一种SenseFET型全波电感电流传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种SenseFET型全波电感电流传感器，涉及电子技术。其包括，功率级，用于调制电感电流I

【技术实现步骤摘要】
Sensor for Current
‑
Mode Controlled Buck Converters with MHz Switching Frequency[C].2007IEEE International Conference on Electron Devices and Solid
‑
State Circuits,2007:389
‑
392.
[0010][2]Zhu L,Chen B,Zheng Y,et al.AFast
‑
Response Buck
‑
Boost DC
‑
DC Converter with Constructed Full
‑
Wave Current Sensor[C].2016International Symposium on Integrated Circuits,2016.
[0011][3]Li B,Yang J,Wu Z,et al.AFast
‑
Response Full
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SenseFET型全波电感电流传感器，包括，功率级，由漏极相连的第一功率管MP和第二功率管MN组成，所述第一功率管MP和第二功率管MN的漏极连接端输出电感电压信号VX；其特征在于，还包括，谷值电流传感器，包括第一运放OPA
valley
、第十四场效应管M
14
、第一场效应管M1、第二场效应管M2和第一控制单元；所述第二场效应管M2的源极与功率级的输入端连接，所述第二场效应管M2的栅极接信号地，所述第二场效应管M2的漏极输出漏极电压VX
valley
，且所述第二场效应管M2的漏极与第十四场效应管M
14
的源极连接；所述第十四场效应管M
14
的栅极与第一运放OPA
valley
的输出端连接，所述第十四场效应管M
14
的漏极通过第一控制单元与第一运放OPA
valley
的正相输入端连接，构成第一负反馈闭环G
valley
；所述第一控制单元还与第一运放OPA
valley
的负相输入端连接，用于控制所述第一负反馈闭环G
valley
为开环或闭环；所述第一场效应管M1的漏极输入电感电压信号VX，所述第一场效应管M1的栅极输入第一控制单元中用于控制第一负反馈闭环G
valley
为闭环的使能信号，所述第一场效应管M1的源极与控制单元连接；峰值电流传感器，包括第二运放OPA
peak
、第六场效应管M6、第三场效应管M3、镜像管对和第二控制单元；所述第二控制单元的输出端与第二运放OPA
peak
的负相输入端连接，用于分时输入漏极电压VX
valley
、电感电压信号VX；且所述第二运放OPA
peak
的负相输入端连接有死区采样保持电容C
s
；所述第二运放OPA
peak
的输出端与第六场效应管M6的栅极连接，所述第六场效应管M6的漏极通过第二控制单元与第二运放OPA
peak
的正相输入端连接，构成第二负反馈闭环G
peak
；所述第六场效应管M6的漏极与第三场效应管M3的漏极连接，所述第三场效应管M3的栅极接信号地，所述第三场效应管M3的源极与功率级的输入端连接；所述第六场效应管M6的源极与镜像管对的输入端连接，所述镜像管对的输出端输出采样信号I
Lsen
。2.根据权利要求1所述的一种SenseFET型全波电感电流传感器，其特征在于，所述第一功率管MP和第二场效应管M2的镜像比例为A
L
:1，所述第一功率管MP和第三场效应管M3的镜像比例为A
L
:1，所述第二功率管MN和第一场效应管M1的镜像比例为A
L
:1。3.根据权利要求1或2所述的一种SenseFET型全波电感电流传感器，其特征在于，所述第一功率管MP、第二场效应管M2、第三场效应管M3均为PMOS；所述第二功率管MN、第一场效应管M1均为NMOS。4.根据权利要求1所述的一种SenseFET型全波电感电流传感器，其特征在于，所述第一控制单元包括第八场效应管M8、第九场效应管M9、第十场效应管M
10
和第十一场效应管M
11
；所述第九场效应管M9的栅极和第一场效应管M1的栅极均输入第二使能信号PS
n
，所述第九场效应管M9的源极与第十四场效应管M
14
的漏极连接，所述第九场效应管M9的漏极与第一运放OPA
valley
的正相输入端连接，所述第一运放OPA
valley
的反相输入端通过第十一场效应管M
11
接地，且所述第十一场效应管M
11
的栅极与功率级的输入端连接；所述第一场效应管M1的源极与第八场效应管M8的漏极连接，所述第八场效应管M8的源极接信号地；所述第一运放OPA
valley
的正相输入端与第十场效应管M
10
的漏极连接，所述第十场效应管M
10
的源极接信号地；且所述第八场效应管M8和第十场效应管M
10
的栅极连接并输入信号状态与第二使能信号PS
n
相反的第五使能信号！PS
n
。5.根据权利要求4所述的一种SenseFET型全波电感电流传感器，其特征在于，所述第二
控制单元包括第四场效应管M4、第五场效应管M5和第七场效应管M7；所述第四场效应管M4的栅极输入第三使能信号LVX，所述第四场效应管M4的源极输入电感电压信号VX；所述第五场效应管M5的栅极输入第四使能信号LVX
valley
，所述第五场效应管M5的源极输入漏极电压VX
valley
；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斌，刘育洋，吴朝晖，郑彦祺，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：