【技术实现步骤摘要】
高压脉冲发生器装置及1kV~20kV高压脉冲幅度校准装置
[0001]本技术涉及电子设备
,特别是涉及一种高压脉冲发生器装置及1kV~20kV高压脉冲幅度校准装置。
技术介绍
[0002]高压脉冲发生器一般指可输出脉冲幅度1kV以上的一类特殊的脉冲信号发生器,一般用于脉冲功率、电磁兼容试验、半导体测试等领域,如典型的脉冲功率科学研究领域包含了大量的高电压、大电流、高功率短脉冲的产生及测量。高压脉冲幅度校准装置作为一种特定的高压脉冲发生器,可产生高准确度脉冲幅度量值的高压脉冲,可用于高压探头的校准或者其他对脉冲幅度准确度要求较高的场合。
[0003]高压脉冲信号包括脉冲幅度、上升时间、下降时间、脉冲宽度等多个波形特征参数,除脉冲幅度外其他参数的测量及校准方法较为明确。脉冲幅度作为高压脉冲信号最重要的波形特征,直接表征了脉冲功率中瞬态信号的量值准确性和一致性,其准确测量及量值溯源仍具有一定难度,也一直是脉冲参数计量、高压计量的重要研究内容。目前高压脉冲的测量一般采用高压探头、示波器组合测量的方法实现仪器的计量校准, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高压脉冲发生器装置,其特征在于,包括高压脉冲成形电路,高压脉冲成形电路包括至少两级结构相同并依次连接的Marx升压电路;第一级Marx升压电路包括电阻R1、电容C1、场效应管MOSFET1,场效应管MOSFET1内部含体二极管,电阻R1的一端作为第一级Marx升压电路的正输入端连结高压直流电源的DC
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IN端,高压直流电源的GND端接地,电阻R1的另一端连接电容C1的一端,电容C1的另一端作为第一级Marx升压电路的负输入端接地,电阻R1的另一端还连接场效应管MOSFET1的D极,场效应管MOSFET1的S极经截尾回路接地,截尾回路包括电阻R7和场效应管MOSFET7;场效应管MOSFET7内部含体二极管,电阻R7的一端连接场效应管MOSFET1的S极,电阻R7的另一端连接场效应管MOSFET7的D极,场效应管MOSFET7的S极接地,场效应管MOSFET1的G极和场效应管MOSFET7的G极分别连接有相应的高隔离光触发驱动电路;电阻R1的另一端作为第一级Marx升压电路的正输出端连接第二级Marx结构升压电路的正输入端,电阻R7的一端作为第一级Marx升压电路的负输出端连接第二级Marx升压电路的负输入端,以此类推;最后一级Marx升压电路的负输出端作为高压脉冲成形电路的信号输出端。2.根据权利要求1所述的高压脉冲发生器装置,其特征在于:所述高压直流电源为100V~4kV可调输入直流电源。3.根据权利要求1所述的高压脉冲发生器装置,其特征在于:所述高压脉冲成形电路的信号输出端经负载电阻R13接地。4.根据权利要求1所述的高压脉冲发生器装置,其特征在于:场效应管MOSFET1的G极和场效应管MOSFET7的G极连接的高隔离光触发驱动电路的电路结构相同,所述高隔离光触发驱动电路包括驱动电源模块、光信号接收器FC1以及MOSFET驱动芯片U3,驱动电源模块包括高隔离度DC/DC模块,高隔离度DC/DC模块的两个输入端连...
【专利技术属性】
技术研发人员:龙国浩,徐云武,胡远首,何鹏,郭晓东,
申请(专利权)人:中国工程物理研究院计量测试中心,
类型:新型
国别省市:
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