端子排的寿命预测方法、装置、存储介质和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及端子排的寿命预测方法、装置、存储介质和电子设备，包括：对端子排的现场运行环境进行监测，获得现场环境监测参数；测量铜测试片的腐蚀产物膜厚度并计算现场环境下的铜测试片的腐蚀量与时间的对应关系；根据现场环境监测参数进行端子排加速试验；获取端子排电压降和铜片腐蚀量；根据端子排电压降，计算试验环境下的端子排失效时间；根据铜片腐蚀量确定试验环境下的铜片腐蚀量与时间关系；根据试验环境下的铜片腐蚀量与时间关系和端子排失效时间以及现场环境下的腐蚀量与时间的对应关系，预测端子排的寿命。本发明专利技术可以对端子排寿命进行预测，给运维人员的管理提供可靠依据，为端子排的预防性管理及维护提供参照，提高了设备的可靠性。提高了设备的可靠性。提高了设备的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
端子排的寿命预测方法、装置、存储介质和电子设备


[0001]本专利技术涉及可靠性及寿命预测的
，更具体地说，涉及一种端子排的寿命预测方法、装置、存储介质和电子设备。

技术介绍

[0002]接线端子排是控制、保护、信号传输的连接器件。在电力行业等许多领域，端子排运行数十年后频繁出现触点腐蚀、接触不良等因老化引起的信号波动、报警闪发、保护拒动或者误动等失效。端子排大多安装在机柜内部，在最初并未针对性的制定预防性管理措施，具有“设备小、数量多、覆盖面广、管理盲区”的特点，进而导致运维人员因为无法有效判断端子排的寿命带来管理困难。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的缺陷，提供一种端子排的寿命预测方法、装置、存储介质和电子设备。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种端子排的寿命预测方法，包括以下步骤：
[0005]对端子排的现场运行环境进行监测，获得现场环境监测参数；
[0006]测量在所述现场运行环境中，铜测试片的腐蚀产物膜厚度，并根据所述腐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种端子排的寿命预测方法，其特征在于，包括以下步骤：对端子排的现场运行环境进行监测，获得现场环境监测参数；测量在所述现场运行环境中，铜测试片的腐蚀产物膜厚度，并根据所述腐蚀产物膜厚度计算得到现场环境下的铜测试片的腐蚀量与时间的对应关系；根据所述现场环境监测参数进行端子排加速试验；在端子排加速试验过程中，获取端子排电压降和铜片腐蚀量；根据所述端子排电压降，计算试验环境下的端子排失效时间；根据所述铜片腐蚀量确定试验环境下的铜片腐蚀量与时间关系；根据所述试验环境下的铜片腐蚀量与时间关系、所述试验环境下的端子排失效时间和所述现场环境下的铜测试片的腐蚀量与时间的对应关系，预测所述端子排的寿命。2.根据权利要求1所述的端子排的寿命预测方法，其特征在于，所述测量在所述现场运行环境中，铜测试片的腐蚀产物膜厚度，并根据所述腐蚀产物膜厚度计算得到现场环境下的铜测试片的腐蚀量与时间的对应关系包括：采用阴极还原法测量在所述现场运行环境中铜测试片的腐蚀产物膜厚度；根据所述腐蚀产物膜厚度并按铜测试片的腐蚀规律进行拟合计算，获得所述现场环境下的铜测试片的腐蚀量与时间的对应关系。3.根据权利要求1所述的端子排的寿命预测方法，其特征在于，所述根据所述端子排电压降，计算试验环境下的端子排失效时间包括：对所述端子排电压降进行均值处理，获得电压降平均值；采用非线性回归拟合的方法进行拟合，获得所述电压降平均值与试验时间的关系；获取端子排的失效临界电压降；根据所述失效临界电压降和所述电压降平均值与试验时间的关系，计算所述试验环境下的端子排失效时间。4.根据权利要求3所述的端子排的寿命预测方法，其特征在于，所述电压降平均值与试验时间的关系满足：P=a*t
b
式中，P为端子电压降（mV)，t为时间(d）。5.根据权利要求1所述的端子排的寿命预测方法，其特征在于，所述根据所述铜片腐蚀量确定试验环境下的铜片腐蚀量与时间关系包括：根据所述铜片腐蚀量，采用非线性回归拟合的方法进行拟合获得所述试验环境下的铜片腐蚀量与时间关系...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊晓乐，涂画，王志武，
申请(专利权)人：中国广核集团有限公司中国广核电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：