电涡流传感器、膜厚测量装置和化学机械抛光设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种电涡流传感器、膜厚测量装置和化学机械抛光设备，其中，电涡流传感器包括依次叠放的检测线圈、激励线圈和补偿线圈，所述激励线圈位于检测线圈和补偿线圈之间，所述检测线圈的安装位置靠近抛光盘上表面，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈的水平截面均为矩形，并且，激励线圈的水平截面面积小于检测线圈的水平截面面积，检测线圈与补偿线圈的水平截面面积相同。线圈的水平截面面积相同。线圈的水平截面面积相同。

【技术实现步骤摘要】
电涡流传感器、膜厚测量装置和化学机械抛光设备


[0001]本技术涉及化学机械抛光
，尤其涉及一种电涡流传感器、膜厚测量装置和化学机械抛光设备。

技术介绍

[0002]集成电路(Integrated Circuit，IC)是信息技术产业发展的核心和命脉。集成电路一般通过在硅晶圆上相继沉积导电层、半导体层或绝缘层而形成。从而使晶圆表面沉积有填料层形成的薄膜。制造工艺中，需要持续平坦化填料层直到露出图案化的顶表面，以在凸起图案之间形成导电路径。
[0003]化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)技术是IC制造过程中的首选平面化工艺。在化学机械抛光中，对半导体器件的制造工艺而言，过多或过少的材料去除都会导致器件电性的减退甚至失效。为了提高化学机械抛光工艺的可控度，提升产品的稳定性，降低产品的缺陷率，使每一片晶圆达到均一性的生产，化学机械抛光的终点检测技术(Endpoint Detection，EPD)应运而生。
[0004]在金属CMP终点检测中，电涡流检测是最常用的方法。现有的化学机械本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于CMP的电涡流传感器，其特征在于，包括依次叠放的检测线圈、激励线圈和补偿线圈，所述激励线圈位于检测线圈和补偿线圈之间，所述检测线圈的安装位置靠近抛光盘上表面，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈的水平截面均为矩形，并且，激励线圈的水平截面面积小于检测线圈的水平截面面积，检测线圈与补偿线圈的水平截面面积相同。2.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述激励线圈的水平截面面积为检测线圈或补偿线圈的20%~80%。3.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈和补偿线圈的异名端相连。4.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述电涡流传感器在抛光盘中的安装位置设定为使得各个线圈的长度方向平行于抛光盘的半径方向。5.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈各自在中央位置设有一形状和大小相同的矩形镂空区域，从而形成环状并具有内宽、内长和外宽、外长。6.如权利要求1所述的电涡流传感器，其特征在于，所述检测线圈、激励线圈和补偿线圈的高度均不大于1mm。7.如权利要求5所述的电涡流传感器，其特征在于，所述激励线圈的结构参数为：内宽大于等于1mm，外宽小于等于6mm，内长大于等于5mm，外长小于等于20...

【专利技术属性】
技术研发人员：王成鑫，王同庆，田芳馨，路新春，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：新型
国别省市：