一种单晶硅切割废料一体化处理设备和方法技术

本发明专利技术公开一种单晶硅切割废料一体化处理设备和方法，清洗腔体顶端密封有密封顶盖，密封顶盖上密封连接且连通加碱管道和加酸管道，加碱管道的侧壁上密封连接且连通第一冲洗管道，加酸管道的侧壁上密封连接且连通第二冲洗管道，密封顶盖顶面中心密封连接且送料管道；加碱管道和加酸管道上均各连接有一个增压泵，送料管道上连接送料泵；清洗腔体的内部设置一个搅拌叶片，搅拌叶片的中心转轴两端通过密封轴承与清洗腔体的侧壁转动连接；可在一个设备内完成酸洗、碱洗以及冲洗，减少设备的投入，提高清洗效果和回收效率。提高清洗效果和回收效率。提高清洗效果和回收效率。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅切割废料一体化处理设备和方法


[0001]本专利技术涉及废物回收装置
，更具体地说，涉及一种固体硅废物回收用清洗装置。

技术介绍

[0002]硅材料线切割废砂浆(简称硅切割废砂浆)是在单晶硅晶片材的加工过程中对高纯度的单晶硅和多晶硅胚料进行线切割过程中产生的一种废料，主要来自于集成电路基板和太阳能电池基板的多线切割和打磨抛光过程中。目前，回收废料的方法一般是先采用过滤或离心分离将料浆进行固液分离，然后将得到的液体进行脱水或蒸馏，即可得到固体单晶硅。
[0003]中国专利公开号为CN205973819U3的文献公开了一种用于回收利用硅片切割废砂浆中固体硅渣的装置，该装置的应用提高了回收效率，同时避免了大量硅粉的浪费，其在回收过程中需要将单晶硅废料依次经过碱洗腔、酸洗腔进行清洗，有时还需要经过清水再进行冲洗，然后再进行下一步回收操作，但在这个过程中需要经过三个不同的设备，固体硅废料需要不断的被传输，这样不仅整个回收成本较高，而且固体硅废料不断进行传输浪费时间，降低回收效率。

