太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种太阳电池及其制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底正面和背面分别沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；在第一本征非晶硅层上沉积n型掺杂非晶硅层；在第二本征非晶硅层上沉积p型掺杂非晶硅层；在n型掺杂非晶硅层上沉积n型掺杂微晶硅层；在p型掺杂非晶硅层上沉积p型掺杂微晶硅层；沉积n型掺杂微晶硅层和p型掺杂微晶硅层的气体压力为3Torr～5Torr，SiH4、掺杂气体和H2的流量比为1：(1～1.5)：(150～200)，启辉功率为2000W～3500W，启辉时间为100s～230s；利用碱溶液对n型掺杂微晶硅层和p型掺杂微晶硅层进行碱抛。制备的太阳电池光电性能较好、转化效率较高。转化效率较高。转化效率较高。

【技术实现步骤摘要】
太阳电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及光伏
，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着RESH(Rear Emitter Si Heterojunction)电池效率的不断提高和成本的不断降低，高效RESH电池的市场份额也在不断地增加。
[0003]然而，为了更好地满足市场需要，微晶RESH电池的光电性能和转换效率仍然有待进一步提高。因此，如何进一步提升RESH电池的光电性能和转换效率已经成为本领域的研究热点之一。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种光电性能较好、转化效率较高的太阳电池及其制备方法。
[0005]本专利技术提出的技术方案如下：
[0006]根据本专利技术的第一方面，提供了一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：
[0007]提供制绒后的单晶硅衬底；
[0008]在所述单晶硅衬底的正面和背面分别沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；
[0009]通过PECVD方法在所述第一本征非晶硅层上沉积n型掺杂非晶硅层；通过P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供制绒后的单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底的正面和背面分别沉积第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；通过PECVD方法在所述第一本征非晶硅层上沉积n型掺杂非晶硅层；通过PECVD方法在所述第二本征非晶硅层上沉积p型掺杂非晶硅层；通过PECVD方法在所述n型掺杂非晶硅层上沉积n型掺杂微晶硅层；通过PECVD方法在所述p型掺杂非晶硅层上沉积p型掺杂微晶硅层；沉积所述n型掺杂微晶硅层和所述p型掺杂微晶硅层的气体压力为3Torr～5Torr，工艺气体中SiH4、掺杂气体和H2的流量比为1：(1～1.5)：(150～200)，启辉功率为2000W～3500W，启辉时间为100s～230s；利用碱溶液对所述n型掺杂微晶硅层和所述p型掺杂微晶硅层进行碱抛；在碱抛后的所述n型掺杂微晶硅层和所述p型掺杂微晶硅层上分别沉积透明导电薄膜；在所述透明导电薄膜上制备电极。2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法满足以下(1)～(2)中的至少一项：(1)所述碱溶液为质量分数0.5％～1.2％的碱金属氢氧化物溶液；(2)所述碱抛的温度为45℃～60℃。3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述碱抛之前，所述n型掺杂微晶硅层的厚度为100nm～150nm，所述p型掺杂微晶硅层的厚度为100nm～150nm。4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述碱抛之后，所述n型掺杂微晶硅层的厚度为40nm～70nm，所述p型掺杂微晶硅层的厚度为40nm～70nm。5.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩宗谕，徐磊，王金，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：