实时自检测方法、系统、芯片、电子设备及可读存储介质技术方案

本发明专利技术提供了一种静态随机存取存储器的实时自检测方法、系统、芯片及电子设备。其中实时自检测方法具体包括：在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下，将标准数据写待测存储地址中，而后从待测存储地址中进行数据读取，将读取数据与标准数据进行比较：在读取数据与标准数据不一致的情况下，判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。通过本申请提出的技术方案，能够实现对于芯片中静态随机存取存储器的全自动实时坏点自检测，并当存在坏点时及时启用备用地址进行校正，可以有效提升静态随机存取存储器的坏点检测效率以及校正效率，进而提升芯片的良品检测效率和工作可靠性，具有可推广价值。推广价值。推广价值。

【技术实现步骤摘要】
实时自检测方法、系统、芯片、电子设备及可读存储介质


[0001]本专利技术涉及芯片检测
，具体地，公开了一种静态随机存取存储器的实时自检测方法、系统、芯片、电子设备及可读存储介质。

技术介绍

[0002]芯片设计中常常需要使用到静态随机存取存储器(SRAM)。静态随机存取存储器是随机存取存储器的一种，只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。由于静态随机存取存储器不可以进行DFT(Design For Test)测试，其中DFT测试指在芯片原始设计中阶段即插入各种用于提高芯片可测试性(包括可控制性和可观测性)的硬件逻辑，通过这部分逻辑，生成测试向量，以达到测试大规模芯片的目的。现有技术中，对于静态随机存取存储器的错误检测常采用人工与软件相结合的方式进行联合检测校正，对于静态随机存取存储器的坏点检测和校正的自动化程度有待提升。
[0003]同时，现有技术中，通常只在芯片出厂时对静态随机存取存储器进行一次错误检测，导致无法在芯片使用过程中对于静态随机存取存储器进行实时的坏点错误检测，导致装载有静态随机存取存储器的芯片的工作可靠性存在问题。

