【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合体及采用其的陶瓷电路基板以及半导体装置
[0001]后述的实施方式主要涉及接合体及采用其的陶瓷电路基板以及半导体装置。
技术介绍
[0002]将陶瓷基板和铜板接合而形成的陶瓷铜电路基板被用于安装半导体元件等的电路基板。国际公开第2017/056360号公报(专利文献1)中记载的陶瓷铜电路基板对经由接合层将陶瓷基板和铜板接合而成的接合体进行了改进。专利文献1中，设置了使接合层从铜板端部突出的突出部。通过控制这样的接合层突出部的尺寸而提高了TCT特性。
[0003]专利文献1中，在接合层突出部尺寸的控制中采用刻蚀工序。刻蚀工序是用于除去接合体的铜板或接合层的工序。专利文献1的接合层含有Ag、Cu及Ti。含有Ag、Cu及Ti的接合层是通过活性金属接合法而形成的。专利文献1的接合体在进行刻蚀工序中的突出部尺寸的控制时，成品率未必能说良好。
[0004]例如，日本专利第3302714号公报(专利文献2)中示出了含有Ag、Cu及Ti的接合层组织的概念图。专利文献2的接合层组织中存在Ag、Cu、AgCu共晶。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接合体，是将金属板和陶瓷基板经由含有Ag的接合层接合而成的接合体，其特征在于：在所述接合层的由厚度方向和其正交方向所形成的截面中的按所述接合层的厚度方向的长度
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所述正交方向的长度200μm形成的测定区域中，相对于Ag浓度为50at％以下的贫Ag区，Ag浓度为60at％以上的富Ag区按面积比计存在70％以下。2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于：在所述测定区域在所述正交方向上连续3个连着的三连测定区域中，至少存在1个在所述接合层的所述厚度方向上连着所述贫Ag区的区域。3.根据权利要求1～2中任一项所述的接合体，其特征在于：所述接合层的厚度方向的长度在10μm...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本翔太，吉村文彦，末永诚一，大关智行，
申请(专利权)人：东芝高新材料公司，
类型：发明
国别省市：
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