薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板技术

本发明专利技术提供能够在同一面配置一对端子电极的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗糙化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，且具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接；以及第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。由此，能够在金属箔(10)的上表面(11)配置第一及第二电极层双方。而且，金属箔(10)被粗糙化，因此，能够得到更大的电容。能够得到更大的电容。能够得到更大的电容。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板


[0001]本专利技术涉及薄膜电容器及其制造方法，特别是涉及使用了金属箔的薄膜电容器及其制造方法。本专利技术还涉及具备这种薄膜电容器的电子电路基板。

技术介绍

[0002]在搭载IC的电路基板中，为了使向IC供给的电源的电位稳定，通常搭载去耦电容器。作为去耦电容器，通常使用层叠陶瓷片式电容器，将多个层叠陶瓷片式电容器搭载于电路基板的表面，由此，确保必要的去耦容量。
[0003]近年来，电路基板小型化，因此，有时用于搭载多个层叠陶瓷片式电容器的空间不足。因此，有时使用可埋入电路基板的薄膜电容器来代替层叠陶瓷片式电容器(参照专利文献1～4)。
[0004]专利文献1所记载的薄膜电容器具有如下结构：使用多孔金属基材，在其表面经由电介质膜形成上部电极。专利文献2所记载的薄膜电容器具有如下结构：使用将一个主面粗化的金属基材，在粗化的表面经由电介质膜形成上部电极。专利文献3及4所记载的薄膜电容器具有如下结构：在支承部形成导电性多孔基材，在粗化的表面经由电介质膜形成上部电极。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜电容器，其中，具备：金属箔，其一个主面被粗糙化；电介质膜，其覆盖所述金属箔的所述一个主面，具有使所述金属箔局部露出的开口部；第一电极层，其经由所述开口部与所述金属箔相接；以及第二电极层，其不与所述金属箔相接而与所述电介质膜相接。2.根据权利要求1所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔的另一个主面被粗糙化。3.根据权利要求1或2所述的薄膜电容器，其中，所述第一及第二电极层被环状的狭缝分离，所述第一电极层设置于被所述狭缝包围的第一区域，所述第二电极层设置于位于所述狭缝的外侧的第二区域。4.根据权利要求3所述的薄膜电容器，其中，还具备：第一绝缘性部件，其设置于所述狭缝的内部，位于所述第一及第二电极层间。5.根据权利要求4所述的薄膜电容器，其中，所述第一绝缘性部件与所述金属箔相接。6.根据权利要求4所述的薄膜电容器，其中，以所述第一绝缘性部件与所述金属箔不相接的方式在所述电介质膜上设置有所述第一绝缘性部件。7.根据权利要求4～6中任一项所述的薄膜电容器，其中，还具备：第二绝缘性部件，其设置于所述金属箔的所述一个主面上，包围所述第二电极层。8.根据权利要求4～7中任一项所述的薄膜电容器，其中，所述第一绝缘性部件具有与所述第一电极层相接的第一侧面、和与所述第二电极层相接的第二侧面，所述电极层的所述一个主面和所述第一绝缘性部件的所述第一侧面构成的角比所述电极层的所述一个主面和所述第一绝缘性部件的所述第二侧面构成的角大。9.根据权利要求1～8中任一项所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔的侧面为锥形状，由此，所述金属层的另一个主面的面积比所述金属箔的所述一个主面的面积大。10.根据权利要求9所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔的所述另一个主面和所述侧面构成的角超过20
°
且小于80
°
。11.根据权利要求10所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔的所述另一个主面和所述侧面构成的角为30
°
以上且60
°
以下。12.根据权利要求1～11中任一项所述的薄膜电容器，其中，所述金属箔中未被粗糙化的中心部分的结晶粒径在与所述一...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下由贵，吉田健一，矢野义彦，石井大基，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：