一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器制造技术

本发明专利技术提供了一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器，基座包括基座主体，基座主体包括由下至上层叠设置的底层、凹槽层以及载台层，底层包括引脚端以及与引脚端电连接的第一连接部，凹槽层包括第一焊盘组、第二焊盘组、与第一焊盘组电连接的第二连接部以及与第二焊盘组电连接的第三连接部，载台层包括第三焊盘组以及与第三焊盘组电连接的第四连接部，第二连接部与第一连接部电连接，第四连接部与第三连接部电连接，其中，第一连接部、第二连接部、第三连接部以及第四连接部均位于基座主体的棱边上；本发明专利技术在减小基座内部产生的寄生电容的同时，极大的增加了基座的结构强度。极大的增加了基座的结构强度。极大的增加了基座的结构强度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器


[0001]本专利技术涉及晶体谐振器
，尤其涉及一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器。

技术介绍

[0002]晶体谐振器通常有压电石英晶片及封装外壳构成，其中压电石英晶片为长方形或圆形，封装外壳材料为陶瓷、玻璃、金属等。压电石英晶片上下两面蒸镀电极，并由导电胶固定在封装外壳中，电极通过密封封装的引线，与封装外壳的基座引脚相连。交流电压通过引脚连通石英晶片的上下电极，使石英晶片产生逆压电效应，从而产生振荡。
[0003]随着信息技术的发展，通信领域频率产生与频率控制的石英晶体器件向小尺寸、高频率、高稳定性发展。为满足智能穿戴应用需求，当前石英晶体器件主流为表面贴装器件形式，主要由封装上盖、可伐环、基座、以及晶片组成，整体外形尺寸范围在1mm至2mm之间，厚度范围在0.3mm至0.7mm之间，同时为了节省电子印刷电路板上空间，石英晶体器件也逐步从晶体谐振器向着晶体振荡器发展；然而，现有的晶体振荡器在基座内部多采用金属插梢设计以将晶片、芯片以及引脚端进行电连接，导致基座内部产生很大的寄生电容，从而使晶体振荡器的电学性能受到影响。
[0004]因此，亟需一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于，提供一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器，用于减小现有技术的晶体谐振器中基座内部的寄生电容过大的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种用于晶体振荡器的基座，包括基座主体，基座主体包括由下至上层叠设置的底层、凹槽层以及载台层，底层包括引脚端以及与引脚端电连接的第一连接部，凹槽层包括第一焊盘组、第二焊盘组、与第一焊盘组电连接的第二连接部以及与第二焊盘组电连接的第三连接部，载台层包括第三焊盘组以及与第三焊盘组电连接的第四连接部；
[0007]其中，第一连接部、第二连接部、第三连接部以及第四连接部均位于基座主体的棱边上；第二连接部与第一连接部电连接，第四连接部与第三连接部电连接。
[0008]在本专利技术实施例所提供的用于晶体振荡器的基座中，引脚端位于底层远离凹槽层的一侧，引脚端包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚以及第五引脚，第一引脚用于连接电源端，第二引脚用于输入使能信号，第三引脚用于连接接地端，第四引脚以及第五引脚用于输出一组频率相等且相位相反的差分信号。
[0009]在本专利技术实施例所提供的用于晶体振荡器的基座中，基座主体还包括设置于载台层上远离凹槽层一侧的过渡层；
[0010]其中，过渡层包括基座层以及内嵌于基座层内的绝缘层，绝缘层具有镂空部，镂空部用于提供放置晶片的空间。
[0011]在本专利技术实施例所提供的用于晶体振荡器的基座中，基座还包括设置于基座主体上的可伐环，可伐环设置于过渡层上且覆盖镂空部；
[0012]其中，基座主体还包括第一金属层，第一金属层贯穿绝缘层以及载台层，可伐环通过第一金属层与第三引脚电连接。
[0013]在本专利技术实施例所提供的用于晶体振荡器的基座中，基座主体还包括第二金属层，凹槽层还包括第四焊盘组，第四焊盘组具有第一通孔，第二金属层填充第一通孔；
[0014]其中，第四焊盘组通过第二金属层与第三引脚电连接。
[0015]在本专利技术实施例所提供的用于晶体振荡器的基座中，第一连接部、第二连接部、第三连接部以及第四连接部均具有凹槽，凹槽的开口方向为远离基座主体的方向。
[0016]相应地，本专利技术实施例还提供一种晶体振荡器，包括如上任一项的基座、芯片、晶片以及封装盖板，芯片设置于底层上，晶片设置于载台层上，封装盖板设置于基座主体上；
[0017]其中，芯片通过第一焊盘组与引脚端电连接，芯片通过第二焊盘组与第三焊盘组电连接；晶片通过导电银胶与第三焊盘组电连接。
