一种车灯LED芯片的电极结构制造技术

本实用新型专利技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种车灯LED芯片的电极结构，包括MESA层、N型半导体层、量子阱、P型半导体层、第一二氧化硅层、隔离层、ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层；所述N型半导体层、量子阱和P型半导体层叠加设置；所述MESA层围绕量子阱和P型半导体层设置；所述第一二氧化硅层包覆在MESA层外。本实用新型专利技术提供的车灯LED芯片的电极结构可以完全避免芯片在长时间高温工作下脱落的情况发生，延长了它的使用寿命，消除了现有技术中存在的安全隐患。现有技术中存在的安全隐患。现有技术中存在的安全隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种车灯LED芯片的电极结构


[0001]本技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种车灯LED芯片的电极结构。

技术介绍

[0002]LED即发光二极管，LED芯片结构可参考申请号为202020881623.5、名称为一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器的中国技术专利。近十多年来，LED作为车灯照明的趋势越加显著，倒装车用LED芯片基本都有6
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10颗芯片共同封装在同一块基板上，工作电流一般在1.5A
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2A。当芯片工作时，除了发出强烈的光线外还会产生巨大的热量，此时对芯片电极的焊接力形成巨大的考验。若芯片电极的焊接力不够则在长时间高温工作下，芯片会自动脱落，可能造成安全事故。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种车灯LED芯片的电极结构，能够增大芯片焊接力，避免芯片脱落。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种车灯LED芯片的电极结构，包括MESA层、N型半导体层、量子阱、P型半导体层、第一二氧化硅层、隔离层、I本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种车灯LED芯片的电极结构，其特征在于，包括MESA层、N型半导体层、量子阱、P型半导体层、第一二氧化硅层、隔离层、ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层；所述N型半导体层、量子阱和P型半导体层叠加设置；所述MESA层围绕量子阱和P型半导体层设置；所述第一二氧化硅层包覆在MESA层外；所述隔离层包覆在N型半导体层外，ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层依次叠加设置在P型半导体层上。2.根据权利要求1所述的车灯LED芯片的电极结构，其特征在于，所述ITO电流扩展层与所述MESA层的距离为13um～15um。3.根据权利要求1所述的车灯L...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：