一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置；所述水培方法包括：定植器内的矿物岩表面放置种子，营养池中加水培养至植株长出第二片真叶；所述矿物岩的粒径为1

【技术实现步骤摘要】
一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置


[0001]本专利技术属于现代农业水培技术和现代农业设施建造/设备制造
，尤其涉及一种具有营养液缓冲系统的水培方法及水培装置。

技术介绍

[0002]水培技术是近几十年发展来的一种植物栽培技术，它不运用土壤栽培植物而是让植物的根系生长在营养液中，提供植物整个生长周期所需的水分、养分、空气和温度。
[0003]所需满足的条件：种子槽能盛装营养液而不渗漏；能锚定植株并使根系浸润到营养液中；营养液和根系处于黑暗之中；盛装营养液的容器需要经过杀菌；使根系获得足够的氧；定期更换营养液。
[0004]水培技术类型：深液流水培技术、浅液流水培技术、浮板毛管水水培技术、营养液膜技术。
[0005]水培基础设施结构：(1)营养液槽。营养液槽是储存营养液的设备。(2)栽培床。栽培床由床体和栽培板两部分组成。(3)营养液系统。营养液系统包括加液系统、排液系统和循环系统三部分。
[0006]水培生产技术的优越性越来越受到人们的重视，水培种植蔬菜其生产周期短，产量高，操作简单，水培技术在生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有营养液缓冲系统的水培方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)定植器内的矿物岩表面放置种子，营养池中加水培养至植株长出第二片真叶；所述矿物岩的粒径为1
‑
6mm；(2)加入营养液培养至植株长出第四片真叶；(3)此后第一周加入EC＝0.4～0.6的培养液培养，第二周加入EC＝0.6～0.8的培养液培养，第三周加入EC＝1.0～1.2的培养液培养，之后加入EC＝1.4～1.6的培养液培养。2.根据权利要求1所述的具有营养液缓冲系统的水培方法，其特征在于，所述矿物岩为具有良好吸附/缓释能力的矿物岩。3.根据权利要求2所述的具有营养液缓冲系统的水培方法，其特征在于，所述矿物岩为1
‑
3mm的蒙脱石和4
‑
6mm的膨胀珍珠岩。4.根据权利要求1所述的具有营养液缓冲系统的水培方法，其特征在于，步骤(1)加水至与矿物岩表面齐平，培养过程每隔三天补一次水保持水面与矿物岩表面齐平。5.根据权利要求1所述的具有营养液缓冲系统的水培方法，其特征在于，步骤(2)加入营养液的量为：EC值为0.8的营养液v/75
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【专利技术属性】
技术研发人员：唐本忠，郭锋，陈伟才，刘勇，王志明，晏晓东，
申请(专利权)人：广东省大湾区华南理工大学聚集诱导发光高等研究院，
类型：发明
国别省市：