一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器，探测器由半导体基体单元阵列拼接而成，所述半导体基体单元的外形是四棱柱形，半导体基体单元包括半导体探测器单元基体，半导体探测器单元基体侧面和底部填充壳型阴极电极，壳型阴极电极的顶部附有第二铝电极接触层，半导体探测器单元基体顶部嵌入中心可变柱型阳极电极，中心可变柱型阳极电极上设有第一铝电极接触层，第一铝电极接触层和第二铝电极接触层之间填充有二氧化硅绝缘层。所述探测器的分辨率和灵敏度提高，制备过程中工艺流程简单，制成时间更短，性价比更高。性价比更高。性价比更高。

【技术实现步骤摘要】
一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器


[0001]本技术属于光电探测器
，涉及一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器。

技术介绍

[0002]随着半导体探测器技术的飞速发展，硅探测器种类丰富，包括硅微条探测器、硅像素探测器、硅漂移探测器等，硅探测器一经专利技术使用，便因其性能优势迅速取代气体探测器和闪烁体探测器，占据了探测器应用领域的半壁江山。例如，硅微条探测器被广泛用作世界主要高能物理实验中的核心探测器；硅像素探测器以其高位置和能量分辨率的特点，在医学成像领域也有不俗的表现；硅漂移探测器为低能量射线的航空航天探测做出了巨大的贡献。
[0003]1997年，S.Parker等人设计开发了一种完全不同于平面探测器的结构，称之为三维柱状电极硅探测器。2005年，美国Brookhaven实验室在三维柱状电极探测器的基础上提出了一种新型的三维电极探测器～三维沟槽电极硅探测器。这种沟槽状电极的探测器单元内电场分布更加均匀，形成阵列时各单元的独立性更强。沟槽的概念最早由C.Kenney 提出的，其电极被镶嵌在硅体中，对设计和工艺制作技术方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器，其特征在于，探测器由半导体基体单元阵列拼接而成，所述半导体基体单元的外形是四棱柱形，半导体基体单元包括半导体探测器单元基体(4)，半导体探测器单元基体(4)侧面和底部填充壳型阴极电极(3)，壳型阴极电极(3)的顶部附有第二铝电极接触层(2)，半导体探测器单元基体(4)顶部嵌入中心可变柱型阳极电极(5)，中心可变柱型阳极电极(5)上设有第一铝电极接触层(6)，第一铝电极接触层(6)和第二铝电极接触层(2)之间填充有二氧化硅绝缘层(1)。2.根据权利要求1所述的一种可变柱型阳极壳型阴极方形三维探测器，其特征在于，所述四棱柱形的半导体基...

【专利技术属性】
技术研发人员：路顺茂，赵珍阳，
申请(专利权)人：山东光探芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：