅区上,所述吸收区为WSe2类超晶格薄膜;所述源漏区位于吸收区上,所述源漏区为叉指结构金属电极。2.根据权利要求1所述的周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器,其特征在于,所述P(VDF

TrFE)铁电薄膜为β相,形貌为编织网状,具有周期性畴结构,所述周期性畴结构的极化方向为面外朝上方向和面外朝下方向的周期性排列。3.根据权利要求1所述的周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器,其特征在于,所述叉指结构金属电极包括源电极和漏电极,所述源电极位于P(VDF

TrFE)铁电薄膜极化方向为面外朝上方向区域的上方,且所述漏电极位于P(VDF

TrFE)铁电薄膜极化方向为面外朝下方向区域的上方;或者所述源电极位于P(VDF

TrFE)铁电薄膜极化方向为面外朝下方向区域的上方,且所述漏电极位于P(VDF

TrFE)铁电薄膜极化方向为面外朝上方向区域的上方。4.根据权利要求1或3所述的周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器,其特征在于,所述具有周期性铁电畴的P(VDF

TrFE)铁电薄膜通过以下方式制备:先分别向涂覆于衬底上的P(VDF

TrFE)铁电薄膜和源极施加电压,然后分别向向涂覆于衬底上的P(VDF

TrFE)铁电薄膜和漏极施加电压,使得P(VDF

TrFE)铁电薄膜具有周期性铁电畴;或者先分别向涂覆于衬底上的P(VDF

TrFE)铁电薄膜和漏极施加电压,然后分别向向涂覆于衬底上的P(VDF

TrFE)铁电薄膜和源极施加电压,使得P(VDF

TrFE)铁电薄膜具有周期性铁电畴。5.根据权利要求4所述的周期性铁电极化诱导的WSe2类超晶格光电探测器,其特征在于,所述分别向P(VDF

TrFE)铁电薄膜和源极施加电压,包括:分别向P(VDF

TrFE)铁电薄膜和源极施加0V-+30V电压,漏极不加电压,使源极电极对应的P(VDF

TrFE)铁电薄膜区域的铁电畴极化方向面外朝下,或者分别向P(VDF

TrFE)铁电薄膜和源极施加0V-

30V电压,漏极不加电压,使源极电极对应的P(VDF

TrFE)铁电薄膜区域的铁电畴极化方向面外朝上;所述分别向P(VDF

TrFE)铁电薄膜和漏极施加电压,包括:分别向P(VDF

TrFE)铁电薄膜和漏极施加0V-

30V电压,源极不加电压,使漏极电极对应的P(VDF

TrFE)铁电薄膜区域的铁电畴极化方向面外朝上,或者分别向P(VDF

TrFE...

【专利技术属性】
技术研发人员:阮罗渊白石根宋睿煊陈焕坚杜瑀唐燕如林虹宇单玉风俞国林邓惠勇戴宁
申请(专利权)人:之江实验室
类型:发明
国别省市:

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