包括存储器导柱及包含氧化物材料的虚设导柱的电子装置，以及相关系统及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电子装置，其包括邻近于源极的下部及上部叠组。所述下部及上部叠组包括交错的导电材料及介电材料的阶层。所述下部及上部叠组中的存储器导柱经配置以可操作地耦合到所述源极。所述存储器导柱包括所述上部叠组中的接触插塞、所述下部及上部叠组中的单元膜，以及所述下部及上部叠组中的填充材料。所述上部叠组中的所述单元膜邻近于所述接触插塞且所述上部叠组中的所述填充材料邻近于所述接触插塞。虚设导柱在所述下部叠组及所述上部叠组的中心区中。所述虚设导柱包括所述上部叠组中的氧化物材料，所述氧化物材料接触所述接触插塞及所述填充材料。还公开了额外电子装置以及相关系统及方法。置以及相关系统及方法。置以及相关系统及方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括存储器导柱及包含氧化物材料的虚设导柱的电子装置，以及相关系统及方法
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2020年7月23日申请的“包括存储器导柱及包含氧化物材料的虚设导柱的电子装置，以及相关系统及方法(ELECTRONIC DEVICES COMPRISING MEMORY PILLARS AND DUMMY PILLARS INCLUDING AN OXIDE MATERIAL，AND RELATED SYSTEMS AND METHODS)”的美国专利申请案第16/937,303号的申请日的权益。


[0003]本文中所公开的实施例涉及电子装置及电子装置制造。更特定地说，本公开的实施例涉及包含存储器导柱及虚设导柱的电子装置，其中虚设导柱包含氧化物材料，并且涉及相关系统及方法。

技术介绍

[0004]存储器装置为电子系统提供数据存储。快闪存储器装置为各种存储器装置类型中的一种，并且在现代计算机及其它电子装置中具有许多用途。常规快闪存储器装置包含具有以行及列布置的大量电荷存储装置(例如，存储器单元，例如非易失性存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置，其包括：下部叠组及上部叠组，其邻近于源极，所述下部叠组及所述上部叠组中的每一者包括交错的导电材料及介电材料的阶层；存储器导柱，其在所述下部叠组中及在所述上部叠组中，所述存储器导柱经配置以可操作地耦合到所述源极且包括：接触插塞，其在所述上部叠组中；单元膜，其在所述下部叠组中及在所述上部叠组中，所述上部叠组中的所述单元膜邻近于所述接触插塞；及填充材料，其在所述下部叠组中及在所述上部叠组中，所述上部叠组中的所述填充材料邻近于所述接触插塞；以及虚设导柱，其在所述下部叠组及所述上部叠组的中心区中，所述虚设导柱包括在所述上部叠组中的氧化物材料且所述氧化物材料接触所述接触插塞及所述填充材料。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述存储器导柱延伸穿过所述上部叠组及所述下部叠组。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述存储器导柱延伸穿过所述上部叠组、所述下部叠组且延伸到所述源极中。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述虚设导柱的所述氧化物材料部分地延伸穿过所述上部叠组。5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述虚设导柱进一步包括额外接触插塞、额外单元膜，以及邻近于所述氧化物材料的额外填充材料。6.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述虚设导柱的所述额外接触插塞及所述额外填充材料直接接触所述氧化物材料。7.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述额外填充材料的侧壁倾斜。8.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述额外填充材料的上部表面与所述单元膜的上部表面大致上共面。9.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述虚设导柱的所述氧化物材料将所述额外接触插塞分离成两个部分。10.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述虚设导柱的所述氧化物材料将所述额外填充材料分离成两个部分。11.根据权利要求1到10中任一权利要求所述的电子装置，其中所述阶层包括交错的钨材料及氧化硅材料。12.一种电子装置，其包括：存储器导柱，其在电子装置的叠组中，所述存储器导柱经配置以可操作地耦合到源极；以及虚设导柱，其在所述叠组的中心区中，所述虚设导柱包括在所述虚设导柱的上部部分中的氧化物材料且所述氧化物材料包括在所述中心区中的邻近虚设导柱之间延伸的大致上连续材料。13.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述虚设导柱进一步包括接触插塞及填充材料，所述接触插塞及所述填充材料包括多个部分且每一部分在所述氧化物材料的相对表
面上。14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述氧化物材料在所述虚设导柱的邻近接触插塞之间连续地延伸。15.根据权利要求12到14中任一权利要求所述的电子装置，其中所述叠组包括邻近于所述源极的下部叠组及上部叠组，所述下部叠组及所述上部叠组中的每一者包括交错的导电材料及介电材料的阶层。16.根据权利要求12到14中任一权利要求所述的电子装置，其中所述氧化物材料将所述虚设导柱与所述源极电隔离。17.根据权利要求12到14中任一权利要求所述的电子装置，其中所述虚设导柱的临界尺寸与所述存储器导柱的临界尺寸大致上相同。18.一种电子装置，其包括：存储器导柱，其在电子装置的叠组中，所述存储器导柱经配置以可操作地耦合到源极；以及虚设导柱，其在所述叠组的中心区中，所述虚设导柱包括氧化物材料、接触插塞以及在所述虚设导柱的上部部分中的填充材料，并且所述虚设导柱展现与所述存储器导柱的临界尺寸大致上相同的临界尺寸。19.一种系统，其包括：输入装置；输出装置；处理器装置，其可操作地耦合到所述输入装置及所述输出装置；以及至少一个存储器装置，其可操作地耦合到所述处理器...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：