一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及制备方法，属于半导体材料及器件技术领域，晶体管自下而上依次包括衬底、介电层、有源层和金属电极，有源层中掺杂有碘离子，衬底采用普通玻璃、硅晶片以及导电玻璃中的任意一种，金属电极采用Al、Ag、Au、W、Ta、Pt中的任意一种，有源层为纳米结构的金属氧化物材料。本发明专利技术中基于碘的后处理掺杂技术，可以通过控制金属氧化物薄膜及薄膜晶体管在充满碘蒸气中密封装置中的暴露时间可以控制材料的电气性能，并且较现有的在材料组成或薄膜形成过程中所进行的掺杂技术更简单、更易于实现，对新一代薄膜晶体管的研究具有重要意义。对新一代薄膜晶体管的研究具有重要意义。对新一代薄膜晶体管的研究具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】
一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及制备方法


[0001]本专利技术属于半导体材料及器件
，具体涉及一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及制备方法。

技术介绍

[0002]金属氧化物半导体由于其优异的电荷载流子迁移率、在可见光范围内的高光学透射率、优异的化学稳定性，以及加工中的多功能性，已被用作薄膜晶体管中的有源沟道材料。例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锌和氧化铟镓锌已被广泛研究应用。并且基于金属氧化物半导体的薄膜晶体管已被用于电子存储器器件、化学传感器及有源矩阵显示器等各种电子应用中。而为实现其在新一代电子元件产业中的多样化应用，迫切需要开发可以控制物质电气性质的技术。为此，对二元、三元以及四元所组成的材料中关于组成比的影响研究、光分解后处理以及掺杂剂技术等研究备受关注。
[0003]掺杂技术既能够控制和调节氧化物半导体材料的电学特性，同时可以克服对材料的依赖性。当前，在非金属离子掺杂金属氧化物半导体的研究中，对碘掺杂的研究最为广泛。并且就基于溶液工艺的金属氧化物半导体的碘掺杂研究中，多使用碘酸作为掺杂剂，在前期与金属氧化物前驱体溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，自下而上依次包括衬底、介电层、有源层和金属电极，所述有源层中掺杂有碘离子。2.根据权利要求1所述的一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底采用普通玻璃、硅晶片以及导电玻璃中的任意一种，所述金属电极采用Al、Ag、Au、W、Ta、Pt中的任意一种，所述有源层为纳米结构的金属氧化物材料。3.根据权利要求1所述的一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述介电层、有源层以及金属电极采用溶液法、真空沉积法或磁控溅射法中的任意一种制备工艺。4.一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用如权利要求1
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3任一项所述的金属氧化物薄膜晶体管，包括以下步骤：步骤1；制备含有铟离子的前驱体溶液以及具有氮化硅介电层的P型硅衬底；步骤2：采用丙酮、异丙醇和去离子水分别对P型硅衬底进行超声清洗处理，采用氮气吹干，最后采用等离子清洗机对氮化硅表面进行二次清洗处理，得到高亲水性、干净的氮化硅表面；步骤3：采用旋涂方式将氧化铟前驱体溶液涂覆在氮化硅表面，得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雪，郭素敏，李洪宇，张宇，袁一博，
申请(专利权)人：山东科技大学，
类型：发明
国别省市：