测试结构制造技术

一种测试结构，包括：衬底；位于所述衬底上的若干相邻样品单元，各所述若干样品单元包括待测样品以及第一布线结构；位于所述衬底上的若干布线单元，各所述布线单元包括第二布线结构，所述第二布线结构与相邻两个样品单元的待测样品或第一布线结构连接。通过样品单元、布线单元按照设计规则进行单元拼接就能够形成测试结构，从而实现将结构转变成大量重复可测试的电路。试的电路。试的电路。

【技术实现步骤摘要】
测试结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及测试结构。

技术介绍

[0002]在半导体工艺制程中，后段工艺通常用来连接单元内部各个晶体管以及单元之间的布局布线，包括金属和导电插塞等。后段工艺的缺陷对电路的影响主要有两种，一种是设计中断开的结构短路了，其原因包括原本不相连的金属因为缺陷联结起来。另一种是设计中是连接的结构断开了，其原因包括金属在加工中缺失、导电插塞与金属没有接触。因此，了解后段工艺的质量在半导体工艺中十分重要，减少制程中的缺陷可以有效提高良率，降低成本。
[0003]在现有技术中，需要通过版图实现各类产生缺陷的结构，而进一步需要研究某种结构产生缺陷的概率，就需要大量重复这类结构，并通过电路测量其开路或短路状态。传统版图设计需要整体考虑具有某种结构的样品的排布及其布线的布局。
[0004]然而，在上述方法中，由于缺陷种类很多，周围环境复杂，通过布线布局使这些结构转变成为可测试的结构是非常困难的，需要高度依赖设计经验，同时，由于需要整体考虑样品的排布及其布线的布局，上述方法设计效率低。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的若干相邻样品单元，各所述若干样品单元包括待测样品以及第一布线结构；位于所述衬底上的若干布线单元，各所述布线单元包括第二布线结构，所述第二布线结构与相邻两个样品单元的待测样品或第一布线结构连接。2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述若干样品单元的类型包括：第一样品类型和第二样品类型；所述若干布线单元的类型包括：与第一样品类型对应的第一布线类型、与第二样品类型对应的第二布线类型。3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，当所述样品单元的类型为第一样品类型时，所述第一布线结构包括：2个电源导电层、与所述电源导电层位于同一层的2个第三导电层、位于所述电源导电层上的2个第四导电层，其中，所述电源导电层沿第二方向排布、所述第三导电层沿第一方向排列，各所述第三导电层通过1个第四导电层与所述待测样品连接；所述待测样品包括输入端和输出端，各所述第四导电层与所述待测样品的输入端、各所述第四导电层与所述待测样品的输出端、各所述第四导电层与各所述第三导电层之间均具有导电插塞。4.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，当所述样品单元的类型为第二样品类型时，所述第一布线结构包括：2个电源导电层、位于所述电源导电层上的2个第四导电层，其中，2个所述电源导电层沿第二方向排布，各所述电源导电层分别通过1个第四导电层与所述待测样品连接；所述待测样品包括输入端和输出端，各所述第四导电层与所述待测样品的输入端、各所述第四导电层与所述待测样品的输出端、各所述第四导电层与各所述电源导电层之间均具有导电插塞。5.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，当布线单元的类型为第一布线类型时，所述第二布线结构包括：3个电源导电层、与所述电源导电层位于同一层的2个第三导电层，位于所述电源导电层上的1个第四导电层，其中，所述电源导电层沿第二方向排布、所述第三导电层沿第二方向排布，各所述第三导电层在第二方向上位于2个所述电源导电层之间，各所述第三导电层通过所述第四导电层连接；各所述第三导电层和所述第四导电层之间具有导电插塞。6.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，当布线单元的类型为第二布线类型时，所述第二布线结构包括：3个电源导电层、位于所述电源导电层上的1个第四导电层，其中，所述电源导电层沿第二方向排布；沿第二方向第一个所述电源导电层和沿第二方向第三个所述电源导电层通过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁扬，王立柱，刘旭，王代平，蔡燕飞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：