母电子装置及其制造方法和制造装置以及电子装置及其制造方法制造方法及图纸

提供这样一种半导体装置等的电子装置、其制造方法及其制造装置，在该半导体装置中，横跨转移模塑金属模的腔的内部和外部来配置在陶瓷基板的周围且在从表面一侧和背面一侧中选出的至少一方的面上具备一体化的金属薄膜的上述陶瓷基板，同时，在上述金属模的上金属模和下金属模相接的位置上配置上述金属薄膜，由此，即使用上下金属模夹住陶瓷基板进行加压，也可对该施加压力进行缓冲，不发生变形力，可防止陶瓷基板的裂纹或裂痕的发生。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子装置、其制造方法及其制造装置，例如涉及无引线小型面安装型的晶体管或二极管等的半导体装置的电子装置、其制造方法及其制造装置。图9A～C示出现有的无引线小型面安装型的晶体管的结构例。即，图9A是现有的无引线小型面安装型晶体管的平面图，图9B是图9A的透视侧面图，图9C是图9A的底面图。如图9A～图9B中所示，无引线小型面安装型电子装置3具有第1上部电极11，在陶瓷基板32的上表面321上具备元件放置部；以及第2上部电极12和第3上部电极13，被与该第1上部电极11分离地配置。利用金属蒸镀等在形成了晶体管14的半导体芯片的背面上例如形成了集电极，通过利用模片键合(die bonding)等将晶体管14的集电极固定在第1上部电极11上，将第1上部电极11与晶体管14的集电极导电性地连接起来。利用金属导线15连接晶体管14的例如基极与第2上部电极12。同样，利用金属导线16连接晶体管14的例如发射极与第3上部电极13。在陶瓷基板32的下表面322上形成了与第1上部电极11导电性地连接的一对下部电极21、22。通过贯通陶瓷基板32的导电中继体、即通路孔17、18，导电性地连接第1上部电极11与下部电极21、22。同样，在陶瓷基板32的下表面322上形成了分别与第2上部电极12和第3上部电极13导电性地连接的下部电极23、24，通过贯通陶瓷基板32的通路孔19和通路孔20分别将其连接起来。而且，如图9C中所示，在陶瓷基板32的下表面322的四角上配置了下部电极21、22、23和24。利用焊锡等的导电粘接材料将这些下部电极21～24安装在未图示的例如配置在印刷基板上的布线图形上。附图说明图10A～图10B示出在将图9A～C中示出的电子装置分割为单个装置前的所谓的在其中制成了多个单个的电子装置的母电子装置。即，如图10A中所示，在共同的陶瓷基板32上纵横地制成了m×n个电子装置3。在这些电子装置3中，在陶瓷基板32上已形成的布线图形(电极)上放置了晶体管、二极管、电阻器等其它电子元件，同时，将电子元件的预定的电极、例如晶体管的集电极、基极、发射极直接地或通过金属导线等连接到配置在陶瓷基板上的布线图形(电极)上。其后，如图10B中所示，通常利用浇铸方式、散布方式、真空印刷方式等将液状树脂26覆盖在陶瓷基板32的上面一侧，使其热硬化，进行树脂封装。其后，用切割锯沿切断线33(图10A)分割为单个的电子装置。但是，在现有的无引线小型面安装型的电子装置中，在利用浇铸方式、散布方式、真空印刷方式等使液状树脂形成为树脂封装体之后，一般利用硬化炉等使树脂硬化，但是，使液状树脂硬化时的玻璃转移点低至约100℃。因此，如果在230℃下进行焊锡回流，则已硬化的树脂再次软化，存在已软化的树脂容易从陶瓷基板剥离的问题。此外，在浇铸方式或散布方式中，由于只是使液状树脂滴下到或流入到陶瓷基板上，在不进行加压成形的情况下使其硬化，使其作为树脂封装体来形成，故如图9B中所示，在硬化后的树脂厚度方面不仅产生离散度d1，而且难以使树脂的密度提高，存在树脂强度弱、如果受到来自外部的应力、则容易发生树脂封装体的变形的问题。此外，即使在真空印刷方式中，由于也只是使用印刷装置在陶瓷基板上涂敷液状树脂并使其硬化，故存在硬化后的树脂厚度方面产生离散度d1约为5～15μm的问题。如上所述，在现有的成形方法中，不仅在电子装置的树脂厚度方面产生差别，表面的凹凸变大，而且还在电子装置与其它电子装置之间在树脂厚度方面产生了差别。因此，存在树脂封装成形后必须进行使用砂纸等对树脂表面进行磨削等的后加工的问题。