一种半导体芯片标识的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片标识的制作方法，包括如下步骤：在晶圆平面上制作脊型台面波导；生长绝缘层；在绝缘层上制作电流注入窗口及标识编码。本发明专利技术提供的方法制作芯片标识不需要增加工艺步骤及专门流程，在制作电流注入窗口的同时采用刻蚀法制作出芯片标识，工艺简单并且字体边缘清晰，便于识别。本发明专利技术的方法能够兼容现有制作工艺，有效地控制生产成本与产品质量。本与产品质量。本与产品质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片标识的制作方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片制造
，具体涉及一种半导体芯片标识的制作方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造技术中，在进行电性能测试或良率检测时，往往先将芯片从晶圆上切割下来才能进行测试，然而这样的测试做完以后只能了解单个芯片的质量情况，无法确定单个芯片原来在晶圆上的位置，因而无法确定晶圆的整体质量分布情况。由于制作工艺的原因，在晶圆上不同位置的芯片不可避免的会出现性能差异，因此对产品进行标识编码追溯就变得尤为重要。对芯片进行标识编码，这样在晶圆被切割成单个芯片后，当出现测试不良品或失效芯片时就能追溯知道芯片在晶圆的正确位置，方便进行后续分析及识别，从而进行分析定位，对不良品(或失效芯片)进行失效分析，进而持续的提升良率，降低成本。除此之外，对芯片进行标识编码也方便区分性能测试后芯片的良品和不良品，避免混料。
[0003]一般来说，可以通过物理及化学方式在芯片上制作出光学可视的标识。通常情况下半导体芯片上的标识都是做在电极层上，该方式制作标识编码采用金属剥离工艺，一般都是采用双层光刻胶或专用剥离光刻胶，工艺复杂，而且由于字体通常很小，其边缘毛刺多不清晰，影响芯片外观美观与标识编码的识别。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种制作半导体芯片标识的方法，以能够兼容现有制作工艺的基础上，在芯片上制作位置标识，简化工艺，控制生产成本与产品质量。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：
>[0006]本专利技术提供的一种半导体芯片标识的制作方法，包括如下步骤：
[0007]在晶圆平面上制作脊型台面波导；
[0008]生长绝缘层；
[0009]在绝缘层上制作电流注入窗口及标识编码。
[0010]优选的，所述半导体芯片为激光器或放大器芯片。
[0011]优选的，所述在晶圆平面上制作脊型台面波导的具体方法为以SiO2或SiN
X
作为掩膜，通过光刻及刻蚀法在晶圆平面上制作脊型台面波导。
[0012]更优选的，所述刻蚀法选自干法刻蚀、化学腐蚀、干法刻蚀和化学腐蚀相结合中的一种。
[0013]优选的，所述生长绝缘层采用化学气相沉积法、真空蒸发或溅射法中的一种。
[0014]优选的，所述绝缘层材料为SiO2。
[0015]优选的，所述在绝缘层上制作电流注入窗口及标识编码的具体方法为通过光刻及刻蚀法去除脊上及标识编码区域的绝缘层，从而同时形成电流注入窗口及标识编码。
[0016]更优选的，所述刻蚀法可为干法刻蚀。
[0017]优选的，所述标识编码为阿拉伯数字、英文字母、阿拉伯数字和英文字母组合中的一种。
[0018]优选的，所述脊型台面波导的脊宽为1～10μm，所述绝缘层的厚度为0.2～1μm，所述标识图形的大小不超过100μm
×
100μm。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
[0020]本专利技术提供的方法制作芯片标识不需要增加工艺步骤及专门流程，在制作电流注入窗口的同时采用刻蚀法制作出芯片标识，工艺简单并且字体边缘清晰，便于识别。本专利技术的方法能够兼容现有制作工艺，有效地控制生产成本与产品质量。
附图说明
[0021]图1为本专利技术实施例的一种半导体激光器芯片的剖面结构示意图；
[0022]图2为本专利技术实施例的一种半导体激光器芯片的表面结构示意图；
[0023]图3为本专利技术实施例的制作工艺流程示意图；
[0024]图4为本专利技术实施例的一种半导体激光器芯片制作过程中的表面结构示意图。
[0025]附图标记：101
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有源层，102
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绝缘层，103
