半导体工程废气处理装置制造方法及图纸

提供一种对从半导体工程产生并向真空泵移动的废气进行处理的半导体工程废气处理装置。半导体工程废气处理装置包括：等离子体生成部，其生成等离子体；反应腔室，其通过所述等离子体分解全氟化合物生成分解气体；以及气体供应部，其将来自所述反应腔室的分解气体供应到来自所述半导体工程的废气流入并将经过处理的废气排出到所述真空泵的处理腔室，所述分解气体在所述处理腔室内与所述废气反应抑制通过所述废气的成分生成固相(solid state)的盐。盐。盐。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体工程废气处理装置


[0001]本专利技术涉及半导体工程废气处理装置，更具体来讲涉及一种抑制通过真空泵排出之前产生固相的盐的半导体工程废气处理装置。

技术介绍

[0002]随着半导体、LCD等产业的大型化和生产增加，用于这些工程的气体也在增加。半导体制造工程具有诸多步骤，其中使用的气体种类如诸多步骤的工程一样多种多样。
[0003]例如，在半导体元件制造工程中，对供应到处理腔室的晶圆反复进行光刻、蚀刻、扩散及金属沉积等工程。这种半导体制造工程的执行过程中使用多种工程气体，工程完成后废气通过真空泵从工程腔室排出，废气可能含有有毒成分，因此通过洗涤器之类的废气处理装置进行净化。
[0004]然而，根据温度和压力条件从这种半导体工程的废气产生粉末而成为问题。例如，在利用化学气相沉积法(CVD)使氯化钛(TiCl4)气体和氨(NH3)气反应在晶圆沉积氮化钛(TiN)的TiN工程的情况下，在TiN工程中未沉积于晶圆而是排出的剩余TiN粉末及氯化铵(NH4Cl)粉末沉着于排气管、真空泵而成为问题。
[0005]图1是说明在半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体工程废气处理装置，是对从半导体工程产生并向真空泵移动的废气进行处理的半导体工程废气处理装置，其特征在于，包括：等离子体生成部，其生成等离子体；反应腔室，其通过所述等离子体分解全氟化合物生成分解气体；以及气体供应部，其将来自所述反应腔室的分解气体供应到来自所述半导体工程的废气流入并将经过处理的废气排出到所述真空泵的处理腔室，其中，所述分解气体在所述处理腔室内与所述废气反应抑制通过所述废气的成分生成固相(solid state)的盐。2.根据权利要求1所述的半导体工程废气处理装置，其特征在于：所述等离子体生成部通过电弧等离子体生成N2等离子体，供应到所述反应腔室的作为所述全氟化合物的NF3被所述N2等离子体分解生成包括N2、NF3或F
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的所述分解气体，供应到所述处理腔室的所述分解气体与所述废气的NH3或生成的NH4Cl反应生成气相的NH4F以抑制生成固相的NH4Cl。3.根据权利要求2所述的半导体工程废气处理装置，其特征在于，所述气体供应部包括：连接管，其用于来自所述反应腔室的分解气体移动；以及气体喷射部，其设于所述连接管和所述处理腔室之间，将所述分解气体喷射到所述处理腔室。4.根据权利要求3所述的半导体工程废气处理装置，其特征在于，所述气体喷射部包括：外管部，其一端与所述连接管结合；以及压差定心部，其通到所述外管...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹钟珌，
申请(专利权)人：等离子科学系统株式会社，
类型：发明
国别省市：