一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路制造技术

本发明专利技术涉及一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第二电阻；第一PMOS管用于产生镜像电流并产生第一差分输出电压信号；第二PMOS管复制第一PMOS管的源极电流，并将其作为第二NMOS管的偏置电流；第一NMOS管作为驱动管为第一PMOS管提供偏置电流；第二NMOS管根据第二PMOS管提供的偏置电流产生第二差分输出电压信号。本发明专利技术的电压偏置电路，具备单端输入差分输出的特性，应用于基于差分压控延时单元的压控环形振荡器时，能够很好的改善其输入和输出电压

【技术实现步骤摘要】
一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路


[0001]本专利技术属于模拟集成电路领域，具体涉及一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路。

技术介绍

[0002]压控延时单元作为一种电压控制型器件，广泛应用于包括压控环形振荡器在内的压控振荡器，压控振荡器也是实现锁相环以及频率合成器的关键器件之一。差分压控延时单元相比于传统的单端压控延时单元，其输入和输出电压延时特性曲线同时具有更大的增益和更好的线性度。也就是说，基于差分压控延时单元的压控振荡器相较于基于单端压控延时单元的压控振荡器，其输入和输出电压频率特性曲线也同时具有更大的增益和更好的线性度。
[0003]同时，差分压控延时单元的应用也离不开一个具备单端输入差分输出特性的电压偏置电路。图1为现有的一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路，该电压偏置电路的输入和输出电压波形图如图2所示，由图2可知其输出差分电压的摆幅及斜率都很小，因而很难用于宽调频电路。
[0004]图3为现有的另一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路，该电压偏置电路的输入和输出电压波形图如图4所示，该电压偏置电路的输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于差分压控延时单元的电压偏置电路，其特征在于，包括，第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)、第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)；其中，所述第一PMOS管(PM1)用于产生镜像电流并产生第一差分输出电压信号；所述第二PMOS管(PM2)用于复制所述第一PMOS管(PM1)的源极电流，并将其作为所述第二NMOS管(NM2)的偏置电流；所述第一NMOS管(NM1)作为驱动管，用于为所述第一PMOS管(PM1)提供偏置电流；所述第二NMOS管(NM2)用于根据所述第二PMOS管(PM2)提供的偏置电流，产生第二差分输出电压信号；所述第一电阻(R1)连接在所述第一PMOS管(PM1)的漏极与所述第一NMOS管(NM1)的漏极之间，用于改善所述第一PMOS管(PM1)的输入和输出的电流电压特性，以提高所述电压偏置电路输出的第一差分输出电压信号的摆幅；所述第二电阻(R2)连接在所述第二PMOS管(PM2)的漏极与所述第二NMOS管(NM2)的漏极之间，用于改善所述第二NMOS管(NM1)的输入和输出的电流电压特性，以提高所述电压偏置电路输出的第二差分输出电压信号的摆幅。2.根据权利要求1所述的用于差分压控延时单元的电压偏置电路，其特征在于，所述第一PMOS管(PM1)的源极连接电源电压端(VDD)，所述第一PMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：来新泉，刘明明，王宇恒，李峥峰，刘晨，汤彭钰，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：