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本发明提供了一种半导体器件以及制备方法，在该半导体器件中，第一缓冲层中第一缓变组分的含量在第一方向上逐渐增加从而逐渐缩小了晶格失配，同时第二缓冲层中第一缓变组分的含量在第一方向上逐渐减小从而给后续生长的外延层提供了张应力，进一步降低了缓冲叠...
该专利属于合肥国家实验室所有，仅供学习研究参考，未经过合肥国家实验室授权不得商用。

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