【技术实现步骤摘要】
喷嘴及化学机械研磨装置
[0001]本公开实施例涉及研磨装置
,尤其涉及一种喷嘴及化学机械研磨装置。
技术介绍
[0002]半导体器件的制作中往往会采用化学机械研磨工艺(CMP),对晶圆或者其他的结构进行平坦化处理。具体来说,在化学机械研磨工艺中,需要在研磨机台上添加处理液,使处理液与硅晶圆发生化学反应,进而使得硅晶圆表面的硬度和强度降低,然后利用机械力将表面层磨去。
[0003]相关技术中,化学机械研磨装置包括喷嘴和研磨机台,研磨机台包括研磨垫,喷嘴位于研磨垫的上方,并向研磨垫提供处理液。但是,上述的化学机械研磨装置的处理液无法尽快铺满研磨垫,且存在分散不均匀的缺陷,降低了化学机械研磨装置的研磨效果。
技术实现思路
[0004]鉴于上述问题,本公开实施例提供一种喷嘴及化学机械研磨装置,用于提高处理液的分散均匀度,进而提高化学机械研磨装置的研磨效果。
[0005]本公开实施例的第一方面提供一种喷嘴,所述喷嘴用于向化学机械研磨装置的研磨垫提供处理液,所述研磨垫的承载面的法线方向为第一方向; ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种喷嘴,所述喷嘴用于向化学机械研磨装置的研磨垫提供处理液,所述研磨垫的承载面的法线方向为第一方向;其特征在于,所述喷嘴包括具有流通通道的本体,所述流通通道用于与处理液供给装置连通;所述本体包括与所述流通通道连通的多个出液口,至少部分所述出液口的出液方向与所述第一方向具有预设夹角,所述预设夹角不为零。2.根据权利要求1所述的喷嘴,其特征在于,在多个所述出液口中,出液方向与所述第一方向具有预设夹角的出液口为第一出液口;所述第一出液口设置在所述本体的侧面,和/或,所述第一出液口设置在所述本体的底面。3.根据权利要求2所述的喷嘴,其特征在于,当所述第一出液口设置在所述本体的侧面上时,至少部分剩余的所述出液口为第二出液口,所述第二出液口设置在所述本体的底面,经由所述第二出液口的处理液的出液方向与所述第一方向相互平行。4.根据权利要求3所述的喷嘴,其特征在于,所述第二出液口的个数为多个,多个所述第二出液口间隔设置在所述本体的底面上。5.根据权利要求4所述的喷嘴,其特征在于,所述本体包括中空的柱状体,所述柱状体的内腔构成所述流通通道,且所述流通通道为柱形。6.根据权利要求4所述的喷嘴,其特征在于,所述本体包括中空的第一螺旋体,所述第一螺旋体的内腔构成所述流通通道,且所述流通通道为螺旋形。7.根据权利要求6所述的喷嘴,其特征在于,所述第一出...
【专利技术属性】
技术研发人员:李子昂,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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