DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本公开提供了一种DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质，涉及内存测试技术领域。该方法包括采集第一预设时间范围的DRAM数据保持时间下的待拟合数据；通过预设对数正态分布函数对待拟合数据进行拟合，得到关键参数，在关键参数满足预设拟合条件的情况下，得到目标对数正态分布函数；根据目标对数正态分布函数，确定DRAM的数据保持时间。本公开提供的DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质，能够避免本征失效的影响，精确预测DRAM数据保持时间测试，快速定位良率损失的原因。快速定位良率损失的原因。快速定位良率损失的原因。

【技术实现步骤摘要】
DRAM数据保持时间预测方法、装置、设备及介质


[0001]本公开涉及内存测试
，尤其涉及一种DRAM数据保持时间预测方法、DRAM数据保持时间预测装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]对于易失性存储器来说，例如DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)，当存储器失去电能之后，将不能保持其原始存储的数据。DRAM存储单元通常包括一个晶体管和一个电容器，DRAM存储单元的保持时间是指在电容器漏电后，该存储单元仍能保持所存储数据的准确性，而不会造成读取数据失效的有效时间。
[0003]存储器的制造过程存在工艺上的偏差，导致某些存储单元的保持时间会随着测试时间的增加产生变化。
[0004]在相关技术中，对于DRAM的数据保持时间，目前通常采用WAT(Wafer Access Test，晶圆验证测试)或CP(Circuit Probe，晶圆测试)来表征。然而，WAT无法真实反应DRAM数据存储时间性能，测试精度低；而CP测试需要测试DRAM在一毫秒至几百毫秒范围上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，包括：采集第一预设时间范围的DRAM数据保持时间下的待拟合数据；通过预设对数正态分布函数对所述待拟合数据进行拟合，得到关键参数，在所述关键参数满足预设拟合条件的情况下，得到目标对数正态分布函数；根据所述目标对数正态分布函数，确定所述DRAM的数据保持时间。2.根据权利要求1所述的DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，所述关键参数包括均值、标准差、目标对数正态分布函数在所述第一预设时间范围内的斜率、以及目标对数正态分布函数在时间坐标轴的截距。3.根据权利要求2所述的DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，所述关键参数满足所述预设拟合条件包括：所述标准差与斜率的倒数呈线性关系，且标准差与斜率的倒数的拟合优度大于或者等于预设精度阈值。4.根据权利要求3所述的DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，所述拟合优度包括以下至少一项：确定系数R2、均方根误差、非线性相关系数R
NL
。5.根据权利要求1所述的DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，所述根据所述目标对数正态分布函数，确定所述DRAM的数据保持时间，包括：根据预设失效率和目标对数正态分布函数，得到与所述预设失效率对应的在时间坐标轴的坐标值，作为所述DRAM的数据保持时间。6.根据权利要求1所述的DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述关键参数不满足预设拟合条件的情况下，采集第二预设时间范围的DRAM数据保持时间下的待拟合数据，重新拟合，直至满足所述预设拟合条件，得到所述目标对数正态分布函数。7.根据权利要求6所述的DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，所述第二预设时间范围大于所述第一预设时间范围。8.根据权利要求7所述的DRAM数据保持时间预测方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述关键参数不满足预设拟合条件的情况下，根据所述关键参数，选择第二预设时间范围。9.根据权利要求1所述的DRA...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈惠明，黄炜，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：