此外，如图10B中所示，如果使用液状树脂，则陶瓷基板的周边部的树脂厚度变大，树脂厚度为均匀的部位限于基板中央附近。陶瓷基板的中央附近与周边的树脂厚度的差d2达到约0．1mm。此外，即使在形成单个的封装体用的切割工序中，由于树脂硬化后的上述电子装置表面的凹凸d1和d2，难以将该电子装置粘贴到固定于树脂面一侧用的带上，此外，还存在在切割时被切断为单个的上述电子装置脱离固定用带而容易丢失的问题。此外，由于陶瓷基板与其它树脂基板或金属的引线框相比，难以弯曲，故由于因利用上下金属模夹住陶瓷基板时的施加压力引起的变形，在陶瓷基板中容易发生裂纹或裂痕，故在现有的无引线小型面安装型晶体管中，未采用由利用迄今为止作为半导体的封装方法而已知的金属模的转移模塑方式进行的树脂封装。本专利技术的目的在于，为了解决上述现有的问题而提供这样一种电子装置、其制造方法及其制造装置，其中，即使用上下金属模夹住陶瓷基板进行加压，也可对该施加压力进行缓冲，从而不发生变形力，由此，可防止陶瓷基板的裂纹或裂痕的发生。为了达到上述目的，本专利技术的电子装置是在陶瓷基板上安装多组电子元件、利用热硬化性树脂对上述电子元件进行转移密封成形的电子装置，其特征在于在上述陶瓷基板的周围且在从上述陶瓷基板的表面一侧和背面一侧中选出的至少一方的面上具备与上述陶瓷基板一体化的金属薄膜。再有，金属薄膜可兼作上部电极。即，在金属薄膜中还包含电极的用途。此外，本专利技术的电子装置的制造方法是在陶瓷基板上安装多组电子元件、利用热硬化性树脂对上述电子元件进行转移密封成形的电子装置的制造方法，其特征在于横跨转移模塑金属模的腔的内部和外部来配置在上述陶瓷基板的周围且在从表面一侧和背面一侧中选出的至少一方的面上具备一体化的金属薄膜的上述陶瓷基板，同时，在上述金属模的上金属模和下金属模相接的位置上配置上述金属薄膜，将转移模塑用热硬化性树脂注入到上述腔的内部进行成形并进行加热硬化。此外，本专利技术的电子装置的制造装置的特征在于具备对转移模塑用热硬化性树脂进行加压的柱塞；使上述转移模塑用热硬化性树脂流动的叶轮；与上述叶轮连接的、上述转移模塑用热硬化性树脂流入的腔；以及模仿上述腔的上金属模和下金属模，横跨转移模塑金属模的腔的内部和外部来配置在上述陶瓷基板的周围且在从表面一侧和背面一侧中选出的陶瓷基板的至少一方的面上具备一体化的金属薄膜的上述陶瓷基板，同时，在上述金属模的上金属模和下金属模相接的位置上配置上述金属薄膜，将转移模塑用热硬化性树脂注入到上述腔的内部进行成形并进行加热硬化。按照本专利技术，横跨转移模塑金属模的腔的内部和外部来配置在陶瓷基板的周围且在从表面一侧和背面一侧中选出的至少一方的面上具备一体化的金属薄膜的上述陶瓷基板，同时，在上述金属模的上金属模和下金属模相接的位置上配置上述金属薄膜，由此，即使用上下金属模夹住陶瓷基板进行加压，也可对该施加压力进行缓冲，不发生变形力，可防止陶瓷基板的裂纹或裂痕的发生。图1是本专利技术的第1实施形态的电子装置的透视侧面图。图2A是表示本专利技术的第2实施形态的电子装置的图，是安装了多个电子元件的电子装置的平面图，图2B是其侧面剖面图，图2C是其底面图。图3A是制成了多个本专利技术的第1和第2实施形态的电子装置的母电子装置的平面图，图3B是其侧面图。图4表示本专利技术的第3实施形态，是表示使用了转移模塑金属模的制造方法的剖面图。图5表示本专利技术的第3实施形态的另一个实施例，是在转移模塑金属模上使用了树脂膜的概略剖面图。图6表示本专利技术的第3实施形态的又一个实施例，是在下金属模中具备滑动装置的转移模塑金属模的概略剖面图。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，该电子装置是在陶瓷基板上安装多组电子部件、利用热硬化性树脂对上述电子部件进行转移密封成形的电子装置，其特征在于： 在上述陶瓷基板的周围且在从上述陶瓷基板的表面一侧和背面一侧中选出的至少一方的面上具备与上述陶瓷基板一体化的金属薄膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小林健，荒木隆志，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]