用于集成电路的自适应多层配电电网制造技术

本公开的实施例涉及用于集成电路的自适应多层配电电网。用于包括多个图块的硬宏的布局和布线阶段被修改，使得该图块中的一些图块被分配更强健的电网层，并且使得该图块中的其他图块被分配不太强健的电网层。他图块被分配不太强健的电网层。他图块被分配不太强健的电网层。

【技术实现步骤摘要】
用于集成电路的自适应多层配电电网
[0001]分案申请说明
[0002]本申请是申请日为2017年10月26日、申请号为201780071153.7、名称为“用于集成电路的自适应多层配电电网”的中国专利申请的分案申请


[0003]本申请涉及用于集成电路的电力分配，并且更具体地涉及集成电路自适应多层配电电网。

技术介绍

[0004]配电是集成电路设计中的关键因素。例如，诸如片上系统(SoC)的微处理器集成电路包含许多晶体管，这些晶体管可以从处于空闲转变为主动地开关。如此多的晶体管突然转变为激活状态导致晶体管的电源电压波动。如果由于这种波动而导致电源压降至最小要求值以下，则系统可能重置或出现错误。提供电源电压的电网的电阻是与响应于电路模块的突然激活而使压降最小化相关的重要因子。例如，取决于电力需求，与其他模块相比，可以增加电路模块中从电力轨到各种晶体管的通孔的数目(通孔密度)。另外，可以增加电力轨的宽度和密度。类似地，将一个电源域的轨耦合到主电力轨的磁头开关(head switch)的数目可以取决于给定电路模块的电力需求而变化。最后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在半导体管芯上具有覆盖区的硬宏，所述硬宏包括：用于所述覆盖区的第一部分的第一电网层，所述第一电网层包括第一多个电力轨和接地轨；和用于所述覆盖区的第二部分的第二电网层，所述第二电网层包括第二多个电力轨和接地轨，其中所述第一电网层包括根据第一密度布置的第一多个去耦电容器，并且所述第二电网层包括根据第二密度排列的第二多个去耦电容器，其中所述第二密度大于所述第一密度。2.根据权利要求1所述的硬宏，其中所述第一多个电力轨和接地轨各自具有第一宽度，并且所述第二多个电力轨和接地轨各自具有大于所述第一宽度的第二宽度。3.根据权利要求1所述的硬宏，其中所述第一电网层包括第一数目的去耦电容器，并且所述第二电网层包括第二数目的去耦电容器，并且其中所述第二数目大于所述第一数目。4.根据权利要求1所述的硬宏，其中所述第一电网层包括第一数目的电力开关，并且所述第二电网层包括第二数目的电力开关，并且其中所述第二数目的电力开关的密度大于所述第一数目的电力开关的密度。5.根据权利要求4所述的硬宏，其中所述第二数目大于所述第一数目。6.根据权利要求1所述的硬宏，其中所述覆盖区的所述第一部分包括多个第一图块，并且所述覆盖区的所述第二部分包括第二多个图块...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：