一种微结构气体探测器的气体电子倍增微通道板制造技术

本发明专利技术提供的一种微结构气体探测器的气体电子倍增微通道板，所述电子倍增微通道板包括：板内分布有多个阵列排布的通孔，中间设置有绝缘体，上下表面镀有金属层作为电极，所述电极深入通道内。气体电子倍增微通道板的材料本身的出气率比较低，能够提高气体探测器在空间工作的寿命。使倍增的电荷无法在铅玻璃表面累积，从而消除了电荷累积效应；使气体探测器在初加工作电压时和不同辐射环境下，增益保持稳定。稳定。稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种微结构气体探测器的气体电子倍增微通道板


[0001]本专利技术涉及微结构气体探测器领域，尤其涉及一种微结构气体探测器的气体电子倍增微通道板。

技术介绍

[0002]盖革计数器的出现开启了气体探测器的时代，经过长期的发展，先后经历了电离室、正比管以及多丝正比室，极大地推动了不同类型丝室的大规模发展，是气体探测器发展上的里程碑。
[0003]随后，为了追求更坚固、可靠的探测器，加上光刻技术和微加工技术的出现，不断地推动微型结构气体探测器(MPGD)的发展，出现了许多新型微结构气体探测器(MPGD)，如：微网结构气体探测器(MicroMegas)、气体电子倍增器(GEM)、厚型气体电子倍增器(THGEM)。
[0004]微结构气体探测器的电子倍增器中存在的绝缘介质暴露在辐射环境下往往会影响探测器的行为，大多数研究发现微结构气体探测器在加初始电压时增益往往随时间而变化。探测器在工作时，增益产生的电荷累积在电子倍增器的绝缘介质表面，从而改变原有的电场强度，引起增益的变化。因此，充电效应被普遍认为是影响增益随时间演变的主要原因。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微结构气体探测器的气体电子倍增微通道板，其特征在于，所述电子倍增微通道板包括：板内分布有多个阵列排布的通孔，中间设置有绝缘体，上下表面镀有金属层作为电极，所述电极深入通道内。2.根据权利要求1所述的一种微结构气体探测器的气体电子倍增微通道板，其特征在于，所述气体电子倍增微通道板的厚度为200～1000μm的范围。3.根据权利要求1所述的一种微结构气体探测器的气...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏邦，封焕波，刘术林，刘辉，博铁柱，蔡华，闫保军，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所中国建筑材料科学研究总院有限公司，
类型：发明
国别省市：