【技术实现步骤摘要】
电压选择电路
[0001]本公开的实施例涉及集成电路
，具体地，涉及电压选择电路。
技术介绍
[0002]电压选择电路实现的功能是选择电压较高的电路为后续系统供电。如果后续系统的输入电压从电压VIN1和电压VIN2中选择，则在VIN1高于VIN2时选用VIN1为后续系统供电，而在VIN2高于VIN1时选用VIN2为后续系统供电。在VIN1和VIN2切换时有一定迟滞，以防止VIN1和VIN2接近时出现来回切换，这样会加大系统的功耗。为了防止切换时，VIN1和VIN2直通，通常在VIN1和VIN2切换时会有一个死区时间，在死区时间内VIN1和VIN2都不对系统供电。设置死区时间是为了避免VIN1和VIN2直通，而死区期间没有电源为输出点补充电荷，因此希望死区时间尽量的短。在各种工艺角以及温度的偏差下，死区时间很难控制。死区期间由大的存储电容为系统供电，而死区时间的长短会影响消耗电荷的多少，从而影响存储电容上的压降，导致供电不平稳。
技术实现思路
[0003]本文中描述的实施例提供了一种电压选择电路、芯片、以
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电压选择电路，包括：输入比较电路、第一迟滞比较器、第二迟滞比较器、第一输出控制电路、以及第二输出控制电路，其中，所述输入比较电路被配置为：比较来自第一输入端的第一输入电压和来自第二输入端的第二输入电压的大小以生成第一指示信号和第二指示信号，并向所述第一迟滞比较器和所述第二迟滞比较器分别提供所述第一指示信号和所述第二指示信号，其中，所述第一指示信号与所述第二指示信号互为反相信号；所述第一迟滞比较器被配置为：根据所述第一指示信号生成第三指示信号和第四指示信号，从所述第一迟滞比较器的反相输出端输出所述第三指示信号并从所述第一迟滞比较器的同相输出端输出所述第四指示信号，其中，所述第一迟滞比较器的电源电压等于所述第一输入电压；所述第二迟滞比较器被配置为：根据所述第二指示信号生成第五指示信号和第六指示信号，从所述第二迟滞比较器的反相输出端输出所述第五指示信号并从所述第二迟滞比较器的同相输出端输出所述第六指示信号，其中，所述第二迟滞比较器的电源电压等于所述第二输入电压；所述第一输出控制电路被配置为：在所述第三指示信号和所述第六指示信号的电压都小于所述第一输入电压的情况下，根据所述第一输入电压来生成输出电压并从所述电压选择电路的第一输出端输出所述输出电压；所述第二输出控制电路被配置为：在所述第四指示信号和所述第五指示信号的电压都小于所述第二输入电压的情况下，根据所述第二输入电压来生成所述输出电压并从所述第一输出端输出所述输出电压。2.根据权利要求1所述的电压选择电路，其中，所述第一输出控制电路包括：第一晶体管、以及第二晶体管，其中，所述第一晶体管的控制极耦接所述第一迟滞比较器的所述反相输出端，所述第一晶体管的第一极耦接所述第一输入端，所述第一晶体管的第二极耦接所述第二晶体管的第一极；所述第二晶体管的控制极耦接所述第二迟滞比较器的所述同相输出端，所述第二晶体管的第二极耦接所述第一输出端。3.根据权利要求1所述的电压选择电路，其中，所述第一输出控制电路包括：第一晶体管、以及第二晶体管，其中，所述第一晶体管的控制极耦接所述第二迟滞比较器的所述同相输出端，所述第一晶体管的第一极耦接所述第一输入端，所述第一晶体管的第二极耦接所述第二晶体管的第一极；所述第二晶体管的控制极耦接所述第一迟滞比较器的所述反相输出端，所述第二晶体管的第二极耦接所述第一输出端。4.根据权利要求2或3所述的电压选择电路，其中，所述第一输出控制电路还包括：第三晶体管、以及第四晶体管，其中，所述第三晶体管的控制极耦接所述第一晶体管的所述控制极，所述第三晶体管的第一极耦接所述第一输入端，所述第三晶体管的第二极耦接所述第四晶体管的第一极；所述第四晶体管的控制极耦接所述第二晶体管的所述控制极，所述第四晶体管的第二
极耦接所述电压选择电路的第二输出端。5.根据权利要求1所述的电压选择电路，其中，所述第二输出控制电路包括：第五晶体管、以及第六晶体管，其中，所述第五晶体管的控制极耦接所述第二迟滞比较器的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：轩昂，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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