一种车灯LED芯片的电极结构制造技术

本实用新型专利技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种车灯LED芯片的电极结构，包括MESA层、N型半导体层、量子阱、P型半导体层、第一二氧化硅层、隔离层、ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层；所述N型半导体层、量子阱和P型半导体层叠加设置；所述MESA层围绕量子阱和P型半导体层设置；所述第一二氧化硅层包覆在MESA层外。本实用新型专利技术提供的车灯LED芯片的电极结构可以完全避免芯片在长时间高温工作下脱落的情况发生，延长了它的使用寿命，消除了现有技术中存在的安全隐患。现有技术中存在的安全隐患。现有技术中存在的安全隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种车灯LED芯片的电极结构


[0001]本技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种车灯LED芯片的电极结构。

技术介绍

[0002]LED即发光二极管，LED芯片结构可参考申请号为202020881623.5、名称为一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器的中国技术专利。近十多年来，LED作为车灯照明的趋势越加显著，倒装车用LED芯片基本都有6
‑
10颗芯片共同封装在同一块基板上，工作电流一般在1.5A
‑
2A。当芯片工作时，除了发出强烈的光线外还会产生巨大的热量，此时对芯片电极的焊接力形成巨大的考验。若芯片电极的焊接力不够则在长时间高温工作下，芯片会自动脱落，可能造成安全事故。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种车灯LED芯片的电极结构，能够增大芯片焊接力，避免芯片脱落。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种车灯LED芯片的电极结构，包括MESA层、N型半导体层、量子阱、P型半导体层、第一二氧化硅层、隔离层、ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层；
[0005]所述N型半导体层、量子阱和P型半导体层叠加设置；
[0006]所述MESA层围绕量子阱和P型半导体层设置；
[0007]所述第一二氧化硅层包覆在MESA层外；
[0008]所述隔离层包覆在N型半导体层外，ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层依次叠加设置在P型半导体层上。
[0009]进一步地，所述ITO电流扩展层与所述MESA层的距离为13um～15um。
[0010]进一步地，所述银镜反射层的边缘距离所述MESA层的距离为10um～13um。
[0011]进一步地，所述第二二氧化硅层上设有P电极开孔和N电极开孔。
[0012]进一步地，所述金锡电极层设有用于连接封装基板的焊接部。
[0013]进一步地，所述银镜覆盖层包括相互叠加的反射层和包覆层。
[0014]进一步地，所述反射层为铝层，所述包覆层为钛层和铂层。
[0015]进一步地，所述金锡电极层包括相互叠加的Cr层、AlCu层、Ti层、金锡层和黄金层。
[0016]本技术的有益效果在于：提供一种车灯LED芯片的电极结构，对LED芯片的层级结构进行了优化，提高了车灯LED芯片的电极结构的结构稳定性，经过实验测得采用优化后的芯片结构可以完全避免芯片在长时间高温工作下脱落的情况发生，延长了它的使用寿命，消除了现有技术中存在的安全隐患。
附图说明
[0017]图1所示为本技术实施例的车灯LED芯片的电极结构的结构示意图；
[0018]标号说明：
[0019]1、MESA层；
[0020]2、N型半导体层；
[0021]3、量子阱；
[0022]4、P型半导体层；
[0023]5、第一二氧化硅层；
[0024]6、隔离层；
[0025]7、ITO电流扩展层；
[0026]8、银镜反射层；
[0027]9、银镜覆盖层；
[0028]10、第二二氧化硅层；101、P电极开孔；102、N电极开孔；
[0029]11、LINE金属层；
[0030]12、第三二氧化硅层；
[0031]13、金锡电极层。
具体实施方式
[0032]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0033]本技术提供一种车灯LED芯片的电极结构，应用在芯片封装作业中。
[0034]请参照图1所示，本技术的一种车灯LED芯片的电极结构，包括MESA层、N型半导体层、量子阱、P型半导体层、第一二氧化硅层、隔离层、ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层；所述N型半导体层、量子阱和P型半导体层叠加设置；所述MESA层围绕量子阱和P型半导体层设置；所述第一二氧化硅层包覆在MESA层外；所述隔离层包覆在N型半导体层外，ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层依次叠加设置在P型半导体层上。
[0035]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：提供一种车灯LED芯片的电极结构，对LED芯片的层级结构进行了优化，提高了车灯LED芯片的电极结构的结构稳定性，经过实验测得采用优化后的芯片结构可以完全避免芯片在长时间高温工作下脱落的情况发生，延长了它的使用寿命，消除了现有技术中存在的安全隐患。
[0036]在可选实施例中，所述ITO电流扩展层与所述MESA层的距离为13um～15um。
[0037]在可选实施例中，所述银镜反射层的边缘距离所述MESA层的距离为10um～13um。
[0038]在可选实施例中，所述第二二氧化硅层上设有P电极开孔和N电极开孔。
[0039]在可选实施例中，所述金锡电极层设有用于连接封装基板的焊接部。
[0040]在可选实施例中，所述银镜覆盖层包括相互叠加的反射层和包覆层。
[0041]在可选实施例中，所述反射层为铝层，所述包覆层为钛层和铂层。
[0042]在可选实施例中，所述金锡电极层包括相互叠加的Cr层、AlCu层、Ti层、金锡层和
黄金层。
[0043]本技术的原理为：
[0044]第1步、刻蚀MESA层，即将外延P型氮化镓和量子阱去除露出N型氮化镓形成芯片正负极。
[0045]第2步、是将芯片边缘的N型氮化镓完全刻蚀干净直到蓝宝石衬底形成隔离层。
[0046]第3步、是溅射ITO电流扩展层，通过光刻使ITO边缘距离MESA 14um左右。
[0047]第4步、是制作MESA边缘的SIO2绝缘层1，MESA是正负极交界，若产生银镜离子迁移至MESA上则芯片会漏电，所以需要SIO2绝缘层将MESA包覆，SIO2绝缘层距离MESA的距离是8um，具体工艺是先用PECVD在整个Wafer上沉积SIO2绝缘层，通过光刻方式将距离MESA边缘10um的光刻胶保留，其余部分光刻胶全部显影去除，用BOE将无光刻胶部分的SIO2全部腐蚀干净则去完光刻胶后就留下MESA边缘的SIO2。
[0048]第5步、是溅射银镜反射层，银镜反射层边缘距离MESA 11um。
[0049]第6步、是蒸镀银镜保护层，银镜保护层的金属材料一般是用铬，铝，钛，铂，铬层作为银镜的粘附层结构如下图，铝作为反射层，钛和铂作为铝的包覆层，保护层金属主要是用来覆盖银镜，防止银迁移。
[0050]第7步、银金属上覆盖SIO2绝缘层2并做P电极开孔和N电极开孔，P和N电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种车灯LED芯片的电极结构，其特征在于，包括MESA层、N型半导体层、量子阱、P型半导体层、第一二氧化硅层、隔离层、ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层；所述N型半导体层、量子阱和P型半导体层叠加设置；所述MESA层围绕量子阱和P型半导体层设置；所述第一二氧化硅层包覆在MESA层外；所述隔离层包覆在N型半导体层外，ITO电流扩展层、银镜反射层、银镜覆盖层、第二二氧化硅层、LINE金属层、第三二氧化硅层和金锡电极层依次叠加设置在P型半导体层上。2.根据权利要求1所述的车灯LED芯片的电极结构，其特征在于，所述ITO电流扩展层与所述MESA层的距离为13um～15um。3.根据权利要求1所述的车灯L...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：