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上金属电极，104
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下金属电极。
具体实施方式
[0026]以下结合具体实施例对本专利技术作进一步的详细说明，以使本领域的技术人员更加清楚地理解本专利技术。所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。在本专利技术实施例中，若无特殊说明，所有原料组分均为本领域技术人员熟知的市售产品；若未具体指明，所用的技术手段均为本领域技术人员所熟知的常规手段。
[0027]本专利技术实施例提供的一种半导体芯片标识的制作方法，包括如下步骤：
[0028]在晶圆平面上制作脊型台面波导；
[0029]生长绝缘层；
[0030]在绝缘层上制作电流注入窗口及标识编码。
[0031]在一些实施方式中，所述半导体芯片为激光器或放大器芯片。
[0032]在一些实施方式中，所述在晶圆平面上制作脊型台面波导的具体方法为以SiO2或SiN
X
作为掩膜，通过光刻及刻蚀法在晶圆平面上制作脊型台面波导。
[0033]在一些实施方式中，所述刻蚀法选自干法刻蚀、化学腐蚀、干法刻蚀和化学腐蚀相结合中的一种。干法刻蚀法可使用RIE设备通过调整刻蚀速率对台面深度进行精确控制；化学腐蚀可通过调整腐蚀液配比及腐蚀时间对台面深度进行精确控制。
[0034]在一些实施方式中，所述生长绝缘层采用化学气相沉积法、真空蒸发或溅射法中的一种。
[0035]在一些实施方式中，所述绝缘层材料为SiO2。
[0036]在一些实施方式中，所述在绝缘层上制作电流注入窗口及标识编码的具体方法为通过光刻及刻蚀法去除脊上及标识编码区域的绝缘层，从而同时形成电流注入窗口及标识编码。
[0037]在一些实施方式中，所述刻蚀法可为干法刻蚀。
[0038]在一些实施方式中，所述标识编码为阿拉伯数字、英文字母、阿拉伯数字和英文字母组合中的一种。标识编码可按照数字大小或字母先后顺序形成具有一定规律的排列组合，以便标明芯片在整个晶圆中所处位置。标识编码除了可以用来标记芯片在整个晶圆的位置外，也可以用来标记所需要的任何信息，例如芯片脊宽、长度等信息。
[0039]在一些实施方式中，所述脊型台面波导的脊宽为1～10μm，所述绝缘层的厚度为0.2～1μm，所述标识图形的大小不超过100μm
×
100μm。
[0040]在一些实施方式中，还包括在芯片标识编码形成后，采用光刻与湿法腐蚀相结合在相邻芯片间形成解理线。
[0041]在一些实施方式中，还包括采用光刻及刻蚀法在不包含标识编码区域套刻出P面电极电极窗口，而后采用溅射法制作P面金属电极，电极材料为Ti、Pt、Au。电极不得覆盖标识编码区域，否则芯片通电时会造成电流漏电,影响芯片的发光效率。
[0042]在一些实施方式中，还包括将晶圆减薄，通过蒸发及溅射法制作N面金属电极，电极材料为Ti、Pt、Au、Sn。
[0043]下面实施例以一种脊波导结构(RWG结构)半导体激光器芯片来说明本专利技术提供的半导体芯片标识的具体制作方法。
[0044]本实施例提供的半导体激光器芯片的剖面结构如图1所示，表面结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在晶圆平面上制作脊型台面波导；生长绝缘层；在绝缘层上制作电流注入窗口及标识编码。2.根据权利要求1所述的半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，所述半导体芯片为激光器或放大器芯片。3.根据权利要求1所述的半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，所述在晶圆平面上制作脊型台面波导的具体方法为以SiO2或SiN
X
作为掩膜，通过光刻及刻蚀法在晶圆平面上制作脊型台面波导。4.根据权利要求3所述的半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，所述刻蚀法选自干法刻蚀、化学腐蚀、干法刻蚀和化学腐蚀相结合中的一种。5.根据权利要求1所述的半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，所述生长绝缘层采用化学气相沉积法、真空蒸发或溅射法中的一种。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹巍，
申请(专利权)人：杭州楚芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：