安装微波单片集成电路的衬底及微波通信发送器和收发器制造技术

提供一种安装ＭＭＩＣ（微波单片集成电路）的衬底，包括：具有一电介质衬底和形成在所述衬底两侧上的金属箔图案的双金属箔电介质衬底（２）；安装在所述双金属箔电介质衬底（２）一侧上的作为高功率放大器的ＭＭＩＣ；以及附着到所述双金属箔电介质衬底（２）的另一侧的金属底盘（３）。所述双金属箔电介质衬底（２）具有多个通孔（２ａ），作为金属箔图案的铜箔图案连续延伸以覆盖通孔（２ａ）的各个内表面以及所述电介质衬底的两侧，并且在通孔（２ａ）中填埋焊料。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有安装在其上的微波单片集成电路(下文中称为“MMIC”)的衬底。所述安装MMIC的衬底主要用于卫星通信的发送装置，特别是用于Ku波段收发器和Ku波段发送器中。
技术介绍
日本技术公开No.5-31307公开了一种促进高功率放大器的高输出晶体管散热的常规技术。此外，日本专利公开No.2003-06053公开了一种在多层衬底上安装产生大量热的无线电通信模块的半导体器件的常规技术。对于这两种技术，必须在安装了芯片的衬底的区域中设置凹陷部件。以下讨论的技术是已知在其中没有凹陷部件的衬底上安装必要的芯片、同时从芯片有效散热的方法。参照图16和17，以下将描述安装MMIC的衬底，其中MMIC为安装在衬底上的常规高功率放大器(HPA)。如图16所示，安装MMIC的衬底包括双金属箔电介质衬底2和附着于衬底一侧的金属底盘3。双金属箔电介质衬底2具有金属箔图案，其通过将金属箔附着于电介质衬底两侧、然后通过例如蚀刻的方法部分地去除金属箔以形成某种图案来制造。在此处所示的实例中，金属箔图案是铜箔图案，双金属箔电介质衬底2具有铜箔图案(未示出)，该铜箔图案带有形成于电介质衬底两侧的某种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种安装微波单片集成电路的衬底，包括：包括一电介质衬底和设置在所述电介质衬底两侧上的金属箔的一双金属箔电介质衬底；安装在所述双金属箔电介质衬底一侧上的作为表面安装高功率放大器的一微波单片集成电路；以及附着到所述双金属 箔电介质衬底的另一侧的一金属底盘，其中所述双金属箔电介质衬底具有多个通孔，所述金属箔连续地延伸以覆盖所述通孔的各个内表面以及所述电介质衬底的所述两侧，并且在所述多个通孔中填埋焊料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村真喜男，荏隈俊二，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]