技术实现思路

[0004]根据现有技术中面临的静态随机存取存储器的检测和校正效率低、无法实现全生命流程实时检测的问题，本专利技术提供一种静态随机存取存储器的实时自检测方法、系统、芯片、电子设备及可读存储介质。
[0005]在本申请的第一方面提供了一种静态随机存取存储器的实时自检测方法，具体包括：
[0006]在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下，将标准数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中；
[0007]从待测存储地址中进行数据读取，并将读取数据与标准数据进行比较：
[0008]在读取数据与标准数据不一致的情况下，判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。
[0009]在上述第一方面的一种可能的实现中，静态随机存取存储器包括多个备用存储地址；
[0010]在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下，采用备用存储地址对待测存储地址进行替代。
[0011]在上述第一方面的一种可能的实现中，在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下，对待测存储地址进行记录并更新静态随机存取存储器的坏点地址数量；
[0012]在静态随机存取存储器的坏点地址数量大于预设阈值的情况下，生成相应的告警信息。
[0013]在上述第一方面的一种可能的实现中，预设阈值小于等于静态随机存取存储器中
的备用存储地址的数量。
[0014]在上述第一方面的一种可能的实现中，静态随机存取存储器包括存储地址列表，存储地址列表中依次序排布有多个存储地址；
[0015]在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下，于存储地址列表中依次序循环提取每个存储地址作为待测存储地址进行持续的坏点自检测。
[0016]在上述第一方面的一种可能的实现中，在静态随机存取存储器处于非空闲状态的情况下，停止执行实时自检测方法中的全部步骤，并记录当前的待测存储地址于存储地址列表中的位置信息；
[0017]在静态随机存取存储器再次处于空闲状态的情况下，根据位置信息提取对应的存储地址作为当前的待测存储地址。
[0018]在上述第一方面的一种可能的实现中，标准数据包括一次写入数据和二次写入数据，一次写入数据与二次写入数据不同；
[0019]实时自检测方法包括：
[0020]在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下，将一次写入数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中；
[0021]从待测存储地址中进行一次数据读取，并将一次读取数据与一次写入数据进行比较，以进行一次坏点判断；
[0022]在一次坏点判断的结果为不存在坏点的情况下，将二次写入数据写入静态随机存取存储器的待测存储地址中；
[0023]从待测存储地址中进行二次数据读取，并将二次读取数据与二次写入数据进行比较，以进行二次坏点判断；
[0024]在二次坏点判断的结果为不存在坏点的情况下，判断待测存储地址对应的存储单元不存在坏点。
[0025]在上述第一方面的一种可能的实现中，根据一次坏点判断及二次坏点判断的结果得到待测存储地址对应的存储单元的实际坏点检测结果，当二者中至少一者判断的结果为存在坏点时，判断待检测存储地址对应的存储单元的实际坏点检测结果为存在坏点。
[0026]本申请的第二方面提供了一种静态随机存取存储器的实时自检测系统，应用于上述第一方面所提供的实时自检测方法中，该实时自检测系统包括静态随机存取存储器、控制器和自检测器；
[0027]控制器通过总线与静态随机存取存储器连接，用于实现对静态随机存取存储器的读写控制；
[0028]自检测器分别与控制器和静态随机存取存储器连接，自检测器包括：
[0029]监测单元，用于对静态随机存取存储器的工作状态进行持续监测，工作状态包括空闲状态和非空闲状态；
[0030]通知单元，连接监测单元，用于在静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下，将待测存储地址及标准数据发送给控制器；
[0031]控制器根据接收到的待测存储地址和标准数据，将标准数据写入待测存储地址中，并从待测存储地址中进行数据读取；
[0032]检测单元，用于判断从待测存储地址读取的读取数据与标准数据是否一致：在读
取数据与标准数据一致的情况下，判断待测存储地址对应的存储单元不存在坏点；在读取数据与标准数据不一致的情况下，判断待测存储地址对应的存储单元存在坏点。
[0033]在上述第二方面的一种可能的实现中，自检测器还包括下列单元中的至少一种：
[0034]计数单元，用于在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下，将待测存储地址作为坏点地址并记录坏点地址的数量；
[0035]报警单元，用于在坏点地址的数量大于预设阈值的情况下，生成相应的告警信息。
[0036]在上述第二方面的一种可能的实现中，检测单元在待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下，将待测存储地址作为坏点地址并发送给控制器；
[0037]控制器包括：
[0038]记录单元，用于记录坏点地址。
[0039]本申请的第三方面提供了一种芯片，该种芯片通过本申请第二方面提供的实时自检测系统搭建了至少一个静态随机存取存储器。
[0040]本申请的第三方面提供了一种电子设备，包括：
[0041]存储器，存储器用于存储处理程序；
[0042]处理器，处理器执行处理程序时实现前述第一方面所提供的实时自检测方法。
[0043]本申请的第四方面提供了一种可读存储介质，该种可读存储介质上存储有处理程序，处理程序被处理器执行时实现前述第一方面所提供的实时自检测方法。
[0044]与现有技术相比，本申请具有如下的有益效果：
[0045]通过本申请提出的技术方案，能够实现对于芯片中静态随机存取存储器的全自动实时坏点自检测：在静态随本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器的实时自检测方法，其特征在于，所述实时自检测方法包括：在所述静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下，将标准数据写入所述静态随机存取存储器的待测存储地址中；从所述待测存储地址中进行数据读取，并将读取数据与所述标准数据进行比较：在所述读取数据与所述标准数据不一致的情况下，判断所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点。2.如权利要求1所述的实时自检测方法，其特征在于，所述静态随机存取存储器包括多个备用存储地址；在所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下，采用所述备用存储地址对所述待测存储地址进行替代。3.如权利要求1所述的实时自检测方法，其特征在于，在所述待测存储地址对应的存储单元存在坏点的情况下，对所述待测存储地址进行记录并更新所述静态随机存取存储器的坏点地址数量；在所述静态随机存取存储器的坏点地址数量大于预设阈值的情况下，生成相应的告警信息。4.如权利要求3所述的实时自检测方法，其特征在于，所述预设阈值小于等于所述静态随机存取存储器中的备用存储地址的数量。5.如权利要求1所述的实时自检测方法，其特征在于，所述静态随机存取存储器包括存储地址列表，所述存储地址列表中依次序排布有多个存储地址；在所述静态随机存取存储器处于所述空闲状态的情况下，于所述存储地址列表中依所述次序循环提取每个所述存储地址作为所述待测存储地址进行持续的坏点自检测。6.如权利要求5所述的实时自检测方法，其特征在于，在所述静态随机存取存储器处于非空闲状态的情况下，停止执行所述实时自检测方法中的全部步骤，并记录当前的所述待测存储地址于所述存储地址列表中的位置信息；在所述静态随机存取存储器再次处于所述空闲状态的情况下，根据所述位置信息提取对应的所述存储地址作为当前的所述待测存储地址。7.如权利要求1至6中任意一项所述的实时自检测方法，其特征在于，所述标准数据包括一次写入数据和二次写入数据，所述一次写入数据与所述二次写入数据不同；所述实时自检测方法包括：在所述静态随机存取存储器处于空闲状态的情况下，将所述一次写入数据写入所述静态随机存取存储器的待测存储地址中；从所述待测存储地址中进行一次数据读取，并将一次读取数据与所述一次写入数据进行比较，以进行一次坏点判断；在所述一次坏点判断的结果为不存在坏点的情况下，将所述二次写入数据写入所述静态随机存取存储器的待测存储地址中；从所述待测存储地址中进行二次数据读取，并将二次读取数据与所述二次写入数据进行比较，以进行二次坏点判断；在所述二次坏点判断的结果为不存在坏点的情况下，判断所述待测存储地址对应的存

【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥隆，张竞成，谢晓，王豪杰，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：