一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法制造方法及图纸

本申请公开了一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法。半导体加工装置包括第一、第二加工结构，所述第一加工结构包括一用于放入目标基材的负载反应室、一用于排出所述目标基材的脱料反应室、多个脱气反应室；所述第二加工结构包括多个预清洗反应室和多个沉积反应室；冷却室结构，用于提供冷却水进行冷却处理；所述第一加工结构通过第一插板阀与所述冷却室结构连接；所述第二加工结构通过第二插板阀与所述冷却室结构连接；其中，所述第一插板阀和所述第二插板阀不同时开启。本申请提高了膜层沉积的质量，提升半导体产品的生产效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法


[0001]本申请涉及显示面板的驱动
，具体涉及一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法。

技术介绍

[0002]近年来，扇出型晶片级封装(FO
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WLP)和扇出型面板级封装(FO
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PLP)以其高度的异构集成能力、小的形状因子和降低的系统总成本在IC封装
获得了广泛关注。随着TSMC的“InFO”(集成扇出)FO
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WLP解决方案的大量采用，扇出型封装已从芯体扇出应用(例如基带，电源管理和RF收发器)转变为更高级的高密度扇出型应用。
[0003]如图1所示，目前应用于扇出型晶片级封装的PVD机台采用一个大枚叶式的结构，依次设计有Degas、Pre
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clean、PVD chamber。其中，Degas chamber是将基材中吸附的H2O、有机溶剂祛除，放气过程中，可能会影响中间transfer chamber的真空度，进而造成PVD chamber的气流扰动，Degas chamber出的气体分子可能附着在chamber壁上，影响后续Pre
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clean、PVD制程。Degas chamber容易产生particle，和process chamber组合在一个真空系统内，particle超标风险高。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法，解决现有技术沉积质量低且效率不高的技术问题。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种双枚叶式半导体加工装置，包括：
[0006]第一加工结构，所述第一加工结构包括一用于放入目标基材的负载反应室、一用于排出所述目标基材的脱料反应室、多个脱气反应室；
[0007]第二加工结构，所述第二加工结构包括多个预清洗反应室和多个沉积反应室；
[0008]冷却室结构，用于提供冷却水进行冷却处理；
[0009]所述第一加工结构通过第一插板阀与所述冷却室结构连接；
[0010]所述第二加工结构通过第二插板阀与所述冷却室结构连接；
[0011]其中，所述第一插板阀和所述第二插板阀不同时开启。
[0012]可选的，所述第一加工结构还包括：第一转运反应室；
[0013]所述负载反应室、所述脱料反应室、多个脱气反应室环绕设于所述第一转运反应室的四周。
[0014]可选的，所述第二加工结构还包括：第二转运反应室；
[0015]所述多个预清洗反应室和多个沉积反应室环绕设于所述第二转运反应室的四周；所述多个沉积反应室之间的沉积膜层不同。
[0016]可选的，所述第一加工结构内负载反应室、脱料反应室、脱气反应室的真空度小于所述第二加工结构内预清洗反应室和沉积反应室的真空度。
[0017]可选的，所述第一加工结构包括多个第一备用反应室，所述第二加工结构包括多
个第二备用反应室，所述第一备用反应室和所述第二备用反应室用于沉积、蚀刻、退火、预清洗、金属或金属氧化物的去除。
[0018]可选的，所述脱气反应室多层结构以存放至少两片所述目标基材。
[0019]可选的，所述冷却室结构为多层结构以存放至少两片所述目标基材。
[0020]第二方面，本申请实施例还提供一种半导体加工方法，应用所述的双枚叶式半导体加工装置，包括步骤：
[0021]从负载反应室中获取所述目标基材；
[0022]通过脱气反应室和冷却室结构依次对所述目标基材依次进行脱气处理、冷却处理；
[0023]通过预清洗反应室和沉积反应室对所述目标基材进行预清洗处理和沉积处理；
