晶圆静电吸盘的检测方法技术

本申请提供一种晶圆静电吸盘的检测方法，先获取伸缩接地针与晶圆静电吸盘的表面齐平时的库仑力阈值，以及伸缩接地针突出于晶圆静电吸盘的表面的高度阈值，而后在无晶圆状态下，采用压力计获取伸缩接地针与晶圆静电吸盘的表面齐平时的压力值，以及采用高度计获取伸缩接地针突出于晶圆静电吸盘的表面的高度值，并将获取的高度值与高度阈值进行比对，以及将获取的压力值与库仑力阈值进行比对，以对晶圆静电吸盘进行检测判定。本申请晶圆静电吸盘的检测方法，可成功检查出是否能满足工艺技术要求的晶圆静电吸盘，从而大大减小产品报废风险，提高设备的利用率。提高设备的利用率。提高设备的利用率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆静电吸盘的检测方法


[0001]本申请属于半导体设备领域，涉及一种晶圆静电吸盘的检测方法。

技术介绍

[0002]静电吸盘(E
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Chuck)是使用静电吸附技术替代传统机械夹持、真空吸附方式的优势技术，在面板显示、光学、半导体等领域中有着广泛应用。
[0003]在半导体离子注入设备领域中，E
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Chuck有着应用广泛，其原理是在高压电下产生电场，使晶圆(wafer)吸附在E
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Chuck的表面，以便进行离子注入工艺。其中，E
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Chuck所运用的原理为：高压电源将正电压加在E
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Chuck下面，将电子吸引到wafer背面，电子和带正电的E
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chuck，在库仑力F的作用下，保证在离子注入的过程中，不受引力的影响而产生掉片，当离子注入工艺结束后，作用于E
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chuck表面的高压电消失，同时和wafer作用的库仑力消失，以释放wafer，但是在离子注入过程中，会有残留的电荷作用在wafer表面，因此即使关闭作用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆静电吸盘的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：提供晶圆静电吸盘(100)，所述晶圆静电吸盘(100)中设置有伸缩接地针(300)；获取所述伸缩接地针(300)与所述晶圆静电吸盘(100)的表面齐平时的库仑力阈值，以及获取所述伸缩接地针(300)突出于所述晶圆静电吸盘(100)的表面的高度阈值；在无晶圆(200)状态下，采用压力计获取所述伸缩接地针(300)与所述晶圆静电吸盘(100)的表面齐平时的压力值，以及采用高度计获取所述伸缩接地针(300)突出于所述晶圆静电吸盘(100)的表面的高度值；将获取的所述高度值与所述高度阈值进行比对，以及将获取的所述压力值与所述库仑力阈值进行比对，以对所述晶圆静电吸盘(100)中的所述伸缩接地针(300)是否处于正常状态进行检测判定。2.根据权利要求1所述的晶圆静电吸盘的检测方法，其特征在于，获取所述伸缩接地针(300)与所述晶圆静电吸盘(100)的表面齐平时的库仑力阈值的方法包括：获取所述晶圆静电吸盘(100)的设备参数；结合库伦定律，对所述设备参数进行数据处理，获取对应的所述库仑力阈值。3.根据权利要求2所述的晶圆静电吸盘的检测方法，其特征在于，所述晶圆静电吸盘(100)的设备参数包括所述晶圆静电吸盘(100)的绝缘层的厚度R、施加在所述晶圆静电吸盘(100)上的电压U及电容C，并将所述晶圆静电吸盘(100)的设备参数代入公式F
库仑力
＝K

【专利技术属性】
技术研发人员：李岩，林丰文，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：