电容器装置和包括该电容器装置的半导体装置制造方法及图纸

提供了一种电容器装置和包括该电容器装置的半导体装置。该电容器装置包括彼此间隔开的第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层包括其中铁电体和反铁电体彼此混合的电介质材料。电体和反铁电体彼此混合的电介质材料。电体和反铁电体彼此混合的电介质材料。

【技术实现步骤摘要】
电容器装置和包括该电容器装置的半导体装置


[0001]一些示例实施方式涉及电容器装置和包括电容器的半导体装置。

技术介绍

[0002]在动态随机存取存储器(DRAM)中，每个单元由晶体管和电容器装置(例如，1T1C单元)组成。电容器装置需要/使用可具有高介电常数的电介质层，从而确保电容。然而，在自然界存在的大多数材料中，当介电常数增加时，带隙减小和/或泄漏电流增加。该泄漏电流可能是使电容器装置的操作特性恶化的因素。

技术实现思路

[0003]提供了电容器装置和/或包括该电容器装置的半导体装置。
[0004]附加方面将部分地在以下描述中阐述，部分地将从描述明显，或者可以通过本公开的所给出的实施方式的实践而了解。
[0005]根据一些示例实施方式，一种电容器装置包括：彼此间隔开的第一和第二电极；和电介质层，在第一电极和第二电极之间并且包括其中铁电体和反铁电体彼此混合的电介质材料。
[0006]铁电体和反铁电体中的每个可以包括基于萤石的氧化物(具有萤石结构的氧化物)。基于萤石的氧化物可以包括铪氧化物、锆氧化物和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容器装置，包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及电介质层，在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括其中铁电体和反铁电体彼此混合的电介质材料。2.根据权利要求1所述的电容器装置，其中所述铁电体和所述反铁电体中的每个包括具有基于萤石的结构的氧化物。3.根据权利要求2所述的电容器装置，其中所述氧化物包括铪氧化物、锆氧化物和铪锆氧化物中的至少一种。4.根据权利要求2所述的电容器装置，其中所述铁电体和所述反铁电体中的至少之一进一步包括掺杂剂材料。5.根据权利要求4所述的电容器装置，其中所述掺杂剂材料包括从包括C、Si、Ge、Sn、Pb、Al、Y、La、Gd、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr和Hf的组中选择的至少一种。6.根据权利要求1所述的电容器装置，其中所述铁电体包括排列为正交晶相的原子，并且所述反铁电体包括排列为四方晶相的原子。7.根据权利要求1所述的电容器装置，其中所述铁电体分散在所述反铁电体中。8.根据权利要求1所述的电容器装置，其中在所述电介质材料中所述铁电体的体积比例大于0％且小于40％。9.根据权利要求1所述的电容器装置，其中在针对所述电介质层的电荷(Q)
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电压(V)曲线中线性斜率随着电压增加而增加的点处的转变电压小于在针对所述反铁电体的电荷(Q)
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电压(V)曲线中线性斜率随着电压增加而增加的点处的转变电压。10.根据权利要求9所述的电容器装置，其中，基于针对所述电介质层的所述电荷(Q)
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电压(V)曲线的所述转变电压，所述线性斜率增加约7％或更多。11.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：文泰欢，许镇盛，南胜杰，崔惪铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：