[0024]通过所述冷却室结构和依次对所述目标基材进行冷却处理；
[0025]从脱料反应室中取出所述目标基材。
[0026]可选的，所述通过脱气反应室和冷却室结构依次对所述目标基材依次进行脱气处理、冷却处理包括步骤：
[0027]通过所述脱气反应室对所述目标基材进行脱气处理后，打开与第一转运反应室连接的第一插板阀以将所述目标基材传输至所述冷却室结构内，关闭所述第一插拔阀对所述目标基材进行冷却处理；
[0028]所述通过预清洗反应室和沉积反应室对所述目标基材进行预清洗处理和沉积处理包括步骤：
[0029]打开与第二转运反应室连接的第二插板阀以将所述目标基材传输至所述预清洗反应室内，关闭所述第二插拔阀并对所述目标基材至进行预清洗处理；
[0030]将所述目标基材传输至第一沉积反应室内以对所述目标基材进行第一次沉积处理，将所述目标基材传输至第二沉积反应室内以对所述目标基材进行第二次沉积处理以在所述目标基材上依次沉积不同膜层。
[0031]可选的，所述通过所述冷却室结构和依次对所述目标基材进行冷却处理包括步骤：
[0032]打开所述第二插板阀以将所述目标基材传输至所述冷却室结构内，关闭所述第二插拔阀对所述目标基材进行冷却处理。
[0033]本申请实施例提供了一种双枚叶式半导体加工装置和半导体加工方法，本申请通过第一加工结构中的脱气反应室对目标基材进行脱气处理，通过第二加工结构中的预清洗反应室对目标基材进行预清洗处理，以及第二加工结构中的沉积反应室对目标基材进行沉积处理，由于第一加工结构和第二加工结构相互独立，因此，能够改善脱气污染危险，降低粒子超量风险，提高基材的膜层沉积质量。此外，由于第一加工结构与第二加工结构之间通过冷却室结构连接，脱气完成后对基材进行降温再进行后续制程，避免了高温后直接预清洗对基材的影响。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于
本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是单枚叶式半导体加工装置的结构示意图；
[0036]图2是本申请实施例提供的双枚叶式半导体加工装置的结构示意图；
[0037]图3是本申请实施例提供的双枚叶式半导体加工装置进行加工从第一加工结构移动至冷却室结构后再移动至第二加工结构的第一插板阀和第二插板阀的状态示意图；
[0038]图4是本申请实施例提供的双枚叶式半导体加工装置的产品结构示意图。
具体实施方式
[0039]下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0040]在本文描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，包括：第一加工结构，所述第一加工结构包括一用于放入目标基材的负载反应室、一用于排出所述目标基材的脱料反应室、多个脱气反应室；第二加工结构，所述第二加工结构包括多个预清洗反应室和多个沉积反应室；冷却室结构，用于提供冷却水进行冷却处理；所述第一加工结构通过第一插板阀与所述冷却室结构连接；所述第二加工结构通过第二插板阀与所述冷却室结构连接；其中，所述第一插板阀和所述第二插板阀不同时开启。2.根据权利要求1所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述第一加工结构还包括：第一转运反应室；所述负载反应室、所述脱料反应室、多个脱气反应室环绕设于所述第一转运反应室的四周。3.根据权利要求2所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述第二加工结构还包括：第二转运反应室；所述多个预清洗反应室和多个沉积反应室环绕设于所述第二转运反应室的四周；所述多个沉积反应室之间的沉积膜层不同。4.根据权利要求3所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述第一加工结构内负载反应室、脱料反应室、脱气反应室的真空度小于所述第二加工结构内预清洗反应室和沉积反应室的真空度。5.根据权利要求1所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述第一加工结构包括多个第一备用反应室，所述第二加工结构包括多个第二备用反应室，所述第一备用反应室和所述第二备用反应室用于沉积、蚀刻、退火、预清洗、金属或金属氧化物的去除。6.根据权利要求1所述的双枚叶式半导体加工装置，其特征在于，所述脱气反应室多层结构以存放至少两片所述目标基材。7.根据权利要求1
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6任一项所述的双枚叶式半...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓军，龚文志，杨洪生，邵寿潜，胡小波，夏慧，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：