一种玻烧组件的玻烧工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种玻烧组件的玻烧工艺，玻璃绝缘子通过玻烧安装在外壳内，插针接触件通过玻烧安装在玻璃绝缘子内，且插针接触件为铜膨胀合金材料制成，其制作步骤依次为压制玻璃坯、排蜡、玻化、组装、烧结、卸模、第一次检验、涂覆、第二次检验。同规格的插针接触件，铜膨胀合金插针接触件比铁镍膨胀合金或可伐合金插针接触件额定电流高、载流能力强、接触电阻低、温升低，发热就越低，产品电性能更加优越、更加可靠；玻烧组件电流一定，温升一定，采用铜插针接触件玻烧，可缩小插针接触件的直径，从而缩小产品的整体外形，实现了水密连接器的小型化和轻量化；铁镍膨胀铜膨胀合金无磁性，不会对设备和仪器产生影响，解决了磁性干扰问题。解决了磁性干扰问题。

【技术实现步骤摘要】
一种玻烧组件的玻烧工艺


[0001]本专利技术涉及铜接触件玻烧连接器，特别是一种玻烧组件的玻烧工艺。

技术介绍

[0002]随着连接器行业的高速发展，其对玻烧连接器的电性能、密封可靠性、抗磁性干扰性、小型化要求日益提高，由GJB1216可知，目前行业内的玻烧连接器，玻璃烧结用的插针为铁镍膨胀合金或可伐合金，为B型，电性能较铜合金（A型）差。电性能主要体现正在载流能力、接触电阻、温升；产品在承受一定的电流时，载流能力越小，那么接触电阻越高、温升越高，发热就越高，发热过高易导致某些不耐热零部件软化以及产品绝缘电阻的降低，从而极大地影响产品寿命和可靠性；且铁镍膨胀合金或可伐合金材料具有磁性，易影响精密设备仪器的正常使用。
[0003]影响玻烧产品载流能力、接触电阻、温升（发热）、磁性干扰的最主要因素是插针接触件的材料，而零件（外壳、插针接触件、玻璃安装板）之间材料膨胀系数的适配性、玻烧工艺和涂覆工艺的适配性影响着产品常态下的绝缘电阻和外观质量。
[0004]连接器领域采用的常规且成熟的玻璃烧结工艺为“高温烧结工艺”，产品一般由插针接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻烧组件的玻烧工艺，其特征在于：所述玻烧组件包括插针接触件、玻璃绝缘子和外壳，所述玻璃绝缘子通过玻烧安装在外壳内，所述插针接触件通过玻烧安装在所述玻璃绝缘子内，且所述插针接触件为铜膨胀合金材料制成，其材料膨胀系数为8.0
×
10
‑6/K～10.0
×
10
‑6/K，熔化温度2000℃以上，所述玻璃绝缘子的玻璃粉的膨胀系数为5.0
×
10
‑6/K～10.0
×
10
‑6/K，所述外壳的膨胀系数为4.6
×
10
‑6/K～17.5
×
10
‑6/K，所述插针接触件、玻璃绝缘子和外壳的玻烧工艺包括以下步骤：S1：压制玻璃坯：将选好的玻璃粉放入推坯机中，按照玻璃绝缘子的尺寸、重量压制玻璃粉，得到玻璃坯；S2：排蜡，用粗纱手套将摆放好玻璃坯的板放在网带排蜡玻化炉进行排蜡，排蜡阶梯温度室温～550℃，排蜡时间为14h～48h；S3：玻化，将排好蜡的玻璃坯放置在网带玻化炉进行玻化，玻化阶梯温度室温～730℃，玻化的总时间为12h
‑
16h；S4：组装，用石墨模将玻化后的玻璃坯固定，然后将插针接触件、外壳与玻璃坯组装在一起，形成待烧结组件；S5：烧结，将组装好的待烧结组件放置于烧结炉中，烧结温度为940℃～1100℃，烧结时间为15min～60min；S6：卸模，将石墨模拆卸，得到烧结组件；S7：第一次检验，对烧结组件的轴向密封性能、绝缘电阻性能进行检验，保证烧结组件轴向不会漏水，且绝缘电阻符合要求；S8：涂覆，用橡胶保护套将插针接触件的基材保护起来，然后对插针接触件的接触部分进行镀金，然后将外壳的氧化层用喷丸喷掉，然后再经过酸洗，去掉外表表层；S9：第二次检...

【专利技术属性】
技术研发人员：周娟，刘月，钟宇，李林，张强，闫军，张勇强，
申请(专利权)人：四川华丰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：