一种半导体器件以及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件以及制备方法，在该半导体器件中，第一缓冲层中第一缓变组分的含量在第一方向上逐渐增加从而逐渐缩小了晶格失配，同时第二缓冲层中第一缓变组分的含量在第一方向上逐渐减小从而给后续生长的外延层提供了张应力，进一步降低了缓冲叠层的表面的粗糙度，两者结合实现了位错容纳，将大部分位错和缺陷限制在缓冲叠层中，相比于现有技术，在衬底上生长该缓冲叠层可以得到更高的驰豫和更低的表面粗糙度，为之后半导体器件形成高质量的外延层提供了基础。形成高质量的外延层提供了基础。形成高质量的外延层提供了基础。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件以及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，更具体地说，涉及一种半导体器件以及制备方法。

技术介绍

[0002]SiGe材料在异质结晶体管和应变硅量子点器件中具有重要作用，是实现应变硅材料的常用缓冲层材料。
[0003]在Si衬底上形成SiGe缓冲层可以降低失配，进一步生长接近驰豫的SiGe外延层；但是这种SiGe缓冲层往往比较厚，例如生长驰豫的Si
0.7
Ge
0.3
外延层需要约3μm的缓冲层，由于表面粗糙度随着生长厚度增加而增加，在生长这种厚度比较大的SiGe缓冲层时，会导致缓冲层的表面粗糙度非常高，严重时甚至会通过其他表面处理手段降低表面粗糙度，这种高粗糙度会影响后续生长；比如形成不利于Si沟道生长的超过1nm的表面粗糙度和差的电学性能；在生长驰豫的SiGe外延层的同时保持SiGe缓冲层低表面粗糙度是生长高质量应变器件的重点和难点。
[0004]因此，降低缓冲层的表面粗糙度成为了亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，为解决上述问题，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底一侧的N组缓冲叠层，其中N≥1；N组所述缓冲叠层在第一方向上依次设置；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲叠层；所述缓冲叠层包括：在所述第一方向上依次设置的第一缓冲层以及第二缓冲层；所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的材料相同，且所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的材料分别包括第一缓变组分；其中，在所述第一方向上，所述第一缓冲层中的所述第一缓变组分的含量逐渐增加；所述第二缓冲层中的所述第一缓变组分的含量逐渐减小；位于第N组所述缓冲叠层背离所述衬底一侧的外延层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一缓变组分的含量为0％
‑
100％。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一缓冲层与所述第二缓冲层的材料为SiGe材料。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一缓变组分为Ge组分。5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底一侧形成N组缓冲叠层，其中N≥1；N组所述缓冲叠层在第一方向上依次设置；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘靖雄，王桂磊，吴振华，孔真真，张毅文，任宇辉，
申请(专利权)人：合肥国家实验室，
类型：发明
国别省市：