一种碳纳米管高密度取向排列方法技术

本发明专利技术涉及一种碳纳米管高密度取向排列方法，包括：采用浮动催化法制备碳纳米管扁带；将碳纳米管扁带的两端分别架设于第一绕线轴、第二绕线轴；将架设后的碳纳米管扁带的部分压入含磺酸根溶液中，对碳纳米管扁带进行处理，其中，含磺酸根溶液不包括氯磺酸。该碳纳米管高密度取向排列方法的目的是解决如何在不破坏碳纳米管结构且不使用表面活性剂或其它添加剂的同时令碳纳米管高密度地取向排列的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种碳纳米管高密度取向排列方法


[0001]本专利技术涉及纳米材料
，具体涉及一种碳纳米管高密度取向排列方法。

技术介绍

[0002]碳纳米管被认为是复合材料、吸波材料的理想增强体，碳纳米管的性能在沿轴向方向上表现最好，要实现碳纳米管对复合材料的有效增强，或介电性能的优化，必须将碳纳米管取向排列，目前对碳纳米管进行取向排列的方法有液相法与阵列法。
[0003]基于溶液的碳纳米管取向排列方法，需要首先通过表面活性剂或小芳香分子、大环共轭物、无机酸的物理吸附或化学修饰来实现碳纳米管的分散及分离，然后结合各种物理、化学方法实现其水平取向排列。目前使用的酸有盐酸、硝酸、硫酸、氯磺酸。
[0004]阵列法是在基板上沉积催化剂颗粒，之后以CVD法生长碳纳米管，再通过机械力将碳纳米管拉出取向的技术。阵列法所取向排列的碳纳米管密度与液相法相似，但是基板尺寸有限制，步骤多，成本较高，应用有限制。
[0005]目前碳纳米管高密度取向排列还存在以下问题：1.盐酸、硝酸、硫酸、氯磺酸处理碳纳米管会导致碳管结构受损，性能损失严重；2.无论以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管高密度取向排列方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：采用浮动催化法制备碳纳米管扁带；将所述碳纳米管扁带的两端分别架设于第一绕线轴、第二绕线轴；将架设后的碳纳米管扁带的部分压入含磺酸根溶液中，对所述碳纳米管扁带进行处理，其中，所述含磺酸根溶液不包括氯磺酸。2.根据权利要求1所述的碳纳米管高密度取向排列方法，其特征在于，所述碳纳米管扁带为多孔网络状结构。3.根据权利要求2所述的碳纳米管高密度取向排列方法，其特征在于，所述多孔网络状结构的孔隙是开放孔结构，且为由搭接的管束或碳管包围而成的不规则形状。4.根据权利要求1所述的碳纳米管高密度取向排列方法，其特征在于，所述将所述碳纳米管扁带的两端分别架设于第一绕线轴、第二绕线轴，具体为：所述碳纳米管扁带的两端分别缠绕于所述第一绕线轴、所述第二绕线轴，且缠绕长度均大于1cm。5.根据权利要求1所述的碳纳米管高密度取向排列方法，其特征在于，所述碳纳米管扁带压入所述含磺酸根溶液中的深度为1～10cm。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨名，魏琪，韦国科，
申请(专利权)人：中国航空制造技术研究院，
类型：发明
国别省市：