一种光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光电探测器及其制备方法，其光电探测器包括：(1)导电衬底；(2)绝缘层；(3)二维无机半导体层，设于绝缘层的表面；(4)二维钙钛矿层，设于二维无机半导体层表面；(5)第一金属电极设于二维无机半导体层的表面；(6)第二金属电极设于二维钙钛矿表面，第一金属电极与第二金属电极分别用作光电探测器的正负极。二维钙钛矿单晶的化学式为A2A

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，尤其是涉及一种光电探测器及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电探测器具有将光信号转换为电信号的能力，广泛应用于图像传感、光通信、环境监测等领域。传统的光电探测器大多采用无机半导体材料，如Si、SiC、InGaAs、GaN等，但此类半导体材料需要在高真空环境中生长，制备工艺复杂。
[0003]有机无机杂化铅卤钙钛矿因其可调节的带隙，高量子产率和低廉的生产成本等受到广泛的关注。然而，传统的三维钙钛矿因其稳定性差等问题限制了其进一步的商业化发展。为此，通过引入含疏水基团的阳离子形成层状钙钛矿结构被认为是一种有效的改善手段。然而，因为引入的长链阳离子导电性能差，导致层状钙钛矿的载流子迁移率大幅度降低和激子结合能大，不利于光电器件的性能优化。此外，目前针对层状钙钛矿光电探测器的研究主要基于钙钛矿单晶材料而并非半导体异质结，使得光照下产生大量的激子分离效率和电荷收集效率低的问题，严重限制了光电探测器的光电响应性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：导电衬底，绝缘层，所述绝缘层位于导电衬底表面；二维无机半导体层，所述二维无机半导体层位于绝缘层表面；二维钙钛矿层，所述二维钙钛矿层位于二维无机半导体层表面；第一金属电极，所述第一金属电极设于所述二维无机半导体层的表面，所述第一金属电极与二硫化钼单晶接触；第二金属电极，所述第二金属电极设于所述二维钙钛矿层的表面，所述第二金属电极与二维钙钛矿单晶接触；所述二维钙钛矿单晶的化学式为A2A
’
n
‑1Pb
n
X
3n+1
；其中，其中A为胺基有机阳离子；A
’
为甲胺、甲脒或碱金属一价阳离子，X为卤素，n为正整数。2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述二维钙钛矿单晶的厚度为20～200nm。3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述二硫化钼单晶的厚度为5～40nm。4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述第一金属电极和所述第二金属电极的厚度分别为20～80nm。5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述二维钙钛矿单晶的化学式为A2A
’
n
‑1Pb

【专利技术属性】
技术研发人员：龙明珠，黄莉，林吕杨，周国富，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：