一种吡啶环改性聚酰亚胺的高导热石墨膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种吡啶环改性聚酰亚胺的高导热石墨膜及其制备方法，属于石墨膜制备技术领域。所述吡啶环改性聚酰亚胺的高导热石墨膜，由二胺和二酐制得；所述二胺全部或部分或不含有吡啶结构，所述二酐全部或部分或不含有吡啶结构，且至少一种原料含有吡啶结构。本发明专利技术通过在PI主链引入适量吡啶结构形成本征型PI树脂，吡啶结构具有自催化作用，有利于形成平面化的PI骨架，进一步诱导石墨膜形成有序规整、结晶度高的层结构，提高石墨膜的导热系数；同时还能降低碳化石墨化的温度，有利于减少能耗和节约能源。耗和节约能源。耗和节约能源。

【技术实现步骤摘要】
一种吡啶环改性聚酰亚胺的高导热石墨膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及石墨膜制备
，特别涉及一种吡啶环改性聚酰亚胺的高导热石墨膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着电子设备的小型化，轻量化，高导热石墨膜材料受到广泛关注。目前商业化的石墨膜主要由膨胀石墨压延而成和高分子膜高温热解形成。相较于前者，由高分子膜高温热解形成的石墨膜具有更高的热导率、结晶性和取向性。
[0003]用于制备石墨膜的高分子主要有环氧树脂、酚醛树脂、高结晶度聚乙烯、聚丙烯酸、聚氨酯等，但这些材料普遍石墨化困难、产率低、脆性大。以具有芳杂环结构的聚酰亚胺(PI)制备的石墨化结构强度高、碳化程度高，在上世纪60年代引起广泛关注和迅速发展。
[0004]PI膜制备高性能石墨膜包括两个过程：碳化和石墨化。碳化是在减压或在氮气(N2)氛围中、800～1500℃下对PI膜进行预热处理，升温时可对PI膜施加适当压力以避免膜起皱。石墨化是在减压或惰性气体(氩气、氦气等)的保护下进行，石墨化的温度在1800～3000℃。研究表明，选择分子链呈刚性且骨架本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吡啶环改性聚酰亚胺的高导热石墨膜，其特征在于，由二胺和二酐制得；所述二胺全部或部分或不含有吡啶结构，所述二酐全部或部分或不含有吡啶结构，且至少一种原料含有吡啶结构。2.根据权利要求1所述的吡啶环改性聚酰亚胺的高导热石墨膜，其特征在于，含有吡啶结构的二胺包括：1,4
‑
二(5
‑
氨基
‑3‑
吡啶基)苯、1,4
‑
二(6
‑
氨基
‑3‑
吡啶基)苯、1,4
‑
二(6
‑
氨基
‑4‑
吡啶基)苯、1,4
‑
二(5
‑
氨基
‑2‑
吡啶基)苯、1,4
‑
二(4
‑
氨基
‑2‑
吡啶基)苯、6,6'
‑
二氨基
‑
3,3'
‑
联吡啶、5,5'
‑
二氨基
‑
2,2'
‑
联吡啶、2,5
‑
二氨基吡啶和2,6
‑
二氨基吡啶中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的吡啶环改性聚酰亚胺的高导热石墨膜，其特征在于，含有吡啶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新波，郭逸，李开明，贾翠萍，
申请(专利权)人：富优特山东新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：