【技术实现步骤摘要】
清洁方法和清洁设备
[0001]本申请实施例涉及智能设备
,尤其涉及一种清洁方法和清洁设备。
技术介绍
[0002]随着技术的发展,清洁设备在生活中的应用越来越广泛。现有的清洁设备一般在风道内设置与信号处理电路连接的压电式传感器,当脏污进入清洁设备后撞击在压电式传感器上时,产生对应的电压脉冲信号,当该电压脉冲信号达到一定幅度时,输出脉冲指示信号给处理器,处理器基于脉冲指示信号的信息,判断脏污情况。
[0003]然而,现有的清洁设备对应的信号处理电路功能结构复杂,成本较高,开发难度大,且对结构减震设计要求较高,若减震效果不理想,会影响脏污检测的准确性;此外,压电式传感器的使用寿命较短,以及压电式传感器的形状和尺寸都有一定限制,无法根据清洁设备的风道以及布局位置,进行相应的优化。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供一种清洁方法和清洁设备,可以实现简单、准确地检测脏污状况。
[0005]第一方面,本申请实施例提供一种清洁方法,该清洁方法应用于清洁设备,该清洁设备包括薄膜电阻压力传感器、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种清洁方法,其特征在于,应用于清洁设备,所述清洁设备包括薄膜电阻压力传感器、与所述薄膜电阻压力传感器连接的分压电路,以及与所述分压电路连接的处理单元,所述方法包括:所述薄膜电阻压力传感器接收当前位置处脏污颗粒的撞击,并根据撞击强度的大小输出对应阻值的电阻信号;所述分压电路将所述薄膜电阻压力传感器在当前位置处输出的电阻信号转换为电压信号;所述处理单元基于所述电压信号,确定当前位置的脏污情况。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当所述薄膜电阻压力传感器为单薄膜电阻压力传感器时,所述处理单元包括信号处理电路和处理器,所述处理单元基于所述电压信号,确定当前位置的脏污情况,包括:所述信号处理电路将所述电压信号转换为第一脉冲信号;所述处理器基于所述第一脉冲信号的宽度,确定当前位置的脏污情况。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述信号处理电路包括滤波电路、半波峰值检测电路和比较电路,所述信号处理电路将所述电压信号转换为第一脉冲信号,包括:所述滤波电路过滤所述电压信号中的高频噪声;所述半波峰值检测电路将所述滤波电路的输出信号转换为第二脉冲信号;所述比较电路在检测到所述第二脉冲信号的电压值大于基准电压时,生成所述第一脉冲信号。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当所述薄膜电阻压力传感器为矩阵式薄膜电阻压力传感器,且所述矩阵式薄膜电阻压力传感器中每个薄膜电阻压力传感器的灵敏度相同时,所述处理单元包括处理器,所述处理单元基于所述电压信号,确定当前位置的脏污情况,包括:所述处理器针对矩阵式薄膜电阻压力传感器中被触发的薄膜电阻压力传感器中每一个薄膜电阻压力传感器,确定所述薄膜电阻压力传感器在当前位置对应的基准电压;所述处理器针对所述被触发的薄膜电阻压力传感器中每一个薄膜电阻压力传感器,基于所述薄膜电阻压力传感器在当前位置对应的电压值与所述薄膜电阻压力传感器对应的基准电压,确定所述薄膜电阻压力传感器对应的校准电压;所述处理器基于所述被触发的薄膜电阻压力传感器中每一个薄膜电阻压力传感器对应的校准电压,确定当前位置的脏污情况。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述处理器确定所述薄膜电阻压力传感器在当前位置对应的基准电压,包括:所述处理器针对矩阵式薄膜电阻压力传感器中被触发的薄膜电阻压力传感器中每一个薄膜电阻压力传感器,获取当前位置无脏污颗粒时,所述薄膜电阻压力传感器对应的电压值,并将所述电压值确定为所述薄膜电阻压力传感器在当前位置对应的基准电压。6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述处理器基于所述薄膜电阻压力传感器对应的电压信号与所述薄膜电阻压力传感器对应的基准电压,确定所述薄膜电阻压力传感器对应的校准电压,包括:所述处理器将所述薄膜电阻压力传感器对应的电压值与所述薄膜电阻压力传感器对
