一种金属刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种金属刻蚀装置，包括刻蚀设备和放电结构，刻蚀设备包括一腔体和用于对待刻蚀的半导体件进行刻蚀的刻蚀结构，半导体件位于腔体内，刻蚀结构安装于腔体上；放电结构包括放电组件和与放电组件电连接的自动点火结构，放电组件伸入到腔体内，且在自动点火结构的作用下放电起弧。本实用新型专利技术增加的放电结构可以抵消金属的屏蔽效应，减少设备维护保养的周期，可以大幅降低生产成本。可以大幅降低生产成本。可以大幅降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种金属刻蚀装置


[0001]本技术涉及半导体芯片制造领域，具体涉及一种新型结构的金属刻蚀装置。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺过程中，离不开金属的刻蚀，ICP(点火控制程序装置，Ignition Control Programmer)在刻蚀金属介质时，由于反溅的存在，导致腔体金属逐渐增多，但是由于金属存在电场屏蔽效应，该屏蔽效应使得设备的使用周期缩短，设备PM(维护保养)周期大幅增加，使得生产的成本大幅增加。
[0003]目前业界主要通过增加source(电源)端的功率来减弱金属的屏蔽效应，但是这样使得设备的source端的电源使用寿命减少，这也无疑增加了生产成本。
[0004]因此，如何提供一种减少设备PM周期及降低生产成本的金属刻蚀设备成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的在于提供一种新型结构的金属刻蚀装置，从而克服现有技术的不足。
[0006]为实现前述技术目的，本技术采用的技术方案包括：一种金属刻蚀装置，包括：
[0007]刻蚀设备，所述刻蚀设备包括一腔体和用于对待刻蚀的半导体件进行刻蚀的刻蚀结构，所述半导体件位于所述腔体内，所述刻蚀结构安装于所述腔体上；
[0008]放电结构，所述放电结构包括放电组件和与所述放电组件电连接的自动点火结构，所述放电组件伸入到所述腔体内，且在所述自动点火结构的作用下放电起弧。
[0009]在一优选实施例中，所述放电组件包括放电件和封装管，所述放电件置于所述封装管内，且一端伸出封装管外，另一端接用于与自动点火结构相电连的引线，所述引线引出所述封装管外，所述封装管靠近引线的一端与腔体密封固定。
[0010]在一优选实施例中，所述放电件位于半导体件的侧边，且伸入腔体内的一端高于所述半导体件1cm～5cm。
[0011]在一优选实施例中，所述放电件包括放电主体和放电头部，所述放电头部至少部分伸出所述封装管外，所述放电主体位于所述封装管内。
[0012]在一优选实施例中，所述放电主体为圆柱状，直径为1mm～10mm，长度为10mm～50mm，所述放电头部为圆锥形，所述圆锥形的直径为0.01mm～0.1mm，长度为1mm～10mm。
[0013]在一优选实施例中，所述放电件为材质为钨的灯丝。
[0014]在一优选实施例中，所述自动点火结构包括延时继电器、开关和变压器，所述延时继电器通过开关与变压器电连接，所述变压器与所述放电件电连接。
[0015]在一优选实施例中，所述刻蚀结构包括等离子气体、线圈和电源，所述线圈绕制于所述等离子气体外，且所述线圈与电源电连接，所述等离子气体在电源作用下与放电组件
同时产生放电起弧。
[0016]在一优选实施例中，所述半导体件与偏置电源电连接。
[0017]在一优选实施例中，所述放电组件上加载的电压为大小为110V，频率为50Hz的交流电压。
[0018]与现有技术相比较，本技术的有益效果至少在于：
[0019]1、本技术提出在刻蚀设备内增加一个放电结构，产生电子放电，从而使等离子气体可在放电结构和电源端作用下共同起弧，这样增加起弧的效果，且放电结构的起弧作用抵消了金属的屏蔽效应，减少设备维护保养的周期，可以大幅降低生产成本。
[0020]2、本技术的放电组件配备自动点火功能，通过继电器控制电源端电源和放电件同时产生放电起弧，这样既保证了设备可以正常工作，也保证了开启的安全性和方便性。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本技术金属刻蚀装置的整体结构示意图；
