一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法制造方法及图纸

本申请公开了一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法。半导体加工装置包括第一、第二加工结构，所述第一加工结构包括一用于放入目标基材的负载反应室、一用于排出所述目标基材的脱料反应室、多个脱气反应室；所述第二加工结构包括多个预清洗反应室和多个沉积反应室；冷却室结构，用于提供冷却水进行冷却处理；所述第一加工结构通过第一插板阀与所述冷却室结构连接；所述第二加工结构通过第二插板阀与所述冷却室结构连接；其中，所述第一插板阀和所述第二插板阀不同时开启。本申请提高了膜层沉积的质量，提升半导体产品的生产效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法


[0001]本申请涉及显示面板的驱动
，具体涉及一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法。

技术介绍

[0002]近年来，扇出型晶片级封装(FO
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WLP)和扇出型面板级封装(FO
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PLP)以其高度的异构集成能力、小的形状因子和降低的系统总成本在IC封装
获得了广泛关注。随着TSMC的“InFO”(集成扇出)FO
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WLP解决方案的大量采用，扇出型封装已从芯体扇出应用(例如基带，电源管理和RF收发器)转变为更高级的高密度扇出型应用。
[0003]如图1所示，目前应用于扇出型晶片级封装的PVD机台采用一个大枚叶式的结构，依次设计有Degas、Pre
‑
clean、PVD chamber。其中，Degas chamber是将基材中吸附的H2O、有机溶剂祛除，放气过程中，可能会影响中间transfer chamber的真空度，进而造成PVD chamber的气流扰动，Degas chamber出的气体分子可能附着本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，包括：第一加工结构，所述第一加工结构包括一用于放入目标基材的负载反应室、一用于排出所述目标基材的脱料反应室、多个脱气反应室；第二加工结构，所述第二加工结构包括多个预清洗反应室和多个沉积反应室；冷却室结构，用于提供冷却水进行冷却处理；所述第一加工结构通过第一插板阀与所述冷却室结构连接；所述第二加工结构通过第二插板阀与所述冷却室结构连接；其中，所述第一插板阀和所述第二插板阀不同时开启。2.根据权利要求1所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述第一加工结构还包括：第一转运反应室；所述负载反应室、所述脱料反应室、多个脱气反应室环绕设于所述第一转运反应室的四周。3.根据权利要求2所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述第二加工结构还包括：第二转运反应室；所述多个预清洗反应室和多个沉积反应室环绕设于所述第二转运反应室的四周；所述多个沉积反应室之间的沉积膜层不同。4.根据权利要求3所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述第一加工结构内负载反应室、脱料反应室、脱气反应室的真空度小于所述第二加工结构内预清洗反应室和沉积反应室的真空度。5.根据权利要求1所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述第一加工结构包括多个第一备用反应室，所述第二加工结构包括多个第二备用反应室，所述第一备用反应室和所述第二备用反应室用于沉积、蚀刻、退火、预清洗、金属或金属氧化物的去除。6.根据权利要求1所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述脱气反应室多层结构以存放至少两片所述目标基材。7.根据权利要求1
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6任一项所述的双枚叶式半...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓军，龚文志，杨洪生，邵寿潜，胡小波，夏慧，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：