一种金属刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种金属刻蚀装置，包括刻蚀设备和放电结构，刻蚀设备包括一腔体和用于对待刻蚀的半导体件进行刻蚀的刻蚀结构，半导体件位于腔体内，刻蚀结构安装于腔体上；放电结构包括放电组件和与放电组件电连接的自动点火结构，放电组件伸入到腔体内，且在自动点火结构的作用下放电起弧。本实用新型专利技术增加的放电结构可以抵消金属的屏蔽效应，减少设备维护保养的周期，可以大幅降低生产成本。可以大幅降低生产成本。可以大幅降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种金属刻蚀装置


[0001]本技术涉及半导体芯片制造领域，具体涉及一种新型结构的金属刻蚀装置。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺过程中，离不开金属的刻蚀，ICP(点火控制程序装置，Ignition Control Programmer)在刻蚀金属介质时，由于反溅的存在，导致腔体金属逐渐增多，但是由于金属存在电场屏蔽效应，该屏蔽效应使得设备的使用周期缩短，设备PM(维护保养)周期大幅增加，使得生产的成本大幅增加。
[0003]目前业界主要通过增加source(电源)端的功率来减弱金属的屏蔽效应，但是这样使得设备的source端的电源使用寿命减少，这也无疑增加了生产成本。
[0004]因此，如何提供一种减少设备PM周期及降低生产成本的金属刻蚀设备成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的在于提供一种新型结构的金属刻蚀装置，从而克服现有技术的不足。
[0006]为实现前述技术目的，本技术采用的技术方案包括：一种金属刻蚀装置，包括：
[0007]刻蚀设备，所述刻蚀设备包括一腔体和用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属刻蚀装置，其特征在于，所述装置包括：刻蚀设备，所述刻蚀设备包括一腔体和用于对待刻蚀的半导体件进行刻蚀的刻蚀结构，所述半导体件位于所述腔体内，所述刻蚀结构安装于所述腔体上；放电结构，所述放电结构包括放电组件和与所述放电组件电连接的自动点火结构，所述放电组件伸入到所述腔体内，且在所述自动点火结构的作用下放电起弧。2.根据权利要求1所述的一种金属刻蚀装置，其特征在于，所述放电组件包括放电件和封装管，所述放电件置于所述封装管内，且一端伸出封装管外，另一端接用于与自动点火结构相电连的引线，所述引线引出所述封装管外，所述封装管靠近引线的一端与腔体密封固定。3.根据权利要求2所述的一种金属刻蚀装置，其特征在于，所述放电件位于半导体件的侧边，且伸入腔体内的一端高于所述半导体件1cm～5cm。4.根据权利要求2或3所述的一种金属刻蚀装置，其特征在于，所述放电件包括放电主体和放电头部，所述放电头部至少部分伸出所述封装管外，所述放电主体位于所述封装管内。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭虎，
申请(专利权)人：苏州龙驰半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：