太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；位于半导体衬底第一表面的发射极和第一钝化层；位于半导体衬底第二表面的隧穿层；位于隧穿层表面的第一掺杂导电层和阻滞层，其中，第一掺杂导电层位于隧穿层与阻滞层之间，第一掺杂导电层和阻滞层对应于金属化区域；位于隧穿层表面的第二掺杂导电层，第二掺杂导电层覆盖非金属化区域的隧穿层和阻滞层，第二掺杂导电层的掺杂浓度大于第一掺杂导电层的掺杂浓度；位于第二掺杂导电层表面的第二钝化层；穿透第二钝化层与第二掺杂多晶硅层形成接触的第二电极及穿透第一钝化层与发射极形成接触的第一电极。化层与发射极形成接触的第一电极。化层与发射极形成接触的第一电极。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法、光伏组件


[0001]本申请涉及光伏电池
，具体地讲，涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池技术的不断发展，金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。为了提高太阳能电池的转换速率，常通过钝化接触来对太阳能电池进行钝化，以降低太阳能电池体内和表面的复合。常用的钝化接触电池有异质结（Heterojunction with Intrinsic Thin
‑
layer，HIT）电池和隧穿氧化层钝化接触（Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon）电池。然而，现有电池的钝化结构的钝化性能提升有限，使得钝化接触电池的转换效率有待提高，且不易量产。
[0003]因此，如何提升钝化接触电池的钝化性能成为光伏产业急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提出一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池能够改善金属化区域钝化性能偏低的同时，还能够保证载流子的横向运输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；位于所述半导体衬底第一表面的发射极和第一钝化层；位于所述半导体衬底第二表面的隧穿层；位于所述隧穿层表面的第一掺杂导电层和阻滞层，其中，所述第一掺杂导电层位于所述隧穿层与所述阻滞层之间，所述第一掺杂导电层和所述阻滞层对应于金属化区域；位于所述隧穿层表面的第二掺杂导电层，所述第二掺杂导电层覆盖非金属化区域的所述隧穿层和所述阻滞层，所述第二掺杂导电层的掺杂浓度大于所述第一掺杂导电层的掺杂浓度；位于所述第二掺杂导电层表面的第二钝化层；穿透所述第二钝化层与所述第二掺杂导电层形成接触的第二电极及穿透所述第一钝化层与所述发射极形成接触的第一电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层的宽度与所述阻滞层的宽度之比为1:（1~2）。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，与所述第一掺杂导电层相接触的所述隧穿层的表面面积记为S1，与所述第一掺杂导电层相接触的所述隧穿层的表面面积和与所述第二掺杂导电层相接触的隧穿层的表面面积之和记为S2，S1：S2=1：（5~50）。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层中的掺杂元素包括硼、磷、镓和砷的至少一种；和/或所述第一掺杂导电层的掺杂浓度为1E18 cm
‑3~1.5E21cm
‑3；和/或所述第一掺杂导电层的厚度为20nm~150nm。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂导电层中的掺杂元素包括硼、磷、镓和砷中的至少一种；和/或所述第二掺杂导电层的掺杂浓度为5E18 cm
‑3~2E21cm
‑3；和/或所述第二掺杂导电层的厚度为20nm~200nm。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述阻滞层的材质包括硅氧化物、硅碳化物、硅氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彼克，徐梦微，金井升，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：