太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，其可至少部分解决现有的太阳电池中通过电镀方式形成的背电极附着力差，或者制备工艺复杂且效率降低的问题。本发明专利技术的太阳能电池制备方法包括：在硅基底的背侧的接触硅层上形成钝化结构；所述背侧为与入光侧相对的一侧；使用激光除去电极区域的至少部分位置的所述钝化结构形成接触开口，使用激光将所述接触开口处的至少部分所述接触硅层熔融，熔融的所述接触硅层凝固形成再凝固结构；所述电极区域为用于形成背电极的区域；进行电镀，在所述接触硅层背侧的所述电极区域形成背电极。成背电极。成背电极。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]钝化接触太阳电池，如TOPCon(隧穿氧化钝化)太阳电池或HJT(硅异质结)太阳电池中，可使用电镀工艺在其背侧形成背电极。
[0003]但是，现有通过电镀方式形成的背电极附着力差，或者制备工艺复杂且效率降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术至少部分解决现有的太阳电池中通过电镀方式形成的背电极附着力差，或者制备工艺复杂且效率降低的问题，提供一种可在不增加制备步骤，不降低电池效率的情况下，使电镀方式形成的背电极附着力强的太阳能电池及其制备方法。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种太阳能电池的制备方法，其包括：
[0006]在硅基底的背侧的接触硅层上形成钝化结构；所述背侧为与入光侧相对的一侧；
[0007]使用激光除去电极区域的至少部分位置的所述钝化结构形成接触开口，使用激光将所述接触开口处的至少部分所述接触硅层熔融，熔融的所述接触硅层凝固形成再凝固结构；所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在硅基底的背侧的接触硅层上形成钝化结构；所述背侧为与入光侧相对的一侧；使用激光除去电极区域的至少部分位置的所述钝化结构形成接触开口，使用激光将所述接触开口处的至少部分所述接触硅层熔融，熔融的所述接触硅层凝固形成再凝固结构；所述电极区域为用于形成背电极的区域；进行电镀，在所述接触硅层背侧的所述电极区域形成背电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使用激光除去电极区域的至少部分位置的所述钝化结构形成接触开口，使用激光将所述接触开口处的至少部分所述接触硅层熔融包括：使用激光照射所述电极区域的至少部分位置的所述钝化结构，将照射到的所述钝化结构蒸发除去形成接触开口；使用激光照射所述接触开口处的至少部分位置的所述接触硅层，使所述接触硅层熔融。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，用于蒸发除去所述钝化结构的激光的脉冲持续时间在1ps至30ps，能量密度在0.2J/cm2至1.2J/cm2；用于熔融所述接触硅层的激光的脉冲持续时间在1ns至50ns，能量密度在0.1J/cm2至0.5J/cm2。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，用于蒸发除去所述钝化结构的激光的图案包括多个无重叠的第一光斑，每个所述第一光斑的径向尺寸在40μm至60μm；用于熔融所述接触硅层的激光的图案包括位于每个所述第一光斑中心的第二光斑，每个所述第二光斑的径向尺寸在20μm至40μm，且小于其所在的所述第一光斑的径向尺寸。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使用激光除去电极区域的至少部分位置的所述钝化结构形成接触开口包括：使用激光照射所述电极区域的多个间隔位置的所述钝化结构，除去照射到的所述钝化结构形成接触开口，并使保留的所述钝化结构的靠近所述接触开口的边缘部分翘起；其中，所述背电极的厚度大于所述钝化结构的厚度。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钝化结构的翘起的边缘部分最靠近所述接触硅层处与所述接触硅层间的夹角在15
°
至60
°
。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钝化结构的翘起的边缘部分与所述接触硅层间的最大间距在250nm至2000nm。8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，沿从所述钝化结构的翘起的边缘部分指向所述钝化结构的中心的方向上，所述钝化结构的翘起的边缘部分在所述接触硅层上的正投影的尺寸在1μm至4μm。9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钝化结构的翘起的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子港，周志勇，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：