一种碳化硅长管烧结炉制造技术

本发明专利技术涉及烧结炉技术领域，具体为一种碳化硅长管烧结炉；烧结机构配合设置在其两端的出气管和进气管，通过负压风机的作用使烧结机构两端差生压强差，从而引导烧结机构内部气流的流动，使含有一氧化碳的气流更多地流经碳化硅长管，提高碳化硅长管各部位碳化硅的合成效率，设置在烧结机构内壁四周的收集管和条形槽配合将烧结机构四周的一氧化碳气体导入空腔和出气管内，并且通过过滤组件过滤杂质气体，提高一氧化碳的浓度，从而进一步提高碳化硅长管各部位的碳化硅合成效率；解决了在使用烧结炉烧结碳化硅长管时，烧结炉内部气流流动使一氧化碳气体在碳化硅长管上分布不均，而影响烧结后的碳化硅长管整体质量的问题。结后的碳化硅长管整体质量的问题。结后的碳化硅长管整体质量的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅长管烧结炉


[0001]本专利技术涉及烧结炉
，具体为一种碳化硅长管烧结炉。

技术介绍

[0002]在碳化硅长管烧结的过程中，会产生硫化氢、二氧化硫和一氧化碳等气体，其中一氧化碳会再次参与碳化硅合成的化学反应过程，而硫化氢和二氧化硫是一种有毒气体，一方面，在烧结完毕后打开烧结炉时会溢出危害工人健康，另一方面，在烧结过程中会相对稀释一氧化碳的浓度，从而影响碳化硅的合成效率，并且由于碳化硅长管的长度较长，在烧结时，烧结炉中央位置处的温度高于两端和四周位置处的温度，由于温度梯度的影响，中间部位的气体膨胀较快，会产生向四周温度较低区域的气流，从而使烧结过程中产生的一氧化碳集中向四周温度较低的区域聚集，使一氧化碳在碳化硅长管上分布不均，从而影响碳化硅的合成效率，造成碳化硅长管上不同位置合成的碳化硅分布不均匀，影响碳化硅长管的整体质量。

技术实现思路

[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种碳化硅长管烧结炉，解决了在使用烧结炉烧结碳化硅长管时，烧结炉内部气流流动使一氧化碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅长管烧结炉，包括有用于烧结碳化硅长管的烧结机构(1)，烧结机构(1)上设有冷却机构(2)，其特征在于：所述烧结机构(1)上设有用于引导气流流动的控制机构(3)；所述控制机构(3)包括有设置在烧结机构(1)一端的空腔(31)，空腔(31)靠近烧结机构(1)一侧的侧壁上开设有多个通孔(32)，烧结机构(1)内壁均匀设置有多个与空腔(31)连通的收集管(33)，收集管(33)外壁上开设有多个条形槽(34)，空腔(31)远离烧结机构(1)的一侧连通有可弯曲的出气管(35)，出气管(35)上连通有用于除去杂质气体的过滤组件(36)，过滤组件(36)远离空腔(31)一侧的出气管(35)上连通有负压风机(37)，负压风机(37)远离空腔(31)一侧的出气管(35)上连通有通过电磁阀控制的连接管(38)，连接管(38)底部连通有真空罐(39)，出气管(35)另一端与烧结机构(1)远离空腔(31)的一端之间连通有进气管(40)。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅长管烧结炉，其特征在于：所述烧结机构(1)包括有外层壳体(11)，外层壳体(11)内同心设有内层壳体(12)，外层壳体(11)与内层壳体(12)之间设有封闭的降温腔(13)，外层壳体(11)远离空腔(31)的一端铰链连接有中心设有进气管(40)的舱门(14)，内层壳体(12)中心处设有用于烧结碳化硅长管的加热组件(15)，加热组件(15)内设有用于引导气流向其中心流动的导向组件(16)，外层壳体(11)底部固定有多个支撑柱(17)。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅长管烧结炉，其特征在于：所述加热组件(15)包括有固定在内层壳体(12)上的固定板(151)，固定板(151)上固定有加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥云，李浩，李慧，
申请(专利权)人：铜陵市祥云碳化硅烧结设备有限公司，
类型：发明
国别省市：