应的基准电压的差值,确定为所述薄膜电阻压力传感器对应的校准电压。7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述矩阵式薄膜电阻压力传感器包括M个区域,所述M为大于或等于2的正整数,所述方法还包括:所述处理器基于M个区域中每一个区域的薄膜电阻压力传感器被触发的次数和/或每一个区域被触发的薄膜电阻压力传感器对应的校准电压,确定清洁策略。8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当所述薄膜电阻压力传感器为矩阵式薄膜电阻压力传感器,且所述矩阵式薄膜电阻压力传感器中每个薄膜电阻压力传感器的灵敏度相同时,所述处理单元包括处理器,所述处理单元基于所述电压信号,确定当前位置的脏污情况,包括:所述处理器基于矩阵式薄膜电阻压力传感器中每一个薄膜电阻压力传感器对应的电压信号,确定被触发的薄膜电阻压力传感器的数量,基于所述被触发的薄膜电阻压力传感器的数量,确定当前位置的脏污情况。9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当所述薄膜电阻压力传感器为矩阵式薄膜电阻压力传感器,且所述矩阵式薄膜电阻压力传感器包括N种灵敏度的薄膜电阻压力传感器时,所述N种灵敏度的薄膜电阻压力传感器用于对N种不同大小的脏污颗粒进行检测,所述N为大于或等于2的正整数,所述处理单元包括处理器,所述处理单元基于所述电压信号,确定当前位置的脏污情况,包括:所述处理器基于所述电压信号,确定所述N种灵敏度中每一种灵敏度的薄膜电阻压力传感器对应的电压值、转换系数,以及在预设时间段内被触发的次数;所述处理器基于所述N种灵敏度中每一种灵敏度的薄膜电阻压力传感器对应的转换系数和电压值,确定当前位置N种脏污颗粒在每一种灵敏度下的电压分量;所述处理器基于所述N种脏污颗粒在每一种灵敏度下的电压分量,以及所述在预设时间内被触发的次数,确定当前位置N种脏污颗粒中每一种脏污颗粒对应的电压值;所述处理器基于所述每一种脏污颗粒对应的电压值,确定当前位置的脏污情况。10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述处理器基于所述N种脏污颗粒在每一种灵敏度下的电压分量,以及所述在预设时间内被触发的次数,确定当前位置N种脏污颗粒中每一种脏污颗粒对应的电压值,包括:所述处理器针对所述N种脏污颗粒中第i种脏污颗粒,将所述第i种脏污颗粒在所述N种灵敏度中第j种灵敏度下的电压分量与所述第j种灵敏度的薄膜电阻压力传感器在预设时间内被触发的次数的乘积,确定为所述第i种脏污颗粒在第j种灵敏度下对应的电压值,所述i为从1到N的正整数,所述j为从1到N的正整数;所述处理器针对所述N种脏污颗粒中第i种脏污颗粒,将所述第i种脏污颗粒在N种灵敏度下对应的电压值相加,得到第一数值,并将所述第一数值确定为第i种脏污颗粒对应的电压值。11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述N等于2时,所述矩阵式薄膜电阻压力传感器包括用于检测大脏污颗粒和小脏污颗粒的高灵敏度薄膜电阻压力传感器,以及用于检测大脏污颗粒的低灵敏度薄膜电阻压力传感器;所述处理器基于N种灵敏度中每一种灵敏度的薄膜电阻压力传感器的转换系数和电压值,确定当前位置N种脏污颗粒在每一种灵敏度下的电压分量,包括:
所述处理器基于所述低灵敏度薄膜电阻压力传感器对应的电压值和转换系数,确定大脏污颗粒对应的冲击力,并将所述低灵敏度薄膜电阻压力传感器对应的电压值,确定为大脏污颗粒在低灵敏度薄膜电阻压力传感器下对应的电压分量;所述处理器基于所述大脏污颗粒对应的冲击力、所述高灵敏度薄膜电阻压力传感器对应的电压值和转换系数,确定小脏污颗粒在所述高灵敏度薄膜电阻压力传感器下对应的电压分量,以及大脏污颗粒在所述高灵敏度薄膜电阻压力传感器下对应的电压分量。12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述处理器基于所述低灵敏度薄膜电阻压力传感器对应的电压值和转换系数,确定大脏污颗粒对应的冲击力,包括:所述处理器将所述低灵敏度薄膜电阻压力传感器对应的电压值与低灵敏度薄膜电阻压力传感器对应的转换系数的比值,确定为大脏污颗粒对应的冲击力。13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述处理器基于所述大...
【专利技术属性】
技术研发人员:张能锋,刘伟,
申请(专利权)人:成都市联洲国际技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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