[0018]在本专利技术实施例所提供的晶体振荡器中，晶片包括基片，基片具有焊盘部、过渡部以及震荡部，焊盘部通过过渡部与震荡部连接，震荡部的厚度小于焊盘部的厚度；
[0019]其中，震荡部上设置有第一电极以及第二电极，第一电极位于过渡层与基片之间，第二电极位于底层与基片之间。
[0020]在本专利技术实施例所提供的晶体振荡器中，焊盘部上设置有第一焊盘以及第二焊盘，第一焊盘位于基片上与第一电极的同一面，第二焊盘位于基片上与第二电极的同一面；
[0021]其中，第一电极通过第一焊盘与第三焊盘组中的第三焊盘电连接，第二电极通过第一焊盘与第三焊盘组中的第四焊盘电连接。
[0022]在本专利技术实施例所提供的晶体振荡器中，芯片为差分高频集成电路芯片，晶片为基于光刻工艺制备的基频晶片。
[0023]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供了一种用于晶体振荡器的基座及晶体振荡器，基座包括基座主体，基座主体包括由下至上层叠设置的底层、凹槽层以及载台层，底层包括引脚端以及与引脚端电连接的第一连接部，凹槽层包括第一焊盘组、第二焊盘组、与第一焊盘组电连接的第二连接部以及与第二焊盘组电连接的第三连接部，载台层包括第三焊盘组以及与第三焊盘组电连接的第四连接部，第二连接部与第一连接部电连接，第四连接部与第三连接部电连接，其中，第一连接部、第二连接部、第三连接部以及第四连接部均位于基座主体的棱边上；本专利技术提供的基座通过将第一连接部、第二连接部、第三连接部以及第四连接部均位于基座主体的棱边上，以使引脚端与第一焊盘组之间的内部电路在基座主体的棱边上电连接，以及使第二焊盘组与第三焊盘组之间的内部电路在基座主体的棱边上电连接，能够避免现有基座内部通过金属插梢将晶片、芯片以及引脚端进行电连接的设计，减小了基座内部产生的寄生电容的同时，极大的增加了基座的结构强度；另一方面通过在基座主体的棱边处进行内外电路连接，可以有效防止焊锡脱落，增加产品的可焊性。
附图说明
[0024]图1是本专利技术实施例提供的用于晶体振荡器的基座的俯视图；
[0025]图2是本专利技术实施例提供的用于晶体振荡器的基座的侧视图；
[0026]图3A是本专利技术实施例提供的用于晶体振荡器的基座中过渡层的俯视图；
[0027]图3B是本专利技术实施例提供的用于晶体振荡器的基座中载台层的俯视图；
[0028]图3C是本专利技术实施例提供的用于晶体振荡器的基座中凹槽层的俯视图；
[0029]图3D是本专利技术实施例提供的用于晶体振荡器的基座中底层靠近凹槽层的一面的俯视图；
[0030]图3E是本专利技术实施例提供的用于晶体振荡器的基座中底层远离凹槽层的一面的俯视图；
[0031]图4是本专利技术实施例提供的晶体振荡器的俯视透视图；
[0032]图5是本专利技术实施例提供的晶体振荡器中晶片的结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶体振荡器的基座，其特征在于，包括基座主体，所述基座主体包括由下至上层叠设置的底层、凹槽层以及载台层，所述底层包括引脚端以及与所述引脚端电连接的第一连接部，所述凹槽层包括第一焊盘组、第二焊盘组、与所述第一焊盘组电连接的第二连接部以及与所述第二焊盘组电连接的第三连接部，所述载台层包括第三焊盘组以及与所述第三焊盘组电连接的第四连接部；其中，所述第一连接部、所述第二连接部、所述第三连接部以及所述第四连接部均位于所述基座主体的棱边上；所述第二连接部与所述第一连接部电连接，所述第四连接部与所述第三连接部电连接。2.根据权利要求1所述的用于晶体振荡器的基座，其特征在于，所述引脚端位于所述底层远离所述凹槽层的一侧，所述引脚端包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚以及第五引脚，所述第一引脚用于连接电源端，所述第二引脚用于输入使能信号，所述第三引脚用于连接接地端，所述第四引脚以及所述第五引脚用于输出一组频率相等且相位相反的差分信号。3.根据权利要求2所述的用于晶体振荡器的基座，其特征在于，所述基座主体还包括设置于所述载台层上远离所述凹槽层一侧的过渡层；其中，所述过渡层包括基座层以及内嵌于所述基座层内的绝缘层，绝缘层具有镂空部，镂空部用于提供放置晶片的空间。4.根据权利要求3所述的用于晶体振荡器的基座，其特征在于，所述基座还包括设置于所述基座主体上的可伐环，所述可伐环设置于所述过渡层上且覆盖所述镂空部；其中，所述基座主体还包括第一金属层，所述第一金属层贯穿所述绝缘层以及所述载台层，所述可伐环通过所述第一金属层与所述第三引脚电连接。5.根据权利要求3所述的用于晶体振荡器的基座，其特征在于，所述基座主体还包括第二金属层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏，阮翔宇，鲁壑，
申请(专利权)人：泰晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：