输出钳位保护模块、方法、芯片及驱动保护系统技术方案

本发明专利技术提供一种输出钳位保护模块、方法、芯片及驱动保护系统，包括：串联的第一NMOS管及第二NMOS管；连接在输出端和第二NMOS管的栅极之间的第一电阻；串联在输出端和第二NMOS管的栅极之间的第一PMOS管和限流防反单元；钳位控制单元，基于电压检测信号产生第一PMOS管的控制信号，当电源电压掉电或欠压时导通第一PMOS管，当电源电压正常时关断第一PMOS管。本发明专利技术在电源欠压时提供通路迅速拉高第二NMOS管的栅极电位，使得第二NMOS管漏源导通、第六NMOS管的栅极电位拉低，第六NMOS管不能导通形成母线电压到地的短路通路；同时在电源电压恢复正常后退出工作，不对电路正常工作造成影响。响。响。

【技术实现步骤摘要】
输出钳位保护模块、方法、芯片及驱动保护系统


[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，特别是涉及一种输出钳位保护模块、方法、芯片及驱动保护系统。

技术介绍

[0002]如图1所示为现有的驱动芯片驱动控制MOS管的电路，包括驱动芯片1及外部功率NMOS管(Q1及Q2)。当外部功率NMOS管Q2的栅源电压大于其阈值电压时，即达到了MOS管的导通条件，外部功率NMOS管Q2的漏源导通。外部功率NMOS管Q1的漏极连接母线电压VBUS(一般为600V左右)，外部功率NMOS管Q1的栅极连接栅控制信号G1，外部功率NMOS管Q1的源极与外部功率NMOS管Q2的漏极相连，相连点为开关结点E；驱动芯片1的输出端连接外部功率NMOS管Q2的栅极并对外部功率NMOS管Q2的栅极进行驱动。当外部功率NMOS管Q1刚被驱动导通时，开关结点E处的电压开始从0V迅速增加。在驱动芯片1未上电时，由于外部功率NMOS管Q2的栅极与漏极之间存在寄生电容Cgd，开关结点E快速上升的电压会通过该寄生电容Cgd向外部功率NMOS管Q2的栅极充电，使得外部功率NMOS管Q2的栅源电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输出钳位保护模块，应用于驱动电路中，其特征在于，所述输出钳位保护模块至少包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第一PMOS管、限流防反单元及钳位控制单元；所述第一NMOS管的漏极连接电源电压，栅极接收第一控制信号，源极连接所述第二NMOS管的漏极并作为所述输出钳位保护模块的输出端输出驱动信号；所述第二NMOS管的栅极接收第二控制信号，源极接地；所述第一电阻的一端连接所述输出钳位保护模块的输出端，另一端连接所述第二NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的源极连接所述输出钳位保护模块的输出端，漏极连接所述限流防反单元的第一端；所述限流防反单元的第二端连接所述第二NMOS管的栅极，用于限定流入所述第二NMOS管栅极的电流大小，并防止电流从所述第二NMOS管的栅极经过所述第一PMOS管流向所述输出钳位保护模块的输出端；所述钳位控制单元接收电压检测信号，基于所述电压检测信号产生所述第一PMOS管的控制信号，当所述电源电压掉电或欠压时导通所述第一PMOS管，当所述电源电压正常时关断所述第一PMOS管。2.根据权利要求1所述的输出钳位保护模块，其特征在于：所述限流防反单元包括串联的二极管及第二电阻，所述第二电阻用于对所述二极管进行限流保护。3.根据权利要求1所述的输出钳位保护模块，其特征在于：所述输出钳位保护模块还包括第一稳压管，所述第一稳压管的阳极连接所述第一PMOS管的栅极，阴极连接所述第一PMOS管的源极。4.根据权利要求1所述的输出钳位保护模块，其特征在于：所述钳位控制单元包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第二PMOS管、第三电阻及第四电阻；所述第三NMOS管的源极接地，栅极连接所述电压检测信号，漏极经由所述第三电阻连接所述第一PMOS管的源极；所述第四NMOS管的源极接地，栅极连接所述电压检测信号，漏极经由所述第四电阻连接所述第一PMOS管的源极；所述第五NMOS管的源极接地，栅极连接所述第三NMOS管的漏极，漏极连接所述第二PMOS管的漏极并输出所述第一PMOS管的控制信号；所述第二PMOS管的栅极连接所述第四NMOS管的漏极，源极连接所述第一PMOS管的源极。5.根据权利要求4所述的输出钳位保护模块，其特征在于：所述钳位控制单元还包括第五电阻及第六电阻；所述第五电阻连接于所述第四NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的栅极之间，所述第六电阻连接于所述第五NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极之间，所述第二PMOS管的漏极输出所述第一PMOS管的控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王青松，李妍，
申请(专利权)人：瑶芯微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：