【技术实现步骤摘要】
有机电致发光材料和装置
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请根据35U.S.C.
§
119(e)要求2022年8月19日提交的美国临时申请第63/399,248号、2022年7月26日提交的美国临时申请第63/392,385号、2022年7月21日提交的美国临时申请第63/391,173号、2022年5月27日提交的美国临时申请第63/346,370号、2021年10月12日提交的美国临时申请第63/254,822号的优先权,其全部内容全部以引入的方式并入本文中。本申请也是2022年5月13日提交的美国专利申请第17/743,561号的部分接续申请,其根据35U.S.C.
§
119(e)要求2021年12月30日提交的美国临时申请第63/295,235号的优先权。本申请也是2022年5月17日提交的美国专利申请第17/745,939号的部分接续申请。
[0003]本公开大体上涉及有机金属化合物和调配物和其各种用途,包括在如有机发光二极管和相关电子装置的装置中作为发射体。 />
技术介绍
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化合物,其具有式M(L
A
)
p
(L
B
)
q
(L
C
)
r
,其中:L
A
具有式I结构:L
B
是双齿配体;L
C
具有式II结构:p为1、2或3;q为0、1或2;r为0、1或2;并且p+q+r为配位到金属M的双齿配体的允许数目;当p、q或r中的一个大于1时,相应L
A
、L
B
或L
C
可以相同或不同;部分A和部分B中的每一个独立地表示单环5元或6元碳环或杂环或包含5元和/或6元碳环或杂环的多环稠环结构;K3和K4各自独立地是直接键、O或S;每个R
A
和R
B
独立地表示单取代、至多最大允许数目的取代或无取代;Z1和Z2中的每一个独立地是C或N;R
A
、R
B
、R
C1
、R
C2
或R
C3
中的至少一个包含以下式III结构:其中L是二价有机连接基团;Z是Si或Ge;R
A
、R
B
、R
C1
、R
C2
和R
C3
中的每一个独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基:氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、硒烷基、锗烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合;R1、R2和R3中的每一个独立地是选自由以下组成的群组的取代基:氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、锗烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合;L
A
可以接合到L
B
和L
C
中的一个或两个以形成四齿或六齿配体;并且R1、R2、R3、R
A
、R
B
、R
C1
、R
C2
和R
C3
中的任何两个可以接合或稠合以形成环,其条件是如果Z是Si,且L是连接到含有N的6元芳香族环的芳基或杂芳基连接基团,那么L经部分或完全氘化或经部分或完全氟化;并且如果Z是Si且L是直链烷基连接基团,且如果环A和环B中的一个
是苯且另一个是吡啶,那么L连接到吡啶环。2.根据权利要求1所述的化合物,其中R
A
、R
B
、R
C1
、R
C2
和R
C3
中的每一个独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基:氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合;和/或R1、R2和R3中的每一个独立地是选自由以下组成的群组的取代基:氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合;和/或L选自由以下组成的群组:烷基、经部分或完全氟化的烷基、经部分或完全氘化的烷基、环烷基、经部分或完全氟化的环烷基、经部分或完全氘化的环烷基、芳基、经部分或完全氟化的芳基、经部分或完全氘化的芳基、杂芳基、经部分或完全氟化的杂芳基、经部分或完全氘化的杂芳基和其组合,其中L可以进一步经取代;和/或Z1和Z2中的一个是C,并且Z1和Z2中的另一个是N。3.根据权利要求1所述的化合物,其中式III具有式IIIA结构:其中n是1或2;其中每个R4和R5独立地选自由以下组成的群组:H、D、F、烷基、杂烷基、环烷基、杂环烷基、芳基和杂芳基;并且其中R4和R5中的至少一个不是H。4.根据权利要求1所述的化合物,其中所述化合物包含至少两个或三个式III或IIIA结构。5.根据权利要求1所述的化合物,其中所述化合物具有选自由以下组成的群组的式:Ir(L
A
)3、Ir(L
A
)2(L
B
)和Ir(L
A
)(L
B
)2、Ir(L
A
)(L
C
)2、Ir(L
A
)2(L
C
)和Ir(L
A
)(L
B
)(L
C
),并且其中对于每个式,仅L
A
或至少L
A
包含式III或式IIIA结构;或其中所述化合物具有选自由以下组成的群组的式:Ir(L
A
)3、Ir(L
A
)2(L
B
)和Ir(L
A
)(L
B
)2和Ir(L
A
)(L
B
)(L
C
),并且其中对于每个式,配体L
A
包含式III或式IIIA结构,并且L
B
在存在时还包含式III或式IIIA结构;或其中所述化合物具有选自由以下组成的群组的式:Ir(L
A
)(L
C
)2、Ir(L
A
)2(L
C
)和Ir(L
A
)(L
B
)(L
C
),并且其中对于每个式,配体L
A
包含式III或式IIIA结构,并且L
C
在存在时还包含至少一个式III或式IIIA结构;或其中所述化合物具有选自由以下组成的群组的式:Ir(L
A
)(L
C
)2、Ir(L
A
)2(L
C
)和Ir(L
A
)(L
B
)(L
C
),并且其中对于每个式,仅L
C
包含式III或式IIIA结构中的一或多个;或其中所述化合物具有式Pt(L
A
)(L
B
);并且其中L
A
和L
B
可以相同或不同,且L
A
或L
B
中的至少一个包含式III或式IIIA结构。6.根据权利要求1所述的化合物,其中所述配体L
A
选自由以下组成的群组:
其中:X
A
是C或N;并且Z
A
是O、S、NR或Se;R
A1
、R
A2
和R
A3
表示单取代到最大可能的取代或无取代;每个R、R
A1
、R
A2
和R
A3
独立地是氢或选自由本文所定义的一般取代基组成的群组的取代基,并且除其中仅L
C
包含式III或式IIIA结构的式Ir(L
A
)(L
C
)2、Ir(L
A
)2(L
C
)或Ir(L
A
)(L
B
)(L
C
)的化合物以外,R
A1
、R
A2
和R
A3
中的至少一个包含式III或式IIIA结构。7.根据权利要求1所述的化合物,其中所述配体L
A
选自由以下组成的群组:
其中:R
A1
、R
A2
和R
A3
表示单取代到最大可能的取代或无取代;R
A1
、R
A2
、R
A3
和R
A4
中的每一个独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基:氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、硒烷基、锗烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合,除其中仅L
C
包含式III或式IIIA结构的式Ir(L
A
)(L
C
)2、Ir(L
A
)2(L
C
)或Ir(L
A
)(L
B
)(L
C
)的化合物以外,R
A1
、R
A2
和R
A3
中的至少一个包含式III或式IIIA结构。8.根据权利要求1所述的化合物,其中所述配体L
A
选自由以下组成的群组:
或所述配体L
A
不包含式III或式IIIA结构并且选自由以下组成的群组:
9.根据权利要求1所述的化合物,其中L
B
包含式III或式IIIA结构;和/或其中L
B
选自由以下组成的群组:
或其中至少一个L
B
存在并且选自由以下组成的群组:
10.根据权利要求1所述的化合物,其中任何L
B
独立地选自由以下组成的群组:
其中T选自由以下组成的群组:B、Al、Ga和In;其中K
1'
是直接键或选自由以下组成的群组:NR
e
、PR
e
、O、S和Se;其中每个Y1到Y
13
...
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