薄膜电容器及具备其的电子电路基板制造技术

本发明专利技术提供相对于电路基板的紧贴性高的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗糙化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接；以及第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。金属箔(10)的另一个主面(12)和侧面(13)构成的角度θa超过20

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜电容器及具备其的电子电路基板


[0001]本专利技术涉及薄膜电容器及具备其的电子电路基板，特别是涉及使用了金属箔的薄膜电容器及具备其的电子电路基板。

技术介绍

[0002]在搭载IC的电路基板中，为了使向IC供给的电源的电位稳定，通常搭载去耦电容器。作为去耦电容器，通常使用层叠陶瓷片式电容器，将多个层叠陶瓷片式电容器搭载于电路基板的表面，由此，确保必要的去耦容量。
[0003]近年来，电路基板小型化，因此，有时用于搭载多个层叠陶瓷片式电容器的空间不足。因此，有时使用可埋入电路基板的薄膜电容器来代替层叠陶瓷片式电容器(参照专利文献1～4)。
[0004]专利文献1所记载的薄膜电容器具有如下结构：使用多孔金属基材，在其表面经由电介质膜形成上部电极。专利文献2所记载的薄膜电容器具有如下结构：使用将一个主面粗化的金属基材，在粗化的表面经由电介质膜形成上部电极。专利文献3及4所记载的薄膜电容器具有如下结构：在支承部形成导电性多孔基材，在粗化的表面经由电介质膜形成上部电极。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜电容器，其中，具备：金属箔，其一个主面被粗糙化；电介质膜，其覆盖所述金属箔的所述一个主面，具有使所述金属箔局部露出的开口部；第一电极层，其经由所述开口部与所述金属箔相接；以及第二电极层，其不与所述金属箔相接而与所述电介质膜相接，所述金属箔具有位于所述一个主面的相反侧的另一个主面、和将所述一个主面与所述另一个主面相连的侧面，所述另一个主面与所述侧面构成的角度超过20
°
且小于80
°
。2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，所述角度为40
°
以上且75
°
以下。3.根据权利要求1或2所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔的厚度为200μm以下。4.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔的厚度为100μm以下。5.根据权利要求4所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔的厚度为50μm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的薄膜电容器，其中，所述侧面被绝缘膜覆盖。7.根据权利要求6所述的薄膜电容器，其中，所述绝缘膜由树脂构成。8.根据权利要求6或7所述的薄膜电容器，其中，所述绝缘膜具有多层结构。9.根据权利要求1～8中任一项所述的薄膜电容器，其中，所述第一及第二电极层被环状的狭缝分离，所述第一电极层设置于被所述狭缝包围的第一区域，所述第二电极层设置于位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井大基，矢野义彦，山下由贵，吉田健一，高桥哲弘，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：