技术实现思路

[0004]1．技术问题针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种单晶硅切割废料一体化处理设备及其处理方法，它可以在一个设备内实现废料的酸洗、碱洗以及冲洗，减少设备的投入，降低回收成本，同时废料不需要不断的进行传输，提高了回收效率。
[0005]2．技术方案为解决上述问题，本专利技术一种单晶硅切割废料一体化处理设备采用如下的技术方案：包括一个清洗腔体，清洗腔体顶端密封有密封顶盖，密封顶盖上密封连接且连通加碱管道和加酸管道，加碱管道的侧壁上密封连接且连通第一冲洗管道，加酸管道的侧壁上密封连接且连通第二冲洗管道，密封顶盖顶面中心密封连接且送料管道；加碱管道和加酸管道上均各连接有一个增压泵，送料管道上连接送料泵；清洗腔体的内部设置一个搅拌叶片，搅拌叶片的中心转轴两端通过密封轴承与清洗腔体的侧壁转动连接；清洗腔体底端一侧设置有出料管口，另一侧设置有排液管口。
[0006]本专利技术一种单晶硅切割废料一体化处理设备的处理方法采用如下的技术方案：依次是：送料泵工作，将单晶硅切割废料经送料管道送入到清洗腔体内部，推动搅拌叶片转动，废料添加完毕后送料泵停止工作；加碱管道上的增压泵工作，碱液通过加碱管道送入到清洗腔体1内部，冲击搅拌叶片转动，充分反应后关闭增压泵，打开排液管口排出碱液；打开第一冲洗管道，向清洗腔体内部输入纯净水，搅拌叶片转动，冲洗结束后关闭第一冲洗管道；加酸管道上的增压泵工作，向清洗腔体内部送入酸液，搅拌叶片转动，充分反应关闭加
酸管道上的增压泵，打开排液管口排出酸液；打开第二冲洗管道，向清洗腔体内部输入纯净水冲洗，冲洗结束后关闭第二冲洗管道；打开出料管口10，清洗后的废料从出料管口10排出。
[0007]3．有益效果相比于现有技术，本专利技术的优点在于：（1）本专利技术设置有清洗腔体、加碱管道、加酸管道和送料管道，三者相配合，可在一个设备内完成酸洗、碱洗以及冲洗，减少设备的投入，降低回收成本，同时固体废料不需要不断进行传输，提高回收效率。
[0008]（2）本专利技术设置有搅拌机构，可利用增压之后的液体冲击力，带动搅拌叶片进行自搅拌，进而使得废料可充分的与输入液体进行接触，提高清洗效果，进而提高回收效率，同时可起到节能的效果，更加绿色环保。
附图说明
[0009]图1为本专利技术一种单晶硅切割废料一体化处理设备的轴侧图；图2为图1的后视轴侧图；图3为图1的爆炸图；图4为图1的主视结构剖视图。
[0010]图中标号说明：1、清洗腔体；2、密封顶盖；3、加碱管道；4、加酸管道；5、送料管道；6、第一冲洗端口；7、第二冲洗端口；8、增压泵；9、送料泵；10、出料管口；11、排液管口；12、转动支座；13、中心转轴；14、搅拌叶片；15、密封轴承；16、粉末固体过滤器。
具体实施方式
[0011]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护范围。
[0012]参见图1
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4，本专利技术一种单晶硅切割废料一体化处理设备，包括一个清洗腔体1，清洗腔体1顶端密封安装有密封顶盖2，在密封顶盖2的一端密封连接且连通加碱管道3，另一端密封且连通加酸管道4。加碱管道3的侧壁上密封连接且连通第一冲洗管道6，第一冲洗管道6和加碱管道3相互垂直，两者的中心轴在同一水平高度。加酸管道4的侧壁上密封连接且连通第二冲洗管道7，加酸管道4和第二冲洗管道7相互垂直，两者的中心轴在同一水平高度。加碱管道3和加酸管道4的中心轴共线，加碱管道3和加酸管道4相对于清洗腔体1的中心对称布置。
[0013]密封顶盖2顶面中心密封连接且送料管道5，送料管道5的中心轴与加碱管道3、加酸管道4的中心轴相垂直，三者的中心轴在同一水平高度。
[0014]清洗腔体1的垂直截面呈U形，在清洗腔体1的内部设置一个搅拌叶片14，搅拌叶片14水平布置，其中心转轴13与送料管道5相平行，位于送料管道5的下方。中心转轴13的两端通过密封轴承15与清洗腔体1的侧壁转动连接，中心转轴13带动搅拌叶片14旋转。
[0015]搅拌叶片14有若干个，沿中心转轴13外侧表面的圆周均匀阵列安装，利用液体冲击力来推动搅拌叶片14进行转动，进而对液体和固体废料进行混合搅拌，提高反应效率。
[0016]清洗腔体1的两个侧壁上各设置一个转动支座12，每个转动支座12内部连接密封轴承15，转动支座12用于安装和支撑密封轴承15。
[0017]中心转轴13在清洗腔体1的底端半圆形的中心处，清洗腔体1底端一侧设置有出料管口10，另一侧设置有排液管口11。
[0018]加碱管道3和加酸管道4均各连接有一个增压泵8，加碱管道3上的增压泵8的输入端连接碱液供给设备，加酸管道4上的增压泵8的输入端连接酸液供给设备，可方便对酸液和碱液进行增压传输，从而对搅拌叶片14提供其转动的冲击力。
[0019]送料管道5上连接单晶硅切割废料输入的送料泵9，可不断的进行废料原料的供给。
[0020]第一冲洗管道6和第二冲洗管道7共同连接用于供给纯净水的供水设备，可方便在酸洗或者碱洗结束之后对废料进行冲洗。
[0021]清洗腔体1的底端设置呈半圆形状结构，半圆形状与搅拌叶片14的形状相适配，且为间隙配合，使得混合流动更加顺畅，同时排出也更加方便，方便搅拌叶片14将固体硅废料充分地搅拌，提高酸碱反应效率。
[0022]在排液管口11内部可拆卸式安装有用于过滤废物原料的粉末固体过滤器16，可避免在排放酸液或者碱液时将固体硅废料排出。
[0023]送料泵9工作，将处理过之后的单晶硅切割废料经过送料管道5送入到清洗腔体1内部，通过废料自身的重力推动中心转轴13和搅拌叶片14进行转动，进而将固本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅切割废料一体化处理设备，其特征是：包括一个清洗腔体（1），清洗腔体（1）顶端密封有密封顶盖（2），密封顶盖（2）上密封连接且连通加碱管道（3）和加酸管道（4），加碱管道（3）的侧壁上密封连接且连通第一冲洗管道（6），加酸管道（4）的侧壁上密封连接且连通第二冲洗管道（7），密封顶盖（2）顶面中心密封连接且送料管道（5）；加碱管道（3）和加酸管道（4）上均各连接有一个增压泵（8），送料管道（5）上连接送料泵（9）；清洗腔体（1）的内部设置一个搅拌叶片（14），搅拌叶片（14）的中心转轴（13）两端通过密封轴承（15）与清洗腔体（1）的侧壁转动连接；清洗腔体（1）底端一侧设置有出料管口（10），另一侧设置有排液管口（11）。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅切割废料一体化处理设备，其特征是：清洗腔体（1）的垂直截面呈U形，搅拌叶片（14）的中心转轴（13）在清洗腔体（10的底端半圆形的中心处。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅切割废料一体化处理设备，其特征是：加碱管道（3）和加酸管道（4）的中心轴共线，且相对于清洗腔体（1）的中心对称布置，第一冲洗管道（6）和加碱管道（3）相互垂直，加酸管道（4）和第二冲洗管道（7）相互垂直，送料管道（5）的中心轴与加碱管道（3）和加酸管道（4）的中心轴相垂直。4.根据权利要求3所述的一种单晶硅切割废料一体...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴纪清，
申请(专利权)人：江苏美科太阳能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：