一种锡（II）基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器技术

本发明专利技术涉及一种二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器，属于无毒无机钙钛矿材料、光电探测器材料和器件技术领域。所述混合体异质结薄膜由稳定性优良的FA1‑

【技术实现步骤摘要】
一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器


[0001]本专利技术涉及一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器，属于无毒无机钙钛矿材料、光电探测器材料和器件


技术介绍

[0002]光电探测器在图像传感、光通信、自动化制造、化学/生物测量及军事测量等方面存在众多潜在应用。近年来，由于有机
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无机杂化卤化钙钛矿材料本身具有较长的载流子扩散距离、较高的载流子迁移率以及较为简单的制备流程，使其一跃成为光电探测器、太阳能电池和发光二极管等光电器件中最有前景的半导体材料之一。基于钙钛矿材料制备的光电探测器虽说在近些年取得了长足进步，但绝大多数高性能光电探测器都是基于含铅钙钛矿材料所制备的器件。众所周知，铅元素不仅会对自然环境造成严重污染，而且铅元素在体内的长期积蓄还会导致人体出现慢性铅中毒。上述因素的存在被认为是铅基钙钛矿光电器件进一步投入实际商业化应用的最大障碍。因此，通过使用其他非铅元素来取代钙钛矿材料中的铅元素是钙钛矿光电探测器发展的必经之路。
[0003]钙钛矿材料的通用化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜，其特征在于：所述混合体异质结薄膜由高稳定性的FA1‑
x
Cs
x
SnBr3锡基钙钛矿材料和PVK混合而成，x的取值范围为0.05～0.2，FA1‑
x
Cs
x
SnBr3和PVK的摩尔比为200:1～600:1。2.如权利要求1所述的一种二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜，其特征在于：x的取值范围为0.1.～0.15。3.如权利要求1所述的一种二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜，其特征在于：高稳定性的FA1‑
x
Cs
x
SnBr3和PVK的摩尔比的摩尔比为300:1～400:1。4.一种如权利要求1～3任意一种所述二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法的步骤如下：首先将制备FA1‑
x
Cs
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SnBr3锡基钙钛矿材料的各前驱体溶于溶剂中得到钙钛矿前驱体溶液，然后将PVK溶液与上述钙钛矿前驱体溶液混合溶解后使用过滤头过滤得到混合前驱体溶液，最后采用一步旋涂法将上述混合前驱体溶液旋涂在基底上，并在70～100℃下退火0.5～1h，得到一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜。5.如权利要求4所述的一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜的制备方法，其特征在于：所述钙钛矿前驱体溶液的浓度为0.4～1M，所述PVK溶液的浓度小于等于5mM。6.如权利要求4所述的一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜的制备方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛谊，张珍衡，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：