用于开关变换器的集成电路和SOP封装结构制造技术

本公开的实施例涉及一种用于开关变换器的集成电路和SOP封装结构。该集成电路包括第一功率开关管、第二功率开关管和控制电路。第一功率开关管的第一端和第二功率开关管的第一端耦接；第一功率开关管的第二端和第二功率开关管的第二端耦接。控制电路根据变换器的电压和/或电流的采样信号产生第一控制信号和第二控制信号。第一控制信号和第二控制信号分别控制第一功率开关管和第二功率开关管互补导通。该实用新型专利技术可以在大功率应用场合将两颗并联的、交替导通的同型号功率开关管和控制电路进行合封设计成一颗芯片，实现了业内最高功率的单封装功率转换能力，可对多个电子市场产生技术革新。技术革新。技术革新。

【技术实现步骤摘要】
用于开关变换器的集成电路和SOP封装结构


[0001]本技术涉及电子电路，更具体地，涉及一种用于开关变换器的集成电路以及小外形封装(Small Out
‑
Line Package，SOP)结构。

技术介绍

[0002]在电源管理芯片应用中，通常在小功率应用中电源管理芯片会将单颗小面积的功率开关管与控制器集成在一起，而在高功率应用中通常采用一颗控制芯片加上外部分立的高压低导通电阻的功率MOSFET管的方式进行应用。其原因主要是受限于现有的封装体形状。目前，大多数的内部封装框架长宽大小和大尺寸的功率MOSFET的晶圆较难匹配，无法将低导通电阻的功率MOSFET管的晶圆封进标准的封装体外形结构。
[0003]采用分立的控制芯片和功率MOSFE管方案会占用较大的PCB面积，同时控制芯片和功率MOSFET管之间长走线也将造成寄生电感和电阻较大，导致客户在实际应用中MOSFET管选型以及生产备料困难。同时，分离应用也导致控制芯片无法对功率MOSFET管进行过温保护，将导致整个电路的可靠性问题。
[0004]因此，在高功率的应用场合，如何在现有封装应用中集成大功率开关管是我们期望解决的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于解决现有技术中的上述问题，提出一种用于开关变换器的集成电路和SOP封装结构。通过使用本公开的实施例，可以在大功率应用场合将功率开关管和控制电路进行合封设计。
[0006]根据本技术的一方面提供了一种用于开关变换器的集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：第一功率开关管，具有第一端、第二端和控制端；第二功率开关管，具有第一端、第二端和控制端，其中第一功率开关管的第一端和第二功率开关管的第一端耦接，第一功率开关管的第二端和第二功率开关管的第二端耦接；以及控制电路，接收代表所述开关变换器的电压和/或电流采样信号，并根据电压和/或电流采样信号产生第一控制信号和第二控制信号，其中，第一控制信号耦接第一功率开关管的控制端，第二控制信号耦接第二功率开关管的控制端，第一控制信号和第二控制信号分别用于控制第一功率开关管和所述第二功率开关管互补导通。
[0007]进一步地，所述第一功率开关管和第二功率开关管为同型号的功率开关管。
[0008]进一步地，所述开关变换器包括升压型功率因数校正电路。
[0009]进一步地，所述开关变换器包括反激式开关变换器。
[0010]根据本技术的另一方面提供了一种用于开关变换器的SOP封装结构，其特征在于，所述SOP封装结构包括：引线框；第一基岛，位于引线框上，用于放置第一功率开关管，所述第一基岛包括至少一个引脚；第二基岛，位于引线框上，用于放置第二功率开关管，所述第二基岛包括至少一个引脚，所述第一基岛的至少一个引脚和所述第二基岛的至少一个
引脚在所述SOP封装结构外部电连接在一起；以及第三基岛，位于引线框上，用于放置控制电路，其中所述控制电路用于控制所述第一开关和第二开关互补导通。
[0011]进一步地，所述第一功率开关管和第二功率开关管分别具有第一端、第二端和控制端；所述第一功率开关管的第一端通过所述第一基岛的至少一个引脚引出；所述第二功率开关管的第一端通过所述第二基岛的至少一个引脚引出；所述第一功率开关管的第二端和所述第二功率开关管的第二端通过引线框电连接。
[0012]进一步地，所述SOP封装结构进一步包括键合线，所述第一功率开关管的控制端和所述第二功率开关管的控制端通过键合线电连接至所述控制电路。
[0013]进一步地，所述第一功率开关管和第二功率开关管为同型号的功率开关管。
[0014]进一步地，所述开关变换器包括升压型功率因数校正电路。
[0015]进一步地，所述开关变换器包括反激式开关变换器
[0016]通过使用本公开的实施例，特别是在功率因数校正电路和反激式开关变换器的应用场合，可将两颗并联的、交替导通的同型号功率开关管和控制电路进行合封设计成一颗芯片，实现了业内最高功率的单封装功率转换能力，可对多个电子市场产生技术革新，具有很大的市场价值。
