一种半导体芯片标识的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体芯片标识的制作方法，包括如下步骤：在晶圆平面上制作脊型台面波导；生长绝缘层；在绝缘层上制作电流注入窗口及标识编码。本发明专利技术提供的方法制作芯片标识不需要增加工艺步骤及专门流程，在制作电流注入窗口的同时采用刻蚀法制作出芯片标识，工艺简单并且字体边缘清晰，便于识别。本发明专利技术的方法能够兼容现有制作工艺，有效地控制生产成本与产品质量。本与产品质量。本与产品质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片标识的制作方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片制造
，具体涉及一种半导体芯片标识的制作方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造技术中，在进行电性能测试或良率检测时，往往先将芯片从晶圆上切割下来才能进行测试，然而这样的测试做完以后只能了解单个芯片的质量情况，无法确定单个芯片原来在晶圆上的位置，因而无法确定晶圆的整体质量分布情况。由于制作工艺的原因，在晶圆上不同位置的芯片不可避免的会出现性能差异，因此对产品进行标识编码追溯就变得尤为重要。对芯片进行标识编码，这样在晶圆被切割成单个芯片后，当出现测试不良品或失效芯片时就能追溯知道芯片在晶圆的正确位置，方便进行后续分析及识别，从而进行分析定位，对不良品(或失效芯片)进行失效分析，进而持续的提升良率，降低成本。除此之外，对芯片进行标识编码也方便区分性能测试后芯片的良品和不良品，避免混料。
[0003]一般来说，可以通过物理及化学方式在芯片上制作出光学可视的标识。通常情况下半导体芯片上的标识都是做在电极层上，该方式制作标识编码采用金属剥离工艺，一般都是采用双层光刻胶或专用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在晶圆平面上制作脊型台面波导；生长绝缘层；在绝缘层上制作电流注入窗口及标识编码。2.根据权利要求1所述的半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，所述半导体芯片为激光器或放大器芯片。3.根据权利要求1所述的半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，所述在晶圆平面上制作脊型台面波导的具体方法为以SiO2或SiN
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作为掩膜，通过光刻及刻蚀法在晶圆平面上制作脊型台面波导。4.根据权利要求3所述的半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，所述刻蚀法选自干法刻蚀、化学腐蚀、干法刻蚀和化学腐蚀相结合中的一种。5.根据权利要求1所述的半导体芯片标识的制作方法，其特征在于，所述生长绝缘层采用化学气相沉积法、真空蒸发或溅射法中的一种。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹巍，
申请(专利权)人：杭州楚芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：