一种太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、第一掺杂导电层、本征多晶硅层、第二掺杂导电层和第一电极。基底具有第一表面，隧穿氧化层覆盖于第一表面，第一掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面，本征多晶硅层设置于第一掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面，第二掺杂导电层设置于第一掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面，多个第一电极设置于第二掺杂导电层远离第一掺杂导电层的一侧，其中，第二掺杂导电层与第一电极沿太阳能电池的厚度方向对齐设置，第一电极的至少部分伸入至第二掺杂导电层内，以通过第二掺杂导电层与第一掺杂导电层电连接，能够增强载流子的传输能力，提高太阳能电池的电池效率。电池的电池效率。电池的电池效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请涉及太阳能电池
，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]太阳能电池能够将太阳辐射能直接转化为电能，通常会在基底表面制备隧穿氧化层和掺杂导电层，以增强对基底的钝化效果。现有技术中，太阳能电池的电极与掺杂导电层之间的电连接不够可靠，载流子在二者之间的传输不畅，影响了太阳能电池的光电转化效率。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，能够提高太阳能电池的光电转化效率。
[0004]本申请第一方面提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：基底，所述基底具有第一表面；隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖于所述第一表面；第一掺杂导电层，所述第一掺杂导电层覆盖于所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧表面；本征多晶硅层，所述本征多晶硅层设置于所述第一掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；第二掺杂导电层，所述第二掺杂导电层设置于所述第一掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；第一电极，多个所述第一电极设置于所述第二掺杂导电层远离所述第一掺杂导电层的一侧；其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：基底（1），所述基底（1）具有第一表面（1a）；隧穿氧化层（2），所述隧穿氧化层（2）覆盖于所述第一表面（1a）；第一掺杂导电层（3），所述第一掺杂导电层（3）覆盖于所述隧穿氧化层（2）远离所述基底（1）的一侧表面；本征多晶硅层（4），所述本征多晶硅层（4）设置于所述第一掺杂导电层（3）远离所述隧穿氧化层（2）的一侧表面；第二掺杂导电层（5），所述第二掺杂导电层（5）设置于所述第一掺杂导电层（3）远离所述隧穿氧化层（2）的一侧表面；第一电极（6），多个所述第一电极（6）设置于所述第二掺杂导电层（5）远离所述第一掺杂导电层（3）的一侧；其中，所述第二掺杂导电层（5）与所述第一电极（6）沿所述太阳能电池的厚度方向对齐设置，所述第一电极（6）的至少部分伸入至所述第二掺杂导电层（5）内，以通过所述第二掺杂导电层（5）与所述第一掺杂导电层（3）电连接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层（5）的电导率大于所述第一掺杂导电层（3）的电导率。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层（5）的厚度D1满足：10nm≤D1≤100nm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层（4）覆盖于所述第一掺杂导电层（3）远离所述隧穿氧化层（2）一侧的全部表面。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层（5）形成于所述本征多晶硅层（4）内，沿所述太阳能电池的厚度方向，所述第二掺杂导电层（5）贯穿所述本征多晶硅层（4）。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层（4）包括多个覆盖部（41），所述覆盖部（41）用于覆盖所述第一掺杂导电层（3）远离所述隧穿氧化层（2）的一侧表面；多个所述覆盖部（41）分别与多个所述第一电极（6）沿所述太阳能电池的厚度方向错位设置。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层（5）位于相邻的两个所述覆盖部（41）之间，并与所述覆盖部（41）的侧面接触。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层（5）与所述第一掺杂导电层（3）具有相同导电类型的掺杂元素，且所述第二掺杂导电层（5）的掺杂浓度大于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，廖光明，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：