附图说明
[0017]图1所示为根据本技术一个实施例的BOOST拓扑结构的PFC电路系统100的电路示意图；
[0018]图2所示为图1所示电路系统的部分波形示意图；
[0019]图3所示为本公开图1中所示集成电路10的封装结构200的示意图。
[0020]如附图所示，在所有不同的视图中，相同的附图标记指代相同的部分。在此提供的附图都是为了说明实施例、原理、概念等的目的，并非按比例绘制。
具体实施方式
[0021]接下来将结合附图对本技术的具体实施例进行非限制性描述。在整个说明书中对“一个实施例”或“一实施例”的引用意味着结合该实施例所描述的特定特征、结构或特点被包括在本技术的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各处出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”并不一定都是指同一实施例。动词“包括”和“具有”在本文中用作开放限制，其既不排除也不要求还存在未叙述特征。除非另有明确说明，否则从属权利要求中记载的特征可以相互自由组合。在整个文件中使用“一”或“一个”(即，单数形式)限定的元件，并不排除多个这个元件的可能。更进一步地，所描述的特征、结构或特点可以在一个或多个实施例中以任何合适方式组合。除非另外指明，否则术语“连接”被用于指定电路元件之间的直接电连接，而术语“耦合”被用于指定可以是直接的或可以经由一个或多个其他元件的电路元件之间的电连接。相反，当称元件“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，不存在中间元件。这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。当提及节点或端子的电压时，除非另外指示，否则认为该电压是该节点与参考电位(通常是地)之间的电压。此外，当提及节点或端子的电位时，除非另外指示，否则认为该电位指的是参考电位。给定节点或给定端子的电压和电位将进一步用相同的附图标记指
定。将在第一逻辑状态(例如逻辑低状态)与第二逻辑状态(例如逻辑高状态)之间交替的信号称为“逻辑信号”。同一电子电路的不同逻辑信号的高和低状态可能不同。特别地，逻辑信号的高和低状态可以对应于在高或低状态下可能不是完全恒定的电压或电流。
[0022]图1提供了一个具有BOOST拓扑结构PFC控制的电路系统100。如图1所示，电路系统100中，交流电压VAC经过整流器整流以及电容CIN滤波后变为输入电压VIN。输入电压VIN经过BOOST拓扑结构的PFC电路进行功率因数矫正变为输出电压VOUT。其中，主开关管和二极管D的公共节点标记为SW。
[0023]在图1所示实施例中，主开关管包括两个功率开关管QN1和QN2。功率开关管QN1和QN2为两个型号相同的开关管。功率开关管QN1和QN2并联连接在公共节点SW和参考地之间。具体地，功率开关管QN1的第一端和功率开关管QN2的第一端耦接，功率开关管QN1的第二端和功率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于开关变换器的集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：第一功率开关管，具有第一端、第二端和控制端；第二功率开关管，具有第一端、第二端和控制端，其中第一功率开关管的第一端和第二功率开关管的第一端耦接，第一功率开关管的第二端和第二功率开关管的第二端耦接；以及控制电路，接收代表所述开关变换器的电压和/或电流采样信号，并根据电压和/或电流采样信号产生第一控制信号和第二控制信号，其中，第一控制信号耦接第一功率开关管的控制端，第二控制信号耦接第二功率开关管的控制端，第一控制信号和第二控制信号分别用于控制所述第一功率开关管和所述第二功率开关管互补导通。2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一功率开关管和第二功率开关管为同型号的功率开关管。3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述开关变换器包括升压型功率因数校正电路。4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述开关变换器包括反激式开关变换器。5.一种用于开关变换器的SOP封装结构，其特征在于，所述SOP封装结构包括：引线框；第一基岛，位于引线框上，用于放置第一功率开关管，所述第一基岛包括至少一个引脚；第二基岛，位于引线框上，用于放置第二功率开关管...

【专利技术属性】
技术研发人员：易坤，
申请(专利权)人：晶艺半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：