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本发明公开了一种气相碘掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及制备方法，属于半导体材料及器件技术领域，晶体管自下而上依次包括衬底、介电层、有源层和金属电极，有源层中掺杂有碘离子，衬底采用普通玻璃、硅晶片以及导电玻璃中的任意一种，金属电极采用Al、Ag、...
该专利属于山东科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东科技大学授权不得商用。

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