半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：输出端子，输出电压从输出端子输出；开关转换器，被配置为基于第一参考电压来控制输出电压；负载电容器，被配置为充入有与输出电压对应的电压；线性放大器，连接到交流(AC)耦合电容器的一端，并且被配置为基于第二参考电压来控制AC耦合电容器的电压；以及开关电路，被配置为控制负载电容器的充电速度，并且控制输出端子与AC耦合电容器的一端和另一端之间的连接。接。接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请要求分别于2021年10月20日和2022年4月20日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0140074号和第10
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2022
‑
0048675号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。


[0002]本公开涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0003]半导体系统可以包括以不同的电源电压操作的各种半导体装置。因此，针对平滑操作(smooth operation)，半导体系统可以受益于根据需要来生成各种电源电压的半导体装置。
[0004]例如，在需要诸如信号发送和/或接收操作的高速操作的半导体装置的情况下，以高速供应变化的电源电压是有益的。因此，正在对用于以高速改变和输出电源电压的半导体装置进行积极的研究。

技术实现思路

[0005]本公开的方面提供了一种具有增大的操作速度并且能够生成高电压的半导体装置。
[0006]应注意的是，本公开的目的不限于上述目的，并且根据下面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：输出端子；开关转换器，被配置为基于第一参考电压来控制从输出端子输出的输出电压；负载电容器，被配置为充入有与输出电压对应的电压；线性放大器，连接到交流耦合电容器的一端，并且被配置为基于第二参考电压来控制交流耦合电容器的电压；以及开关电路，连接在输出端子、负载电容器和交流耦合电容器之间，并且被配置为控制负载电容器的充电速度，并且被配置为控制输出端子与交流耦合电容器的所述一端之间的连接以及输出端子与交流耦合电容器的另一端之间的连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，开关电路被配置为当输出电压在第一状态下时以第一速度对负载电容器进行充电，并且被配置为当输出电压在第二状态下时以比第一速度低的第二速度对负载电容器进行充电。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，开关电路包括：晶体管，在开关转换器与负载电容器之间，并且晶体管在第一状态下完全导通，并且在第二状态下部分导通。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在第一状态下，第一参考电压保持在一个范围内，并且在第二状态下，第一参考电压偏离所述范围。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第一状态下，开关电路不将交流耦合电容器的所述一端和所述另一端中的任何一者连接到输出端子，并且在第二状态下，开关电路将交流耦合电容器的所述一端连接到输出端子，并且不将交流耦合电容器的所述另一端连接到输出端子。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在第三状态下，开关电路不将交流耦合电容器的所述一端连接到输出端子，并且将交流耦合电容器的所述另一端连接到输出端子。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，开关电路包括：第一开关，在交流耦合电容器的所述一端与输出端子之间；以及第二开关，在交流耦合电容器的所述另一端与输出端子之间。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，开关电路还包括：第三开关，被配置为控制电源电压是否施加到交流耦合电容器的所述另一端。9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：输出端子；开关转换器，被配置为基于第一参考电压和电源电压来控制从输出端子输出的输出电压；负载电容器，被配置为充入有与输出电压对应的电压；线性放大器，连接到交流耦合电容器的一端，并且被配置为基于第二参考电压和电源电压来控制交流耦合电容器的电压；第一开关，被配置为控制输出端子与负载电容器之间的连接；第二开关，被配置为控制输出端子与交流耦合电容器的所述一端之间的连接；以及
第三开关，被配置为控制输出端子与交流耦合电容器的另一端之间的连接。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，第一开关包括晶体管，在输出电压保持恒定的第一状态下，第一开关完全导通，第二开关不连接交流耦合电容器的所述一端和输出端子，并且第三开关不连接交流耦合电容器的所述另一端和输出端子，以及在输出电压改变为比设定电压低的电压的第二状态下，第一开关部分导通，第二开关连接交流耦合电容器的所述一端和输出端子，并且第三开关不连接交流耦合电容器的所述另一端和输出端子。11.根据权利要求9所述的半导体装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东秀，方俊锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：