[0023]图2是自动点火结构的原理示意图；
[0024]图3是放电组件封装在腔体上的结构示意图；
[0025]图4是放电组件的结构示意图；
[0026]附图标记为：
[0027]1、刻蚀设备，11、腔体，12、等离子气体，13、线圈，14、电源，2、放电结构，21、放电组件，211、封装管，212、放电主体，213、放电头部，22、自动点火结构，221、开关，222、延时继电器，223、变压器，3、半导体件，4、偏置电源，5、引线。
具体实施方式
[0028]通过应连同所附图式一起阅读的以下具体实施方式将更完整地理解本技术。本文中揭示本技术的详细实施例；然而，应理解，所揭示的实施例仅具本技术的示范性，本技术可以各种形式来体现。因此，本文中所揭示的特定功能细节不应解释为具有限制性，而是仅解释为权利要求书的基础且解释为用于教示所属领域的技术人员在事实上任何适当详细实施例中以不同方式采用本技术的代表性基础。
[0029]本技术实施例所揭示的一种金属刻蚀装置，通过在刻蚀设备内增加放电结构，从而使刻蚀气体在放电结构和其本身的电源端作用下共同起弧，这样在增加起弧的效果的同时，放电结构的起弧作用也抵消了金属的屏蔽效应，从而减少设备维护保养(PM)的周期，从而可以大幅降低生产成本。
[0030]结合图1所示，本技术实施例所揭示的一种金属刻蚀装置，包括刻蚀设备1和放电结构2，其中，刻蚀设备1包括一腔体11和刻蚀结构，待刻蚀的半导体件3置于该腔体11内，且其尾部伸出腔体11外，与一偏置电源4相电连接。
[0031]刻蚀结构设置于腔体11上，本实施例中，刻蚀结构为ICP刻蚀结构，其具体包括等
离子气体12、线圈13和电源14，其中，线圈13绕裹于等离子气体12外，且线圈13与电源14(Source Power)相电连接，等离子气体12在电源14作用下产生放电起弧，从而对半导体件3进行金属刻蚀。
[0032]优选地，本技术增设了放电结构2，该放电结构2与上述电源14共同作用于等离子气体，一方面增加气体的起弧效果，另一方面放电结构2的起弧作用可以抵消金属的屏蔽效应。具体地，结合图1、图3和图4所示，本实施例中，放电结构2具体包括放电组件21和自动点火结构22，其中，放电组件21具体包括放电件和封装管211，放电件置于封装管211内，且一端(如放电件的顶端)伸出封装管211外，另一端(如放电件的尾端)接用于与自动点火结构22相电连的引线5，该引线5引出封装管211外，封装管211靠近引线5的一端与腔体11密封固定，具体地，在腔体11的底部打孔，使得封装管211的头部可以刚好通过，封装管211安装到腔体11底部后，使用树脂密封孔的四周，从而将封装管211固定密封到腔体11内。实施时，放电件可以是材质为钨的灯丝，封装管211可以是玻璃管。另外，放电件位于半导体件3的侧边，且伸入腔体11内的一端高于半导体件1cm～5cm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属刻蚀装置，其特征在于，所述装置包括：刻蚀设备，所述刻蚀设备包括一腔体和用于对待刻蚀的半导体件进行刻蚀的刻蚀结构，所述半导体件位于所述腔体内，所述刻蚀结构安装于所述腔体上；放电结构，所述放电结构包括放电组件和与所述放电组件电连接的自动点火结构，所述放电组件伸入到所述腔体内，且在所述自动点火结构的作用下放电起弧。2.根据权利要求1所述的一种金属刻蚀装置，其特征在于，所述放电组件包括放电件和封装管，所述放电件置于所述封装管内，且一端伸出封装管外，另一端接用于与自动点火结构相电连的引线，所述引线引出所述封装管外，所述封装管靠近引线的一端与腔体密封固定。3.根据权利要求2所述的一种金属刻蚀装置，其特征在于，所述放电件位于半导体件的侧边，且伸入腔体内的一端高于所述半导体件1cm～5cm。4.根据权利要求2或3所述的一种金属刻蚀装置，其特征在于，所述放电件包括放电主体和放电头部，所述放电头部至少部分伸出所述封装管外，所述放电主体位于所述封装管内。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭虎，
申请(专利权)人：苏州龙驰半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：