用于开关变换器的集成电路和SOP封装结构制造技术

本公开的实施例涉及一种用于开关变换器的集成电路和SOP封装结构。该集成电路包括第一功率开关管、第二功率开关管和控制电路。第一功率开关管的第一端和第二功率开关管的第一端耦接；第一功率开关管的第二端和第二功率开关管的第二端耦接。控制电路根据变换器的电压和/或电流的采样信号产生第一控制信号和第二控制信号。第一控制信号和第二控制信号分别控制第一功率开关管和第二功率开关管互补导通。该实用新型专利技术可以在大功率应用场合将两颗并联的、交替导通的同型号功率开关管和控制电路进行合封设计成一颗芯片，实现了业内最高功率的单封装功率转换能力，可对多个电子市场产生技术革新。技术革新。技术革新。

【技术实现步骤摘要】
用于开关变换器的集成电路和SOP封装结构


[0001]本技术涉及电子电路，更具体地，涉及一种用于开关变换器的集成电路以及小外形封装(Small Out
‑
Line Package，SOP)结构。

技术介绍

[0002]在电源管理芯片应用中，通常在小功率应用中电源管理芯片会将单颗小面积的功率开关管与控制器集成在一起，而在高功率应用中通常采用一颗控制芯片加上外部分立的高压低导通电阻的功率MOSFET管的方式进行应用。其原因主要是受限于现有的封装体形状。目前，大多数的内部封装框架长宽大小和大尺寸的功率MOSFET的晶圆较难匹配，无法将低导通电阻的功率MOSFET管的晶圆封进标准的封装体外形结构。
[0003]采用分立的控制芯片和功率MOSFE管方案会占用较大的PCB面积，同时控制芯片和功率MOSFET管之间长走线也将造成寄生电感和电阻较大，导致客户在实际应用中MOSFET管选型以及生产备料困难。同时，分离应用也导致控制芯片无法对功率MOSFET管进行过温保护，将导致整个电路的可靠性问题。
[0004]因此，在高功率的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于开关变换器的集成电路，其特征在于，所述集成电路包括：第一功率开关管，具有第一端、第二端和控制端；第二功率开关管，具有第一端、第二端和控制端，其中第一功率开关管的第一端和第二功率开关管的第一端耦接，第一功率开关管的第二端和第二功率开关管的第二端耦接；以及控制电路，接收代表所述开关变换器的电压和/或电流采样信号，并根据电压和/或电流采样信号产生第一控制信号和第二控制信号，其中，第一控制信号耦接第一功率开关管的控制端，第二控制信号耦接第二功率开关管的控制端，第一控制信号和第二控制信号分别用于控制所述第一功率开关管和所述第二功率开关管互补导通。2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一功率开关管和第二功率开关管为同型号的功率开关管。3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述开关变换器包括升压型功率因数校正电路。4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述开关变换器包括反激式开关变换器。5.一种用于开关变换器的SOP封装结构，其特征在于，所述SOP封装结构包括：引线框；第一基岛，位于引线框上，用于放置第一功率开关管，所述第一基岛包括至少一个引脚；第二基岛，位于引线框上，用于放置第二功率开关管...

【专利技术属性】
技术研发人员：易坤，
申请(专利权)人：晶艺半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：