【技术实现步骤摘要】
光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质
[0001]本申请涉及集成电路生产
，特别是涉及一种光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
[0002]在半导体制造中，设计集成电路版图需要通过光刻机转印到硅片上才能完成制造。但由于光的衍射效应，导致光罩投影至硅片上面所生成的电路图形有很大的变化，如线宽、变化、转角圆化、线长缩短等。因此，在光刻之前，需要采用光学邻近校正（Optical Proximity Correction，OPC）技术对待光刻的设计集成电路版图进行失真补偿。其中，OPC技术通过模拟光刻过程中的光学变化和化学反应过程，建立精确的边缘计算模型，反复调整掩膜板上设计集成电路版图的图形边缘，经过多次仿真迭代后获取理想光刻结果下设计集成电路版图的边缘偏移值。如此，基于OPC技术计算的边缘偏移值，对待光刻的设计集成电路版图的图形边缘预先进行修正处理，可以提高光刻良率。
[0003]相关技术中，对于重复设计、较高频率出现的设计集成电路版图，可以预先通过OPC技术获取其边缘信息，并根据获取的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括：通过预设的边缘校正模型获取设计集成电路版图中各切分线段的初始偏移值；基于所述初始偏移值，通过基于模型的光学近邻校正MB
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OPC算法确定所述设计集成电路版图中各切分线段的目标偏移值；根据所述目标偏移值，对所述设计集成电路版图中各切分线段的分布位置进行调整，得到修正后的集成电路版图；其中，按照所述修正后的集成电路版图在晶元上进行光刻工艺曝光后，得到的曝光图形与所述设计集成电路版图的图形边缘相同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述边缘校正模型是基于图神经网络模型构建的；所述通过预设的边缘校正模型获取设计集成电路版图中各切分线段的初始偏移值，包括：根据所述设计集成电路版图中所包含的多条切分线段，构建所述设计集成电路版图对应的线段关系图；所述线段关系图包括多个图节点和连接边，每个所述图节点对应所述设计集成电路版图中的一条切分线段，每个所述连接边用于描述相连接的两个图节点对应的两条切分线段在所述设计集成电路版图中的位置分布关系；将所述线段关系图输入至所述边缘校正模型中，通过所述边缘校正模型获取所述设计集成电路版图中各切分线段的初始偏移值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述设计集成电路版图中所包含的多条切分线段，构建所述设计集成电路版图对应的线段关系图，包括：根据各所述切分线段的线段属性信息，生成各所述图节点的原始节点特征向量；根据各所述切分线段在所述设计集成电路版图中的分布位置，生成各所述连接边的原始边特征向量；根据所述原始节点特征向量和所述原始边特征向量，构建所述设计集成电路版图对应的线段关系图。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述线段关系图包括顺序连接边、对称连接边和空间连接边；所述顺序连接边所连接的两个图节点对应的两条切分线段，位于所述设计集成电路版图的同一个多边形边的相邻位置；所述对称连接边所连接的两个图节点对应的两条切分线段，位于所述设计集成电路版图的同一多边形中，且按照预设的区域框选尺寸所确定的区域内；所述空间连接边所连接的两个图节点对应的两条切分线段，位于所述设计集成电路版图的不同多边形中，且按照所述区域框选尺寸所确定的区域内。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述边缘校正模型结合注意力机制预测所述设计集成电路版图中各切分线段的初始偏移值；将所述线段关系图输入至所述边缘校正模型中，通过所述边缘校正模型获取所述设计集成电路版图中各切分线段的初始偏移值，包括：将所述线段关系图输入至所述边缘校正模型中，确定所述设计集成电路版图中各切分线段的中间偏移值；根据所述中间偏移值和所述线段关系图，获取各所述图节点在至少一个连接边上的注
意力系数；根据各所述切分线段的中间偏移值，以及各所述切分线段对应图节点的至少一个注意力系数，确定所述设计集成电路版图中各切分线段的初始偏移值。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述线段关系图...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙书源，崔绍春，席娟，陈雪莲，
申请(专利权)人：墨研计算科学南京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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